宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）將于APEC 2020展覽會展示氮化鎵（GaN）技術(shù)推動了多個行業(yè)的功率傳輸轉(zhuǎn)型
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
EPC團隊將于3月15至19日在美國新奧爾良（New Orleans）舉行的APEC 2020展覽會上，進行11場關(guān)于氮化鎵技術(shù)及應(yīng)用的演講 （參考下方圖表）。此外，EPC展位（#1847）也會有多個終端客戶最新的、基于氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的產(chǎn)品亮相。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/202003/410626.htm48 V DC/DC轉(zhuǎn)換器
在展會上，EPC將發(fā)布ePowerTM Stage系列集成電路，在單一硅基GaN芯片上集成了所有功能，為行業(yè)重新定義功率轉(zhuǎn)換。氮化鎵技術(shù)專家將展示ePowerTM Stage及分立式氮化鎵器件如何能夠提升48 V功率轉(zhuǎn)換器的效率、縮小其尺寸及降低系統(tǒng)成本。該48 V轉(zhuǎn)換器面向超纖薄并且具有高功率（可高達250 W）的筆記本電腦、具有高功率密度的服務(wù)器及人工智能系統(tǒng)，以及汽車系統(tǒng)等應(yīng)用。
激光雷達/飛行時間
此外，EPC將展出多個激光雷達應(yīng)用，使得我們看到氮化鎵技術(shù)如何支持短距及長距激光雷達傳感器。展示包括用于長距離檢測的直接飛行時間（DToF）系統(tǒng)，可在低于2.5 納秒提供超過100 A的電流。
而用于短距離檢測的間接飛行時間（IToF）系統(tǒng)則可在低于1.2納秒的脈寬提供8 A脈沖電流。此外，EPC已有多家終端客戶的系統(tǒng)已經(jīng)投產(chǎn)，針對包括全自動駕駛汽車、自動化倉庫、無人機及吸塵機等應(yīng)用。
馬達驅(qū)動器
EPC并將介紹如何以GaN單芯片支持電動滑板車的馬達供電。ePower? Stage器件應(yīng)用于三相正弦激勵，馬達驅(qū)動器的每相具10 ARMS，可實現(xiàn)高效、寧靜、高性能及低成本的電動汽車解決方案。
無線電源
在無線電源充電方面，隨著物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的迅速發(fā)展，全新的連接及傳感器件如果需要符合5G的要求，可靠及安全的無線供電不可或缺。EPC將展示支持5G的高效無線電源解決方案，可穿透e-glass及墻壁，傳輸高達65 W的電源。
有興趣在APEC展位與EPC的應(yīng)用專家會面的工程師，歡迎您蒞臨我們的客戶套房，請于網(wǎng)上填寫及提交表格，網(wǎng)址是epc-co.com/epc/Contact/RequestMeeting.aspx 。
在展會上，EPC也同時進行11場專題演講，議題是關(guān)于氮化鎵技術(shù)及集成電路的技術(shù)發(fā)展。詳情如下：
§ 氮化鎵功率器件的前進步伐勢不可擋
演講者 : Alex Lidow博士
時間 : 9:20 am–9:45 am (IS04、地點R06)
§ 硅器件已經(jīng)死亡、分立式器件則正在步向死亡
演講者 : Alex Lidow博士
時間 : 3:00 pm – 3:15 pm (Ridley Engineering Presents、展位號：1517)
3月18日星期三
演講者 : John Glaser博士
時間 : 8:30 am – 8:55 am (IS08、地點：R02-R03)
§ 采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管及數(shù)字控制器的超纖薄型48 V - 20 V、250 W DC/DC轉(zhuǎn)換器
演講者 : Jiangjing Wang博士
時間 : 9:20 am – 9:45 am (IS07、地點R04-R05)
§ 基于氮化鎵場效應(yīng)晶體管的三級同步降壓轉(zhuǎn)換器的優(yōu)化設(shè)計
演講者 : Jiangjing Wang博士
時間 : 9:50 am – 10:10 am (T12、地點：206-207)
§ eGaN?技術(shù)及功率轉(zhuǎn)換的未來
演講者 : Alex Lidow博士
時間 : 1:00 pm – 1:30 pm (Exhibitor Seminar、Theater 1)
3月19日星期四
§ 氮化鎵（GaN）器件進行極其嚴謹?shù)目煽啃约笆y試方法
演講者 : Alex Lidow博士
時間 : 8:30 am – 8:55 am (IS23、地點： R07)
§ 面向高頻功率轉(zhuǎn)換器的單片式氮化鎵（GaN）半橋集成電路
演講者 : Jianjing Wang博士
時間 : 8:55 am – 9:20 am (IS19,、地點： R04-R05)
§ 功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的系統(tǒng)單芯片（SoC）的發(fā)展路徑–one GaN Stage at a time
演講者 : Ravi Ananth博士
時間 : 9:45 am – 10:10 am (IS20、地點：R02-R03)
§ 面向激光雷達照相機及其它低壓、超高頻、超快速脈沖功率應(yīng)用的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）
演講者 : John Glaser博士
時間 : 1:45 pm – 2:10 pm (IS26、地點：R02-R03)
§ 氮化鎵集成電路可快速去除技術(shù)壁壘
演講者 : Ravi Ananth博士
時間 : 2:10 pm – 2:35 pm (IS30、地點：R08)
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