“新基礎設施”是最近的熱門詞匯之一。國家發(fā)展和改革委員會最近首次明確了新基礎設施——的范圍。新基礎設施是以新的發(fā)展理念為指導、以技術創(chuàng)新為動力、以信息網(wǎng)絡為基礎、面向高質量發(fā)展需求的基礎設施系統(tǒng),提供數(shù)字轉換、智能升級和集成創(chuàng)新等服務。

“在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的‘新基礎設施’主要領域進行自主創(chuàng)新、開發(fā)、改造和升級的關鍵核心材料和電子元件。

沈波解釋說,與仍然是功率半導體領域主流的傳統(tǒng)硅基器件相比,第三代半導體功率電子器件可以進一步提高電子電氣設備的效率、小型化和智能化。例如,基于碳化硅的抗高電壓、大電流和低損耗的電力電子器件和模塊可大規(guī)模應用于智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車等領域。高效率、小體積、終端設備電源、手機和筆記本電腦電源適配器、無線快速充電電源等領域具有巨大的技術優(yōu)勢和市場空間。

其中,第三代半導體射頻電子器件已經(jīng)在民用和軍用領域得到了大規(guī)模應用。尤其是氮化鎵射頻電子器件和模塊,由于其高頻、高功率、大帶寬的性能優(yōu)勢,在5G移動通信基站建設中發(fā)揮著不可替代的作用。中國5G建設的加速將引發(fā)氮化鎵射頻電子器件需求的快速增長。

放眼全球,2019年全球半導體行業(yè)將處于低迷狀態(tài),但第三代半導體的技術、產(chǎn)品、市場和投資都呈現(xiàn)出較高的增長趨勢。領先企業(yè)通過調整業(yè)務領域、擴大產(chǎn)能供應、整合并購,加強了在第三代半導體的分銷,增強了競爭力。相比之下,中國的第三代半導體功率電子和射頻電子產(chǎn)業(yè)還處于起步階段,已經(jīng)初步形成了從材料、器件到應用的完整產(chǎn)業(yè)鏈。然而,總體技術水平仍落后于世界最高水平3-5年。迫切需要突破材料、器件、包裝和應用環(huán)節(jié)的核心關鍵技術,以及可靠性和一致性等工程應用問題。

“新基礎設施”的加速為中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了寶貴的機遇。國內市場對第三代半導體材料和器件的需求迅速增長。終端應用企業(yè)也在調整供應鏈以支持國內企業(yè)。產(chǎn)業(yè)鏈中上游和中游以前難以進入供應鏈的產(chǎn)品將獲得下游用戶認證機會,并進入幾個主要制造商的供應鏈。”第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長俞昆山表示。

最近發(fā)布的《第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術發(fā)展報告(2019年)》預測,2024年中國第三代半導體功率電子器件的應用市場將達到200億元,未來五年復合增長率將超過40%。

面對難得的機遇,俞昆山建議中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)應該更加腳踏實地,穩(wěn)步前進?！斑^去幾年,政策資源嚴重傾斜,第三代半導體在許多地方被列為重點支持產(chǎn)業(yè),并采取了許多措施吸引項目,這也導致了一些低水平的重復建設。有鑒于此,各地在大力支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展的同時,也要注意協(xié)調發(fā)展和錯位發(fā)展,做好項目篩選工作,結合本地產(chǎn)業(yè)、人才和資源優(yōu)勢,考慮財力和政策成本收益率,因地制宜?！?/p>

此外,第三代半導體產(chǎn)業(yè)在過去兩年的快速市場增長主要是由于國家大力推進半導體產(chǎn)業(yè)的獨立性,以及碳化硅和氮化鎵器件在新能源汽車、5G、數(shù)據(jù)中心等領域的新應用所獲得的資本進入。然而,當前的經(jīng)濟低迷導致了消費電子產(chǎn)品、汽車甚至工業(yè)電機等各種產(chǎn)品的市場下滑,出口受阻,下游需求萎縮?！靶袠I(yè)應該努力提高產(chǎn)品性能和競爭力。深入挖掘創(chuàng)新應用,在擴大增量市場的同時擴大現(xiàn)有市場的滲透率,促進第三代半導體產(chǎn)業(yè)健康可持續(xù)發(fā)展。同時,我們也要面對“抓住機遇,提前投資,但市場啟動不及預期”的矛盾,把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展的節(jié)奏。余昆山強調道。