富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號(hào)為MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM ^注1 。此款容量最高的FRAM產(chǎn)品能在高達(dá)攝氏125度的高溫下正常運(yùn)作，其評(píng)測(cè)樣品（evaluation sample）現(xiàn)已開(kāi)始供應(yīng)。 

此款FRAM非易失性內(nèi)存在運(yùn)作溫度范圍內(nèi)能保證10兆次讀 / 寫次數(shù)，并支持實(shí)時(shí)記錄像駕駛數(shù)據(jù)或定位數(shù)據(jù)等，這類需要持續(xù)且頻繁的數(shù)據(jù)記錄。由于該內(nèi)存屬于非易失性，并且具有高速寫入特點(diǎn)，即使遇到突然斷電的狀況，寫入的數(shù)據(jù)也能完整保留不會(huì)遺失。因此，這款產(chǎn)品適用于需在高溫環(huán)境下運(yùn)作的應(yīng)用，像是具有會(huì)產(chǎn)生大量熱能的引擎或馬達(dá)的汽車設(shè)備與工業(yè)機(jī)器人。 

富士通電子在過(guò)去約20年量產(chǎn)各種FRAM非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫耐久性、高速寫入速度及超低功耗。近幾年來(lái)，這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于可穿戴裝置、工業(yè)機(jī)器人與無(wú)人機(jī)。 

圖一：MB85RS2MTY封裝

這款擁有2Mbit密度的產(chǎn)品采用SPI接口，支持從1.8v至3.6v的寬電壓范圍，且運(yùn)作耐熱度可高達(dá)攝氏125度；即使在這樣的高溫環(huán)境也能保證10兆次的讀∕寫次數(shù)，相當(dāng)于EEPROM的一千萬(wàn)倍；最高運(yùn)作頻率則達(dá)到50 MHz，比現(xiàn)有產(chǎn)品快1.5倍。此外，這些產(chǎn)品的可靠性測(cè)試符合AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到被稱為“汽車級(jí)”產(chǎn)品的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。 

此款FRAM采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8-pin SOP封裝，使其能輕松取代現(xiàn)有類似腳位的EEPROM產(chǎn)品。此外，也提供擁有8-pin DFN（Dual Flatpack Non-leaded）的封裝。

圖二：適合MB85RS2MTY的應(yīng)用

富士通電子持續(xù)為IC卡、工業(yè)機(jī)械與消費(fèi)性裝置提供數(shù)據(jù)寫入效能高于EEPROM的FRAM產(chǎn)品。能在最高攝氏125度環(huán)境下運(yùn)作的FRAM產(chǎn)品自2017年起就已經(jīng)量產(chǎn)，因此這類FRAM逐漸被廣泛應(yīng)用在需要在高溫下維持運(yùn)作與高可靠性的汽車及工業(yè)機(jī)械市場(chǎng)。此次富士通電子研發(fā)并推出最大容量的2 Mbit產(chǎn)品，借此強(qiáng)化可運(yùn)作于高達(dá)125度的FRAM產(chǎn)品陣容。

富士通電子將持續(xù)提供各種FRAM產(chǎn)品與解決方案，協(xié)助客戶提升各類應(yīng)用的價(jià)值與便利性。

圖三：MB85RS2MTY的主要特色

關(guān)鍵規(guī)格

●   組件型號(hào)：MB85RS2MTY 

●   容量（組態(tài)）：2 Mbit（256K x 8位） 

●   接口：SPI（Serial Peripheral Interface） 

●   運(yùn)作頻率：最高50 MHz

●   運(yùn)作電壓：1.8伏特 - 3.6伏特 

●   運(yùn)作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度 

●   讀∕寫耐用度：10兆次 (10¹³次) 

●   封裝規(guī)格：8-pin SOP與8-pin DFN 

●   認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)：符合AEC-Q100 Grade 1

詞匯與備注

*注一：鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存（FRAM） 

FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒(méi)有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年即開(kāi)始生產(chǎn)FRAM，亦稱為FeRAM。

相關(guān)鏈接：

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