應(yīng)用材料公司近日宣布為其大獲成功的Centris^? Sym3^?刻蝕產(chǎn)品系列再添新成員。現(xiàn)在，該系列產(chǎn)品能讓芯片制造商在尖端存儲(chǔ)器和邏輯芯片上以更加精細(xì)的尺寸成像和成型。

新型Centris Sym3^? Y是應(yīng)用材料公司最先進(jìn)的導(dǎo)體刻蝕系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用創(chuàng)新射頻脈沖技術(shù)為客戶提供極高的材料選擇性、深度控制和剖面控制，使之能夠在3D NAND、DRAM和邏輯節(jié)點(diǎn)（包括FinFET和新興的環(huán)繞柵極架構(gòu)）創(chuàng)建密集排列的高深寬比結(jié)構(gòu)。

●   Sym3^? Y專(zhuān)為3D NAND、DRAM和代工廠邏輯節(jié)點(diǎn)中的關(guān)鍵導(dǎo)體刻蝕應(yīng)用而打造

●   這一最新系統(tǒng)為公司歷史上最迅速大量占領(lǐng)市場(chǎng)的產(chǎn)品擴(kuò)大了應(yīng)用范圍

●   里程碑達(dá)成：Sym3反應(yīng)腔出貨量達(dá)到5000臺(tái)

應(yīng)用材料公司的Centris^? Sym3^? Y刻蝕系統(tǒng)能讓芯片制造商在尖端存儲(chǔ)器和邏輯芯片上以更加精細(xì)的尺寸成像和成型

Sym3系列成功的關(guān)鍵在于其獨(dú)特技術(shù)特征： 高電導(dǎo)反應(yīng)腔架構(gòu)能夠提供特殊的刻蝕剖面控制，快速有效地排出每次晶圓工藝產(chǎn)生的刻蝕副產(chǎn)物。Sym3 Y系統(tǒng)采用保護(hù)關(guān)鍵腔體組件的專(zhuān)有新型涂層材料，擴(kuò)大了該成功架構(gòu)的優(yōu)勢(shì)，從而進(jìn)一步減少缺陷并提高良率。

Sym3刻蝕系統(tǒng)于2015年首次推出，如今已成為應(yīng)用材料公司歷史上最迅速大量占領(lǐng)市場(chǎng)的產(chǎn)品。時(shí)至今日，Sym3反應(yīng)腔出貨量達(dá)到了5000臺(tái)大關(guān)。

應(yīng)用材料公司的戰(zhàn)略是為客戶提供全新的材料成型和成像方法，以實(shí)現(xiàn)新型3D結(jié)構(gòu)并開(kāi)辟繼續(xù)進(jìn)行2D微縮的新途徑，而Sym3系列正是實(shí)現(xiàn)這一戰(zhàn)略的關(guān)鍵產(chǎn)品。應(yīng)用材料公司采用獨(dú)特的化學(xué)氣相沉積（CVD）鍍膜技術(shù)對(duì)Sym3系統(tǒng)進(jìn)行協(xié)同優(yōu)化，讓客戶能夠增加3D NAND內(nèi)存器件中的層數(shù)，并減少DRAM制造中四重成型所需的步驟數(shù)。應(yīng)用材料公司會(huì)將上述技術(shù)與其電子束檢測(cè)和審查技術(shù)一同部署，以加快研發(fā)并大規(guī)模實(shí)現(xiàn)行業(yè)最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)量爬坡，從而幫助客戶改善芯片功耗、增強(qiáng)芯片性能、降低單位面積成本并加快上市時(shí)間（PPACt）。

應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Mukund Srinivasan博士表示：“應(yīng)用材料公司在2015年推出Sym3系統(tǒng)時(shí)采用了全新方法進(jìn)行導(dǎo)體刻蝕，并解決了3D NAND和DRAM中一些最棘手的刻蝕難題。今天，在最先進(jìn)的存儲(chǔ)器和代工廠邏輯節(jié)點(diǎn)中，關(guān)鍵刻蝕和極紫外（EUV）圖形化應(yīng)用呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭和增長(zhǎng)。未來(lái)，我們將繼續(xù)升級(jí)并助力業(yè)界向下一代芯片設(shè)計(jì)演進(jìn)?！?/p>

每個(gè)Sym3 Y系統(tǒng)均包括多個(gè)刻蝕和等離子清潔晶圓工藝反應(yīng)腔，并由智能系統(tǒng)控制可確保每個(gè)反應(yīng)腔都擁有一致的性能，從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的工藝和高生產(chǎn)力。全球多家領(lǐng)先的NAND、DRAM和代工廠邏輯節(jié)點(diǎn)客戶都在使用這一新系統(tǒng)。