1   服務5G的電容器

TDK一直十分關(guān)注中國的新基建，尤其是5G領域 的電源發(fā)展。 5G電源一個非常重要的特點是能源效 益及能量密度明顯要求加 大很多，為的是減少5G產(chǎn) 品的占地面積以達到小型 化的目的。此外，新的5G 有源天線模塊普遍采用的 是自然冷卻散熱的設計， 所有這些對絕大多數(shù)被動 器件都提出新的挑戰(zhàn)－更 高的溫度耐受性。特別是 在薄膜電容方面，傳統(tǒng)的MKP薄膜電容因為受到固有 原材料及生產(chǎn)工藝的限制，通常最高工作溫度只能達到 110 ℃。但是TDK的愛普科斯(EPCOS)薄膜電容器打破了此枷鎖并完善性的開發(fā)了適用于開關(guān)電源行業(yè)的全套 125 ℃薄膜電容。

TDK一直致力研究性能更強的薄膜電容器。已推出 許多125 ℃愛普科斯(EPCOS)薄膜電容系列，包括安規(guī)電 容X2 B3292 P/Q系列、功率矯正電容 B3267 P系列、直流 支撐電容 B3277 P系列以及諧振電容B3264系列。這些系 列產(chǎn)品和5G有源天線模塊都能完美匹配。以X2 B3293 P/ Q為例，它不僅成功地獲得了125 ℃安規(guī)證書（CQC/UL/ VDE), 而且在滿足溫濕測試85 ℃/85% 240 Vac 500 h的 同時保持了較小尺寸，甚至可以在客戶的要求下進一步 的拓展為耐更高測試85 ℃/85% 240 Vac 1 000 h的產(chǎn)品。 此款在產(chǎn)品在剛投入市場之際便迅速受到青睞。同時， TDK的市場和研發(fā)團隊也一直在關(guān)注來自于市場的新需 求，以期能及時地支持和服務目標客戶。

TDK電子大中華區(qū) 薄膜電容器產(chǎn)品市場部 經(jīng)理 徐翔

2   服務SiC、GaN市場的電容器

在電力電子領域，基于GaN和SiC的寬帶隙 (WBG) 技術(shù)正逐漸替代傳統(tǒng)的 IGBT技術(shù)，日益廣泛地 應用于鐵路牽引、工業(yè)驅(qū) 動、新能源汽車驅(qū)動及充 電等新基建直接相關(guān)的應 用領域。這類新的驅(qū)動器 件本身具有以下特點：更 低的開關(guān)損失、更高的開 關(guān)頻率、更高的工作溫度和傳導溫度、更低的熱阻。而對于被動元器件，尤其是與之直接相連的DC-LINK電容也提出了更高的 顛覆性的要求：更高的工作溫度，更大的電流密度，更低的等效電阻和熱阻，更小的等效電感特別是在GaN和 SiC這樣極高的工作頻率下。

TDK電子大中華區(qū) 電力電容器產(chǎn)品市場部 資深經(jīng)理 徐敏

面對這樣的技術(shù)趨勢和挑戰(zhàn)，TDK的薄膜電力電子電容部門多年前就未雨綢繆，著手新一代的產(chǎn)品開發(fā)， 并同世界先進的應用客戶保持密切的溝通和合作，目前已經(jīng)推出了各個系列，滿足WBG半導體技術(shù)的電力電子電容。其中包括：

2）愛普科斯(EPCOS)B25645普通高頻電力電子電 容器，使用領先的內(nèi)部均流技術(shù)，保證在SiC及高速 IGBT的高頻下仍保持可靠的工作狀態(tài)。額定電壓范圍 為700~2 300 V DC，電容值范圍為(370~3 900) μF，使 用高溫PP膜，最高工作溫度可達90 ℃。采用模塊化設 計，B25645適合多電容并聯(lián)。適用于當前由IGBT向高 速IGBT或SiC技術(shù)過渡的牽引、驅(qū)動等需要較大DC-Link容值的變流應用。

3）愛普科斯(EPCOS)B25620系列新的高頻電力電 子電容系列。原B25620系列是在新能源風電和光伏廣泛 被使用的鋁殼圓形電容。在此基礎上，采用內(nèi)部均流技 術(shù)，使得電容的高頻ESL得到極大提高，在100 kHz以上的開關(guān)頻率下具有良好的均流特性。又因其具有標準的尺寸，適合多顆并聯(lián)，目前已開始在城軌牽引、新能 源等領域的前沿平臺開展應用。

（本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志社2020年9月期）