色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > 業(yè)界動態(tài) > 40年ALD積淀助力超越摩爾,思銳智能完成第一階段發(fā)展布局

          40年ALD積淀助力超越摩爾,思銳智能完成第一階段發(fā)展布局

          作者: 時間:2021-06-03 來源:電子產品世界 收藏

          沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導體和超越摩爾領域制造工藝的4大關鍵技術。在新晶圓產線的投資建設中,約80%的投資用于購買設備,薄膜沉積設備更是占據其中約25%的比重。業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)和化學式真空鍍膜(CVD)等。其中ALD屬于CVD的一種,是當下最先進的薄膜沉積技術。調研機構GIR相關報告表明,全球原子層沉積(ALD)設備的市場規(guī)模在2021-2026年的年復合增長率預計達到25.1%,將從2019年的10.661億美元增至2026年的26.129億美元。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202106/426123.htm

          思銳智能深度文章-配圖1.jpg

          圖1 半導體設備的投資占比情況

          40年ALD積淀加持,思銳智能攜手國家級創(chuàng)新中心加速產業(yè)布局

          “專注ALD創(chuàng)新、助力超越摩爾“,2021年5月,ALD設備和服務提供商——青島四方思銳智能技術有限公司(以下簡稱思銳智能或SRII)與國家智能傳感器創(chuàng)新中心(以下簡稱國創(chuàng)中心或NISIC)的戰(zhàn)略合作簽約儀式在上海正式啟動,思銳智能總經理聶翔先生、國創(chuàng)中心副總裁焦繼偉博士代表出席現(xiàn)場簽約。雙方向與會人員表示,此次戰(zhàn)略合作將面向超越摩爾領域,基于原子層沉積(ALD)技術開展MEMS、CMOS圖像傳感器等重要領域的聯(lián)合研發(fā),攜手深度合作,致力于加速超越摩爾領域的產業(yè)落地與技術創(chuàng)新。

          1622688256274404.jpg

          圖2 聶翔先生(左)與焦繼偉博士代表雙方正式簽署戰(zhàn)略合作

          聶翔先生表示:“以上海為代表的長三角地區(qū)是中國半導體產業(yè)的高地,國創(chuàng)中心也是中國超越摩爾領域首屈一指的領導者機構。借力思銳智能旗下BENEQ公司近40年ALD技術的研發(fā)經驗以及世界一流的ALD設備和解決方案,雙方深度合作,將共同組建超越摩爾領域的技術中心和產業(yè)化中心,以開放包容的機制為行業(yè)提供全面、系統(tǒng)的技術解決方案,一起推進超越摩爾領域的產業(yè)化與創(chuàng)新化發(fā)展。”其中,思銳智能的8”ALD設備已經在國創(chuàng)中心的超越摩爾研發(fā)中試線上成功裝備,對標國家戰(zhàn)略性新興產業(yè)的發(fā)展需求。

          焦繼偉博士表示:“國創(chuàng)中心與思銳智能的戰(zhàn)略合作將以ALD設備和技術作為起點和支點,未來在制造設備的本土化,包括半導體的新材料、MEMS新工藝,以及ALD人工智能、互聯(lián)網新應用等方向進行探索。此次簽約儀式標志著雙方合作跨上新的臺階,我們期待雙方以及更多產業(yè)伙伴在超越摩爾的賽道上攜手前進,共同發(fā)展?!?/p>

          ALD技術成“首選”,BENEQ TransformTM 突破產能效率邊界和性能新高度

          事實上,隨著新材料、新制程、新工藝在新興半導體制造行業(yè)的應用與發(fā)展,ALD技術可以使得材料以單原子膜(0.1nm)形式沉積在基板表面的特性,在沉積層的厚度控制、3D異形材料表面均勻度、表面無針孔、折射率等方面具有顯著優(yōu)勢,因此特別適用于MEMS、CMOS圖像傳感器等產品的制造與生產,并逐漸成為超越摩爾領域的鍍膜沉積技術首選。

          1622688282459991.jpg

          圖3 思銳智能旗下BENEQ公司半導體業(yè)務負責人Patrick Rabinzohn遠程連線闡述ALD在超越摩爾領域的應用案例

          對此,思銳智能全資子公司——BENEQ全新推出的TransformTM 系列設備是專為超越摩爾應用市場提供的具有競爭力的ALD解決方案。TransformTM 平臺采用了全新的集群設計和尖端的鍍膜沉積技術,可以為8”及以下晶圓的表面沉積多種材料,包括Al2O3、SiO2、AlN、TiN等氧化物與氮化物,并實現(xiàn)完全保形和高均勻性的薄膜沉積。

          1622688302409599.jpg

          圖4 代表業(yè)界頂尖通用型ALD技術的TransformTM 系列設備

          BENEQ半導體業(yè)務負責人Patrick Rabinzohn 表示:“TransformTM 平臺兼容單片、批量、熱法以及等離子體等功能,是目前業(yè)界僅有、集多項功能于一體的通用型先進平臺。不僅如此,TransformTM 平臺更具備靈活配置的優(yōu)勢,客戶可以根據自身需求,選擇‘3組ALD模塊 + 預加熱模塊’構建TransformTM的標準配置 、或‘2組ALD模塊 + 預加熱模塊’構建TransformTM Lite的簡化配置,實現(xiàn)差異化、更具效益的生產和管理方式,并在主流廠商中開拓了意向訂單?!?/p>

          以鍍膜沉積50納米的氧化鋁為例,若采用標準配置的TransformTM系統(tǒng),最多的產量可以達到每小時40片晶圓以上,即使Lite設備也能達到每小時25片以上,這于整個行業(yè)對ALD的傳統(tǒng)認知可謂顛覆性的技術突破!

          據Patrick介紹,BENEQ TransformTM 平臺已經通過SEMI S2/S8認證,支持SECS/GEM標準,并逐漸向12”晶圓的成熟沉積技術邁進,將為客戶提供了靈活、可靠、高產能的半導體晶圓鍍膜量產解決方案。

          拓寬市場應用矩陣,以通用型ALD技術賦能廣泛行業(yè)創(chuàng)新

          除了縱向的技術、性能、產能突破,憑借BENEQ先進的通用型ALD技術,思銳智能正在拓展更多前沿垂直行業(yè)的應用創(chuàng)新。

          在遠程連線芬蘭專家另一場演講中,BENEQ半導體業(yè)務技術總監(jiān)Alexander Perros介紹道:“BENEQ通用型ALD技術的超越摩爾應用矩陣十分豐富,包括功率器件、濾波器、MEMS和CIS等。同時,BENEQ針對不同的細分市場推出了不同的ALD解決方案,主要包括高K介電質、表面鈍化、ALD成核層、化學阻擋層、防潮層以及抗反射膜等等?!?例如,表面鈍化,可以用不同ALD材料來實現(xiàn)表面鈍化,防潮層則在封裝上發(fā)揮關鍵作用;這些均在廣泛的應用中具備很強的通用性。

          1622688326227132.jpg

          圖5 BENEQ通用型ALD技術的應用領域矩陣示例

          總結而言,ALD是傳統(tǒng)半導體制程所需的先進技術之一,也是新興半導體、泛半導體和以光學鍍膜為代表的非半導體行業(yè)發(fā)展的關鍵技術。思銳智能正通過提供尖端、創(chuàng)新、靈活的ALD設備和服務解決方案,致力于成為世界一流的ALD設備和服務供應商。



          關鍵詞:

          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉