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          為技術(shù)找到核心 多元化半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新

          作者:? 王岫晨 時(shí)間:2021-08-10 來源:CTIMES 收藏

          觀察2021年主導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢(shì),可以從新的半導(dǎo)體技術(shù)來著眼。基本上半導(dǎo)體技術(shù)可以分為三大類,第一類是獨(dú)立電子、計(jì)算機(jī)和通訊技術(shù),基礎(chǔ)技術(shù)是。在今天,最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程,其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導(dǎo)入極紫外光刻技術(shù),逐步取代多重圖形光刻方法。

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          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202108/427473.htm

          圖一 : 半導(dǎo)體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。

          我們知道,目前三星、臺(tái)積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作,正在開發(fā)下一代3/2奈米,在那里我們會(huì)看到一種新的突破,因?yàn)樗麄冏钣锌赡苻D(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞閘極技術(shù),以延續(xù)摩爾定律。若他們成功開發(fā)出新的架構(gòu),就可以預(yù)期摩爾定律會(huì)延續(xù)一定的年限。
          若想明白和做好做半導(dǎo)體領(lǐng)域的業(yè)務(wù),還需要有一些提升整合度的方法,這就是所謂的3D異構(gòu),也就是利用多個(gè)裸片堆棧方法,來得到尺寸最小的系統(tǒng)芯片、系統(tǒng)模塊和系統(tǒng)封裝的能力。至于內(nèi)存和非閃存或DRAM,它們?cè)诖鎯?chǔ)容量和耗能方面也遵循類似的過程,越來越節(jié)能,性能越來越好。

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          圖二 : 的技術(shù)差異化基礎(chǔ)。

          多元化半導(dǎo)體技術(shù)核心
          意法半導(dǎo)體總裁暨執(zhí)行長Jean-Marc Chery認(rèn)為,在這個(gè)多元化的半導(dǎo)體世界,所有技術(shù)都有一個(gè)核心。多元化半導(dǎo)體公司包括TI、NXP、英飛凌、瑞薩和。首先是成熟的0.5微米到110納米的8吋芯片制造技術(shù),其次是成熟的19納米到28納米的12吋芯片制程。我們將28納米視為晶體管閘極創(chuàng)新技術(shù),用于制造成熟的12吋芯片。

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          圖三 : 意法半導(dǎo)體總裁暨執(zhí)行長JEAN-MARC CHERY

          當(dāng)然,這個(gè)多元化產(chǎn)品的半導(dǎo)體世界,很快就會(huì)開始用16 納米 FinFET技術(shù),設(shè)計(jì)制造嵌入式處理解決方案和電源管理解決方案,滿足汽車和某些特定工業(yè)應(yīng)用需求。

          也許我們還會(huì)有另一個(gè)節(jié)點(diǎn),10納米到12納米的FD-SOI技術(shù)。在這個(gè)多元化的世界,技術(shù)節(jié)點(diǎn)分布的非常廣泛,從0.5微米到110納米的8吋,再從19納米到28納米成熟的12吋,然后再到FinFET雙重圖形和三重圖形制程。這就是我所看到的現(xiàn)狀和趨勢(shì)。
          同時(shí),在多元化的世界中,功率組件材料和碳化硅創(chuàng)新速度很快(包括封裝創(chuàng)新、晶圓制造創(chuàng)新、原料創(chuàng)新,升級(jí)到8吋,以及優(yōu)化單個(gè)硅錠產(chǎn)生晶圓數(shù)量的生產(chǎn)率創(chuàng)新)。所以,我們?cè)诠β式M件領(lǐng)域也看到了快速的創(chuàng)新。
          光學(xué)感測解決方案的發(fā)展趨勢(shì)也是這樣,我們都想要光學(xué)感測解決方案有更高的性能、更小的面積、更低的價(jià)格,目前許多半導(dǎo)體大廠(例如)正在推動(dòng)這一技術(shù)創(chuàng)新。MEMS與光學(xué)傳感器的情況非常相似,大家都希望傳感器精度更高,功耗更低。所以多元化半導(dǎo)體世界的解決方案也是非常相似。這是因?yàn)榛贑MOS(模擬、混合訊號(hào)、射頻、嵌入式閃存)的功率產(chǎn)品、傳感器和純模擬技術(shù)是相互融合的,所以,芯片不限于內(nèi)存、計(jì)算機(jī)和通訊。這就是我所看到的現(xiàn)狀趨勢(shì)。同樣,在多元化半導(dǎo)體世界里,我們也提供3D整合這個(gè)了不起的創(chuàng)新技術(shù)。

          將創(chuàng)新轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品
          JEAN-MARC說,2021年半導(dǎo)體的成功在于創(chuàng)新。希望客戶不要限制自己的創(chuàng)新力,半導(dǎo)體將能永遠(yuǎn)滿足大家的需求。創(chuàng)新是全球半導(dǎo)體業(yè)共同努力的結(jié)果,有了適當(dāng)規(guī)模的重要參與者投入適量的研發(fā)、創(chuàng)新和設(shè)計(jì)資金,才能把世界上最好的創(chuàng)新轉(zhuǎn)化為對(duì)客戶而言,成本可承受的產(chǎn)品。
          觀察半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭格局現(xiàn)狀,整個(gè)產(chǎn)業(yè)分為計(jì)算機(jī)、通訊、內(nèi)存和多元化組件。市值超過100億美元的公司基本上有25家,有兩種運(yùn)營模式:一種是無晶圓廠,另一種是IDM。在代工領(lǐng)域,有三家市值超過100億美元的上市公司,分別是臺(tái)積電、聯(lián)電和中芯國際,還有兩家沒有上市的代工廠,他們是GlobalFoundries和三星?,F(xiàn)階段確保半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展和創(chuàng)新非常重要,各國提供激勵(lì)政策,鼓勵(lì)公平創(chuàng)新和均衡制造,這是我們所期望的,以及未來會(huì)規(guī)劃的方向。
          意法半導(dǎo)體市場營銷、傳播及策略發(fā)展總裁Marco Cassis指出,以ST為例,我們并不打算布局一個(gè)只有在本地開發(fā)IP、本地設(shè)計(jì)、本地研發(fā)和本地制造才能展開業(yè)務(wù)的世界,這不是該公司謀劃的世界。從政府鼓勵(lì)政策中可以看到重要的政治意愿,而希望這些政策能夠推動(dòng)公平競爭,推進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。而在現(xiàn)階段各種芯片缺貨的現(xiàn)狀下,出現(xiàn)這種情況也是正常的。

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          圖四 : 意法半導(dǎo)體市場營銷、傳播及策略發(fā)展總裁Marco Cassis

          有些客戶也在改變他們的想法,對(duì)資本參與持開放的態(tài)度。我們將這種趨勢(shì)視為新事物,但不打算支持某些國家的芯片完全獨(dú)立自主的倡議和行動(dòng)。不要忘記,在晶圓廠和制造技術(shù)背后,還有封測廠,這是一個(gè)復(fù)雜的封裝過程。然后還得有設(shè)備制造商提供晶圓制造和封裝設(shè)備,EDA供貨商提供IP和設(shè)計(jì)工具。同時(shí)技術(shù)研發(fā)也非常重要,隨著人工智能的到來,研發(fā)變得更加重要,最后還要有材料制造商。像美國、歐洲、中國大陸、臺(tái)灣、韓國和日本那樣退群單飛,是不可行的。

          半導(dǎo)體差異化需要重新定義?
          對(duì)于嵌入式處理解決方案,我們知道,直到某一個(gè)時(shí)間點(diǎn)前,評(píng)測微控制器所參考的產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是基于CMOS的技術(shù),然后是嵌入式NOR閃存或嵌入式分離閘極技術(shù)。差異化更多地是圍繞著生態(tài)系統(tǒng),圍繞微控制器來構(gòu)建軟件生態(tài)系統(tǒng),并簡化解決方案設(shè)計(jì)過程。同樣重要的是有一個(gè)廣泛的產(chǎn)品規(guī)劃。在微控制器發(fā)展到某一個(gè)階段前,差異主要集中在產(chǎn)品組合上。
          現(xiàn)在,技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷縮小,根據(jù)應(yīng)用和功耗,提供更高的實(shí)時(shí)性能。我們已經(jīng)看到了一些差異化機(jī)會(huì)。例如,ST所開發(fā)的一種分離閘極替代技術(shù),稱之為EESTM。此外,ST還開發(fā)出了28奈米PCM相變內(nèi)存技術(shù)。在28奈米FD-SOI技術(shù)的車規(guī)微控制器,就內(nèi)建了PCM內(nèi)存和閃存。JEAN-MARC認(rèn)為,在后段制程生產(chǎn)線測試驗(yàn)證嵌入式閃存技術(shù)是汽車工業(yè)獨(dú)有的一個(gè)技術(shù)要求。 這項(xiàng)技術(shù)將有能力處理其他MCU的應(yīng)用需求。
          然后回到功率組件解決方案。同樣的差異化方法是,開發(fā)寬能隙材料、研發(fā)模塊、改善BCD架構(gòu)和技術(shù),以及電流隔離,接著是能夠處理高壓的系統(tǒng)芯片和智能功能。
          至于光學(xué)感測解決方案,設(shè)計(jì)飛行時(shí)間技術(shù)、模塊和紅外線成像傳感器,透過整合解決方案,發(fā)現(xiàn)提供整體方案的機(jī)會(huì),來達(dá)成半導(dǎo)體差異化的目標(biāo)。
          至于在模擬組件方面。在ST的Agrate和Crolles兩個(gè)廠區(qū),有BCD技術(shù)和CMOS技術(shù),當(dāng)這兩個(gè)工廠協(xié)作開發(fā)時(shí),就可以研發(fā)出高性能的模擬技術(shù),并有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)多樣化和差異化。我們知道,在純通訊產(chǎn)業(yè)中,對(duì)規(guī)模、市場和入市能力或門坎的要求非常高,所以,ST的策略是在10多年前就選擇脫離通訊市場,轉(zhuǎn)而專注于產(chǎn)品多元化和差異化,主要在深耕汽車和工業(yè)市場。但是有選擇地布局獨(dú)立電子市場,這是因?yàn)槟軌蛱峁┎町愋苑浅?qiáng)的產(chǎn)品。

          結(jié)語
          現(xiàn)階段我們看到制造業(yè)格局發(fā)生了變化,市場集中度不高了,但這并不是讓大家感到擔(dān)心的事情。大型的半導(dǎo)體廠將會(huì)自我調(diào)節(jié)。ST的策略源于社會(huì)大趨勢(shì),運(yùn)營模式是IDM,且在歐洲和亞洲都擁有重要的基礎(chǔ)設(shè)施,并且正在世界各地部署自己的技術(shù)創(chuàng)新中心和應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室。因此放眼一家全球性國際半導(dǎo)體公司,除了擁有多元化的半導(dǎo)體產(chǎn)品,并專注于固有市場(如汽車和工業(yè)市場)。未來也必將考慮市場格局的變化,且不會(huì)與世界脫鉤。



          關(guān)鍵詞: CMOS FinFET ST

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