意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節(jié)省空間，簡化電路設計。

IGBT驅(qū)動器STGAP2HD 和SiC MOSFET驅(qū)動器STGAP2SICD 利用意法半導體最新的電隔離技術(shù)，采用SO-36W 寬體封裝，能夠耐受6kV瞬變電壓。此外，±100V/ns dv/dt 瞬變耐量可防止在高電噪聲工況下發(fā)生雜散導通現(xiàn)象。這兩款驅(qū)動器都提供最高4A的柵極控制信號，雙輸出引腳為柵極驅(qū)動帶來更多靈活性，支持開通和關斷時間單獨調(diào)整。有源米勒鉗位功能可防止柵極在半橋拓撲快速換向過程中出現(xiàn)尖峰電壓。

電路保護功能包括過熱保護、安全操作看門狗，每個通道都有欠壓鎖定 (UVLO)機制，防止驅(qū)動器在危險的低效模式下啟動。按照 SiC MOSFET的技術(shù)要求，STGAP2SICD 提高了 UVLO的閾值電壓，以優(yōu)化晶體管的能效。

每款器件都有一個在雙低邊不對稱半橋應用中同時開通兩個通道的iLOCK 引腳和防止在傳統(tǒng)的半橋電路中出現(xiàn)直通電流的互鎖保護機制。這兩款驅(qū)動器在高壓軌上的額定電壓都達到 1200V，輸入到輸出傳播時間為 75ns，PWM控制精度很高。

意法半導體的新雙通道電流隔離柵極驅(qū)動器具有專用的關斷引腳和制動引腳，以及待機省電引腳，目標應用包括電源、電機、變頻器、焊機和充電器。此外，輸入引腳兼容最低3.3V的TTL和 CMOS 邏輯信號，以簡化驅(qū)動器與主微控制器或DSP處理器的連接。

STGAP2HD 和 STGAP2SICD 現(xiàn)已投產(chǎn)。EVALSTGAP2HDM 和 EVALSTGAP2SICD演示板也已上市，用于快速評估驅(qū)動器在驅(qū)動半橋功率級時的驅(qū)動特性。