基于差分信號調(diào)理芯片JHM1101的變送電路設(shè)計(jì)
0 引言
JHM1101是一款針對差分電阻橋式或半橋式傳感器信號設(shè)計(jì)的高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器,可通過單線接口提供數(shù)字或模擬的測量輸出信號,為傳感器提供便捷、準(zhǔn)確的測量結(jié)果。該芯片提供模擬和數(shù)字型輸出方式,比如rail-to-rail輸出,0~1 V輸出,數(shù)字信號輸出、PWM輸出。在工業(yè)類應(yīng)用中,(4~20) mA型的電流是最常用的輸出方式,對此本文描述了應(yīng)用JHM1101實(shí)現(xiàn)此電流輸出的方法及參考設(shè)計(jì)。
1 電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
基于JHM1101的(4~20)mA輸出變送電路如圖1所示,其中U2就是JHM1101芯片,直接與傳感器連接。在保證SENSOR、U1、U2總工作電流不超過3.5 mA的前提下,通過這個(gè)V/I 電路可以實(shí)現(xiàn)將電壓型校準(zhǔn)輸出轉(zhuǎn)變成(4~20) mA的電流型輸出。為了將輸出電流控制得比較小,電阻RDD和ROUT的阻值需要是10:1的比例關(guān)系,并且RDD的阻值應(yīng)該在MΩ級別。U1建議選用5 V低功耗rail-to-rail型的儀表放大器,如OPA337。穩(wěn)壓二極管ZD2在VDD端提供電壓保護(hù)。Q2是N溝道的JFET管,用于將電源電壓穩(wěn)定到5 V,型號建議選擇MMBF4393。Q1是NPN型的三極管,選型時(shí)需要考慮它承受的耐壓值與功率,建議選擇BCX56。
依圖1的電流輸出與JHM1101的電壓的關(guān)系式ICL=f (VOUT)如式1。
其中定義
這樣輸出電流就可以表示為:
圖1中各個(gè)電阻值為RSENS=50 Ω,RDD=1.2 MΩ,ROUT=120 kΩ,RBACK=24 kΩ,芯片的供電電壓VDD=5 V,那么Gain=0.2 mA,Offset=2 mA。也就是說輸出電流與電壓構(gòu)成的關(guān)系式如下:ICL=0.2 × VDAC[%] + 2當(dāng)期望的電流輸出范圍是(4~20) mA時(shí),那么根據(jù)上式,可計(jì)算出VDAC范圍為10%~90%。
由于此電路采用了后端電流溫度補(bǔ)償方法,所以RE、RSENS、ROUT、RBACK、RDD阻值精度在1%以內(nèi),溫漂在100PPM以內(nèi)就可以了。在更高的精度及溫漂要求下,可以提高這幾個(gè)元件的精度。
2 濾波網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)
為確保輸入信號盡可能沒有噪聲,在傳感器輸出與JHM1101輸入引腳間放置1個(gè)低通濾波網(wǎng)絡(luò),如圖2所示。
此輸入濾波器同時(shí)具有共模組件和差模組件。由于傳感器電壓信號是直流信號,為減弱任何可能出現(xiàn)的交流噪聲,這個(gè)低通濾波器的截止頻率可以設(shè)置為1個(gè)非常低的值。
此濾波器的截止頻率公式定義:
R6=R7;R0=R6+ RB;C5=C7;C6=10×C5
將此差模濾波器的截止頻率設(shè)定為fC_DIFF=40 Hz,可以有效地消減全部差模交流噪聲。共模濾波器的截止頻率應(yīng)至少設(shè)定為10倍頻,以避免將共模噪聲(如50 Hz噪聲)轉(zhuǎn)換為JHM1101差分輸入信號。這里假設(shè)使用陶瓷芯體,其橋阻一般為10 kΩ左右,這里RB取值為10 kΩ。根據(jù)所需要的差模濾波器截止頻率,只須v計(jì)算出R6和C5的數(shù)值,因?yàn)镃6共模濾波電容為C5的10倍。在這里C5取電容器的常用值10 nF,通過下面的公式算出R6的數(shù)值:
將C5=10 nF和fC_DIFF=23 Hz代入上式,得出R6的理想值為:
R0=18.94 kΩ
R6= R7= R0- RB=8.94 kΩ
通過這個(gè)理想值,選擇10 kΩ這個(gè)常用電阻作為標(biāo)準(zhǔn)值,使用R6=10 kΩ和C5=10 nF濾波器的最終截止頻率為:
fC_DIFF=37.89 Hz
fC_CM=1 591 Hz
在大多數(shù)應(yīng)用時(shí),低通濾波截止頻率不需要十分精確。所以C5、C6、C7電容值達(dá)到10%的精度,R6、R7電阻值達(dá)到1%的精度就可以了。在要求很高精度的應(yīng)用中,例如需要更精確的低通濾波截止頻率,可以提高這幾個(gè)元件的精度。
3 外部保護(hù)電路
為了確保模塊在操作人員的誤操作和極端惡劣的環(huán)境下不損壞,在模塊的電流出入端增加了外部的保護(hù)電路,如圖3所示。
2個(gè)高壓低容量電容C1、C2提供1個(gè)高頻干擾對大地的通道,還可抑制分布電容的影響。2個(gè)磁珠F1、F2在臨界交流頻率時(shí),呈高阻抗,并且提供低直流電阻。C1、C2、F1、F2相互配合,可提供EMI的保護(hù)。
1個(gè)肖特基二極管D1和1個(gè)雙向TVS二極管提供ESD、EFT和浪涌保護(hù)。BAS170WS保證在電源連接極性相反時(shí),不會有電流經(jīng)過電流環(huán)路。這個(gè)肖特基二極管針對電壓在70 V以內(nèi)的極性保護(hù)。這個(gè)模塊電流環(huán)路設(shè)計(jì)的最高電壓是30 V,所以ZD1選用一個(gè)擊穿電壓稍高于30 V的雙向TVS管。選擇ZD1時(shí)還需注意,它的漏電電流不應(yīng)超過5 μA,否則會對電流的輸出結(jié)果產(chǎn)生影響。
電路的入口處的電容C3為去耦電容,這個(gè)電容可以保證在長線的感性負(fù)載下,電路不震蕩。
電容C1、C2需要有一個(gè)高耐壓值和小電容值,這里選擇耐壓值為1 kV,電容量為10 nF的貼片電容。磁珠F1、F2需要有一個(gè)在高頻時(shí)的較高電阻和直流的低阻值,這里選擇MMZ1608Y152B磁珠。TVS二極管ZD1需要選擇擊穿電壓稍高于30 V,又能經(jīng)受大電流瞬間沖擊,和1 nS以內(nèi)響應(yīng)速度,這里選擇SMBJ30CA。C3的選擇主要考慮耐壓值及電容值,這里選擇耐壓值50 V,電容值為100 nF的貼片電容。
4 電路校準(zhǔn)原理
實(shí)際電路電阻的阻值總是存在著誤差,因此第2節(jié)中的電流與電壓的關(guān)系式就構(gòu)成如下關(guān)系式:
為實(shí)現(xiàn)更高精度,在校準(zhǔn)過程中需要增加1個(gè)校準(zhǔn)電路步驟,目的是要計(jì)算出上式中的ΔGain , ΔOffset ,進(jìn)而計(jì)算出實(shí)際電壓輸出值。校準(zhǔn)步驟如下。
1) 由第二節(jié)中的公式,根據(jù)電流輸出,計(jì)算出2個(gè)理論的電壓輸出百分比值;
2) 控制JHM1101的DAC輸出,使之輸出相應(yīng)的百分比對應(yīng)電壓;
3) 采集對應(yīng)的兩個(gè)電路電源端實(shí)際電流;
4) 計(jì)算出ΔGain , ΔOffset ;
5) 將計(jì)算出的ΔGain , ΔOffset 代入公式,計(jì)算出電流輸出實(shí)際應(yīng)該對應(yīng)的電壓輸出;
6) 將實(shí)際電壓輸出百分比作為電橋輸出期望值,再進(jìn)行傳感器的校準(zhǔn)操作。
5 電流溫度補(bǔ)償原理
在實(shí)驗(yàn)過程中,即使RSENS、ROUT、RBACK、RDD這4個(gè)電阻精度達(dá)到0.1%,溫度系數(shù)達(dá)到10-5以內(nèi),使用普通前端補(bǔ)償方法校準(zhǔn)出的電流輸出信號依然溫漂很大。
這是因?yàn)殡娏鬏敵龅臏囟绕坪蚏SENS、ROUT、RBACK、RDD的溫度系數(shù)及JHM1101內(nèi)部R_trim的校準(zhǔn)精度都有關(guān)系,使得難以補(bǔ)償出全溫區(qū)溫漂達(dá)到0.5%以內(nèi)的變送器,現(xiàn)在使用電流溫度補(bǔ)償方法可以很好地解決這種問題。
電流溫度補(bǔ)償方法比較簡單分成以下4步實(shí)現(xiàn)。
1) 在常溫下,校準(zhǔn)出(4~20) mA信號,得到Gain_B和Offset_B兩個(gè)參數(shù)。
2) 將(4~20) mA的電流信號變換成百分比數(shù)據(jù)。
3) 采集低溫和高溫的電流信號,并變換成百分比數(shù)據(jù)。
4) 通過校準(zhǔn)算法計(jì)算出TC_g、TC_o、SOT等參數(shù),完成溫度甚至二階補(bǔ)償。
6 PCB電路板設(shè)計(jì)
這個(gè)設(shè)計(jì)可以采用圓形雙層PCB(印制板),直徑為20 mm,如圖4所示。這個(gè)尺寸的PCB在變送器設(shè)計(jì)中很常見,稍加改動(dòng)就可以輕松實(shí)現(xiàn)實(shí)際應(yīng)用。由于PCB尺寸較小,所以元件的放置就比較緊密,JHM1101由于可能使用內(nèi)部溫度傳感器所以和測溫二極管及低通濾波元件放置于底層,也就是最靠近傳感器的位置。V/I轉(zhuǎn)換及外部保護(hù)元件則放置于頂層。PCB板實(shí)物如圖5所示。
圖4 PCB布局布線
圖5 PCB板實(shí)物
為了防止浪涌帶來的電磁干擾,接地電容C1、C2和ZD1貼近電流出入口P2放置。Sensor信號到低通濾波器和JHM1101輸入腳的走線盡量做到最短,避免模擬信號的連線引入噪聲。調(diào)試口連線需遠(yuǎn)離模擬信號,防止串?dāng)_。去耦電容C4、C8放置在非??拷嚓P(guān)電源引腳的位置上。雙面大面積覆銅提供非常低的對地阻抗,必要時(shí)可增加過孔連接雙側(cè)的覆銅,可以減小電流流過單個(gè)過孔時(shí)產(chǎn)生的電磁干擾。
Q1的內(nèi)部功耗產(chǎn)生的熱量會導(dǎo)致環(huán)境溫度變化,這個(gè)溫度變化會導(dǎo)致RSENS、ROUT、RBACK、RDD的阻值和JHM1101精度發(fā)生變化,所以Q1擺放盡可能遠(yuǎn)離RSENS、ROUT、RBACK、RDD和JHM1101。在圖5的PCB布局布線圖中可以發(fā)現(xiàn),Q1除遠(yuǎn)離對溫度敏感元件擺放外,在它們之間還開了熱隔離槽,盡可能地降低Q1發(fā)熱對模塊精度的影響。
7 測試結(jié)果
至此,基于JHM1101的(4~20) mA輸出變送電路設(shè)計(jì)完成。還需要說明的是供電電壓與負(fù)載關(guān)系,如圖6所示,以及電路上電的穩(wěn)定時(shí)間,如圖7所示。
圖7 上電輸出穩(wěn)定時(shí)間測試圖
由此設(shè)計(jì)可得出較為理想的測試數(shù)據(jù),以下為使用陶瓷壓阻芯體,在25 ℃下單溫度點(diǎn)校準(zhǔn)后,在25 ℃和85 ℃下的測試數(shù)據(jù),提供給大家參考。
1)25 ℃時(shí)的測試數(shù)據(jù)
2)85 ℃的測試數(shù)據(jù)
經(jīng)過測試,在25~85 ℃溫區(qū)內(nèi),搭配陶瓷壓阻芯體,此電路可以達(dá)到1%FS以內(nèi)的精度(包括陶瓷壓阻芯體的溫漂),符合設(shè)計(jì)要求。
(本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2020年9月期)
評論