UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/202205/434156.htmUnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過更高性能的第四代器件擴(kuò)充了 1200V 產(chǎn)品系列，為工程師將總線設(shè)計(jì)電壓提高到 800V 提供了有力支持。在電動汽車中，這種電壓升高無法避免；這些新器件支持四種不同的 RDS(on)（漏源導(dǎo)通電阻）等級，有助于設(shè)計(jì)師為每項(xiàng)設(shè)計(jì)選擇合適的 SiC 器件?！?/p>
以下 SiC FET 出色的品質(zhì)因數(shù)展現(xiàn)了全新 UF4C/SC 系列的性能優(yōu)勢：
品質(zhì)因數(shù) | 數(shù)值 |
RDS(on) ? A | 1.35 mOhm-cm2 |
RDS(on) ? Eoss | 0.78 Ohm-uJ |
RDS(on) ? Coss,tr | 4.5 Ohm-pF |
RDS(on) ? Qg | 0.9 Ohm-nC |
所有 RDS (on) 選項(xiàng)（23、30、53 和 70 毫歐）都采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 4 引腳開爾文源極 TO-247 封裝，以更高的性能水平提供更清潔的開關(guān)。53 和 70 毫歐的器件也可采用 TO-247 三引腳封裝。該系列器件采用先進(jìn)的銀燒結(jié)芯片貼裝和晶圓減薄工藝，通過良好的熱性能管理實(shí)現(xiàn)了出色的可靠性。
此外， FET-Jet Calculator? 免費(fèi)在線設(shè)計(jì)工具支持所有 1200V SiC FET；可以即時(shí)評估在各種 AC/DC 和隔離式/非隔離 DC/DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中所用器件的效率、組件損耗和結(jié)溫上升指標(biāo)。 它可以在用戶指定的散熱條件下比較單個(gè)和并聯(lián)器件，以獲取優(yōu)化解決方案。
全新 1200V 第四代 SiC FET 售價(jià)（1000 件起，美國離岸價(jià)）為 5.71 美元 (UF4C120070K3S) 到 14.14 美元 (UF4SC120023K4S) 。 所有器件均通過授權(quán)經(jīng)銷商銷售。
Qorvo 的碳化硅和電源管理產(chǎn)品面向工業(yè)、商業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的充電、驅(qū)動和控制應(yīng)用。
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