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          一種應(yīng)用于折疊/插值型ADC的高速寬帶采樣保持電路

          作者:鐘科1,張正平2(1,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十九研究所,成都 610000;2,重慶吉芯科技有限公司,重慶 400060) 時(shí)間:2022-05-29 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏
          編者按:本文提出了一種基于0.18 μm BiCMOS工藝設(shè)計(jì)的開(kāi)環(huán)采樣保持電路,采用了增益和失調(diào)誤差數(shù)字校準(zhǔn)算法提升動(dòng)態(tài)性能,應(yīng)用于高速折疊/插值型ADC中。電路仿真和測(cè)試結(jié)果表明,在2GSPS采樣率下,折疊/插值型ADC的DNL≤±0.3LSB、INL≤±0.3LSB,有效位達(dá)到7.32位。

          近20 年來(lái),隨著數(shù)字通信的快速發(fā)展,處于信號(hào)鏈路中的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的作用就越來(lái)越重要。其中超高速寬帶ADC 可廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星、雷達(dá)、電子戰(zhàn)、數(shù)字示波器、通信等接收機(jī)領(lǐng)域[1,2]。傳統(tǒng)高速8位ADC 一般采用全并行結(jié)構(gòu),盡管該結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換速度快,但電路規(guī)模隨分辨率n 呈2n 指數(shù)增長(zhǎng)[3,4],且功耗大。折疊/ 插值型結(jié)構(gòu)ADC 利用折疊與插值轉(zhuǎn)換關(guān)系,可大大減少并行比較器數(shù)量,同時(shí)轉(zhuǎn)換速率與全并行結(jié)構(gòu)相當(dāng)。但是,即使采用雙極工藝,折疊結(jié)構(gòu)電路依然受器件失配影響很大,幸運(yùn)的是可以采用前端算法來(lái)降低器件失配對(duì)電路性能的影響。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202205/434595.htm

          折疊/ 插值型ADC 的器件失配可以用前端算法進(jìn)行修正,但要校準(zhǔn)動(dòng)態(tài)的時(shí)鐘抖動(dòng)誤差則需付出極大代價(jià)。因此,折疊/ 插值型ADC 的前端一般采用高速寬帶采樣保持電路(S/H),可以有效降低采樣時(shí)鐘抖動(dòng)影響。本文提出的一種基于0.18 μm BiCMOS工藝設(shè)計(jì)的,采用簡(jiǎn)易的算法即可大大降低電路的增益誤差與失調(diào)誤差。電路仿真與實(shí)際測(cè)試表明,通過(guò)數(shù)字校準(zhǔn)采樣保持電路增益與失調(diào)誤差后,ADC 的動(dòng)態(tài)性能可提升10 dB 以上。

          1   采樣保持電路設(shè)計(jì)

          采樣保持電路的采樣率達(dá)到2GSPS,所以S/H 電路采用開(kāi)環(huán)結(jié)構(gòu)。如圖1 所示,S/H 電路系統(tǒng)由采樣保持級(jí)(SH)電路和放大與驅(qū)動(dòng)級(jí)(AMP)電路組成。

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          在SH 級(jí),電路采用偽差分結(jié)構(gòu),然后在AMP 級(jí)中轉(zhuǎn)換成差分信號(hào)來(lái)提高抗干擾能力。模擬輸入信號(hào)Vin 被采集并保持,由于SH 級(jí)電路采用開(kāi)環(huán)結(jié)構(gòu)以及電路帶寬影響,SH 級(jí)電路的放大倍數(shù)小于“1”。AMP級(jí)電路對(duì)SH 級(jí)輸出的保持信號(hào)進(jìn)行放大,使S/H 電路系統(tǒng)的信號(hào)放大倍數(shù)剛好為“1”。此外,AMP 級(jí)電路不僅具有強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)后級(jí)較大規(guī)模折疊電路的能力,還起到消除后級(jí)電路對(duì)采樣保持轉(zhuǎn)換時(shí)帶來(lái)的饋通效應(yīng),提升S/H 電路采樣轉(zhuǎn)換時(shí)的線性度。

          2   SH級(jí)電路設(shè)計(jì)

          為了消除SH 級(jí)電路輸入對(duì)管電流隨輸入信號(hào)變化帶來(lái)的影響,本設(shè)計(jì)中輸入管采用PMOS管代替雙極管。SH 級(jí)電路如圖2 所示。由于電路的采樣率高達(dá)2GSPS,所以采用開(kāi)環(huán)結(jié)構(gòu),盡可能提高電路轉(zhuǎn)換速度。在SH級(jí)輸出端加入一個(gè)幾十歐姆小電阻,用來(lái)調(diào)整采樣/ 保持轉(zhuǎn)換過(guò)程中建立信號(hào)的過(guò)沖效應(yīng),以便獲得最快轉(zhuǎn)換速度。SH 級(jí)電路的帶寬BW 如式(1)所示。

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          式(1)中,RL是SH級(jí)電路輸出端電阻,CL是SH級(jí)電路輸出端電容。為了保證模擬輸入頻率高達(dá)2.5 GHz時(shí),電路的無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍(SFDR)超過(guò)65 dB,則保持電容值必須小于0.8 pF。采用小保持電容值可以提升采樣保持電路帶寬,同時(shí)會(huì)降低采樣相時(shí)SH 級(jí)電路的線性度。但是,保持相時(shí)要提升電路線性度則需要加大采樣保持電容值。此外,增加保持電容值可以減小采樣轉(zhuǎn)換時(shí)對(duì)保持電壓的干擾。綜合考慮[5],采樣保持電容值選擇0.5 pF。

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          3   AMP級(jí)電路設(shè)計(jì)

          放大驅(qū)動(dòng)級(jí)電路的作用是把SH 級(jí)輸出的偽差分信號(hào)變化真正的差分信號(hào),并驅(qū)動(dòng)后級(jí)折疊轉(zhuǎn)換電路。AMP 級(jí)采用一個(gè)簡(jiǎn)單的開(kāi)環(huán)放大器,如圖3 所示。SH級(jí)電路的增益為a1;放大器單元由Q11,Q12,M6 andM8 組成,其增益為a2;用于調(diào)整增益的電阻R5 與R6之間比值(R5/R6)為a3;輸出管Q17 與Q18 的增益為a4。那么整個(gè)采樣保持電路的增益如式(2)表達(dá):

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          在a1,a2,a4 隨工藝及環(huán)境偏差而變化的情況下,可以通過(guò)調(diào)節(jié)R5/R6 的比值,使采樣保持電路的增益剛好為1。在Q17 與Q18 的基極處加入數(shù)字控制電路control A 與control B(control A 與control B 相同),分別調(diào)節(jié)流過(guò)電阻R5 與R7 的電流。數(shù)字控制電路如圖4 所表,采用8 位倒R-2R 網(wǎng)絡(luò)D/A 結(jié)構(gòu)。采樣保持電路輸出電壓由R5? Iout (R7 = R5) 進(jìn)行調(diào)節(jié)失調(diào)電壓。當(dāng)采樣保持電路的增益小于“1”時(shí),同時(shí)調(diào)節(jié)controlA 與control B,并使流過(guò)電阻R5 與R7 的電流減小,直到整個(gè)ADC 系統(tǒng)剛好達(dá)到滿度為止,此調(diào)節(jié)動(dòng)作都是在系統(tǒng)自校正過(guò)程中完成;反之亦然。

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          在圖4 中,最大權(quán)重?cái)?shù)字碼D1 控制開(kāi)關(guān)S1。如果D1 為“1”,S1 右開(kāi)關(guān)導(dǎo)通;如果D1 為“0”,S1 左開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。同樣地,D2 控制S2,D3 控制S3……D8 控制S8。通過(guò)DAC網(wǎng)絡(luò)控制流過(guò)R5的電流表達(dá)式如式(3)所示:

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          4   版圖設(shè)計(jì)與電路測(cè)試

          設(shè)計(jì)的采樣保持電路的版圖如圖5 所示。

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          圖5 S/H電路版圖

          在模擬信號(hào)輸入頻率992 MHz、輸入幅度500 mVpp,采樣率2GSPS 條件下對(duì)版圖進(jìn)行后仿真,后仿結(jié)果如圖6 所示,SFDR 為65 dB,滿足ADC 設(shè)計(jì)要求。

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          圖6 S/H電路版圖后仿結(jié)果

          基于0.18 μm BiCMOS 工藝設(shè)計(jì)的高速寬帶采樣保持電路應(yīng)用于8 位高速ADC 中,ADC 版圖面積5.256 mm×5.168 mm,如圖7 所示。

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          圖7 8位ADC照片圖

          8 位高速ADC 的模擬輸入帶寬超過(guò)2 GHz, 在2GSPS 采樣率、50 MHz 模擬輸入頻率下,如采樣保持電路不采用數(shù)字校準(zhǔn),則ADC 的有效位只有6 位;如采用數(shù)字校準(zhǔn),ADC 的有效位可提升到7.4 位。在2GSPS 采樣率、484MHz 模擬輸入頻率下,啟動(dòng)數(shù)字校準(zhǔn),ADC 實(shí)測(cè)微分非線性DNL ≤ ±0.3LSB、積分非線性INL ≤ ±0.3LSB,如圖8 所示。ADC 的SFDR 達(dá)到52 dB,如圖9 所;有效位為7.32 位。

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          圖9 Fin=484MHz, Fs=2GSPS下ADC的SFDR

          5   結(jié)論

          本文提出的基于0.18 μm BiCMOS 工藝設(shè)計(jì)的高速寬帶采樣保持電路,成功應(yīng)用于8 位高速折疊/ 插值A(chǔ)DC 中,大大提升了ADC 的動(dòng)態(tài)性能與輸入帶寬。該采樣保持電路用開(kāi)環(huán)結(jié)構(gòu),工作轉(zhuǎn)換速率超過(guò)2GSPS,利用增益與失調(diào)數(shù)字校準(zhǔn)算法提升電路的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能。ADC 電路測(cè)試結(jié)果優(yōu)異,表明設(shè)計(jì)的高速寬帶采樣保持電路滿足要求。

          參考文獻(xiàn):

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          [2] FLYNN M P,SHEAHAN B.A 400-Msample/s,6-b CMOS Folding and Interpolating ADC[J].IEEE Journal of Solid- State Circuit,1998,33(12):1932.

          [3] LEE D, SONG J,SHIN J,et al.Design of a 1.8V 8-bit 500MSPS Folding-Interpolation CMOS A/D Converter with a Folder Averaging Technique[C].18th European Conference on Circuit Theory Design,2007:356.

          [4] ALI A M, MORGAN A,DILLON C,et al.A 16 b 250MS/s IF-sampling pipelined A/D converter with background calibration[C].IEEE International Solid-State Circuit Conference Digest of Technical Papers,2010:292.

          [5] CHU M, JACOB P,KIM J-W,LeRoy M R,et al.A 40Gs/s Time Interleaved ADC Using SiGe BiCMOS Technology[J]. IEEE Jouurnal of Solid-State Circuit,2010,45(2):380.

          (本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2022年5月期)



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