宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（EPC2066），為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。

全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司 為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN^?）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。

EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換器次級(jí)側(cè)的理想開關(guān)器件。它也是電源供電和銀盒數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中次級(jí)側(cè)同步整流至12 V的理想器件，而且適用于24 V~32V的高密度電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管可在高頻工作、具有高效率和13.9mm2的超小尺寸等優(yōu)勢(shì)，可以實(shí)現(xiàn)最高功率密度。

EPC2066的設(shè)計(jì)與EPC第4代產(chǎn)品EPC2024兼容。第五代產(chǎn)品在面積乘以導(dǎo)通電阻方面的改進(jìn)使EPC2066在相同面積下的導(dǎo)通電阻降低了27%。

EPC公司的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow說(shuō)："在以上提及的導(dǎo)通電阻條件下，EPC2066的尺寸要比市場(chǎng)上任何其他場(chǎng)效應(yīng)晶體管都要小得多。它與較早前推出的EPC2071匹配，用于高功率密度計(jì)算應(yīng)用的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器?！?/p>

參考設(shè)計(jì)

EPC9174參考設(shè)計(jì)板是一個(gè)1.2kW、48 V輸入、12V輸出的LLC轉(zhuǎn)換器。它采用EPC2071作為初級(jí)側(cè)全橋器件和EPC2066作為次級(jí)側(cè)器件。在22.9 mm x 58.4 mm x 10 mm的小尺寸內(nèi)，實(shí)現(xiàn)1 MHz的開關(guān)頻率和1.2 kW的功率（功率密度為1472 W/in³）。550 W時(shí)的峰值效率為97.3%，12 V時(shí)的滿載效率為96.3%，可提供100 A輸出功率。

EPC2066用卷帶包裝，以1000片為單位批量購(gòu)買，每片價(jià)格為3.75美元。EPC9174開發(fā)板的單價(jià)為780美元，可從Digi-Key立即發(fā)貨。

有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設(shè)計(jì)人員可使用 EPC GaN Power Bench 的交叉參考工具，根據(jù)您所需的特定工作條件，我們會(huì)推薦合適的替代方案。