日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣萩生田光一（Koichi Hagiuda）今天在華盛頓的記者會(huì)指出，美日已決定成立一個(gè)新的聯(lián)合國(guó)際半導(dǎo)體研究中心。

路透社報(bào)導(dǎo)，美日在經(jīng)濟(jì)會(huì)談中同意，將共同研發(fā)次世代半導(dǎo)體，以建立這種重要組件一個(gè)安全的來(lái)源。

美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多（Gina Raimondo）表示，雙方今天深入討論「有關(guān)日本和美國(guó)如何進(jìn)行合作，尤其是在先進(jìn)半導(dǎo)體方面」。

「日經(jīng)亞洲」（Nikkei Asia）稍早報(bào)導(dǎo)，日本將于今年底之前與美國(guó)合作開(kāi)設(shè)一個(gè)次世代2奈米芯片研發(fā)中心，這是兩國(guó)致力建構(gòu)安全芯片供應(yīng)鏈行動(dòng)的一環(huán)。

美日計(jì)劃研究尖端2奈米半導(dǎo)體，能以更少電力發(fā)揮更高效能。這個(gè)研發(fā)中心將具備原型生產(chǎn)線，目標(biāo)是最早于2025年開(kāi)始在國(guó)內(nèi)量產(chǎn)。