據(jù)“中國電科”報道，國內(nèi)高能離子注入機核心技術(shù)難關(guān)得到突破！由中國電科所屬北京爍科中科信設(shè)備研發(fā)團隊自主研制的國內(nèi)首臺高能離子注入機已順利進駐國內(nèi)先進集成電路大生產(chǎn)線。

作為集成電路芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備，離子注入機設(shè)備的研制難度極大、研制基礎(chǔ)薄弱，其應(yīng)用也非常廣泛，不僅可以用做大規(guī)模集成電路和器件和半導(dǎo)體材料的離子注入，還能用于金屬材料表面改性和制膜等方面。

其中，低能大束流離子注入機被應(yīng)用于制程邏輯、DRAM、3D存儲器和CIS芯片制造中，高能離子注入機則較多應(yīng)用在功率器件、IGBT、5G射頻、CIS、邏輯芯片等器件制備過程中。

據(jù)悉，高能離子注入機是離子注入機中技術(shù)難度最大的機型，被認(rèn)為是離子注入機研發(fā)領(lǐng)域公認(rèn)的“珠穆朗瑪峰”，是我國集成電路制造裝備產(chǎn)業(yè)鏈上亟待攻克的關(guān)鍵一環(huán)。

“中國電科”消息指出，北京爍科中科信設(shè)備研發(fā)團隊實現(xiàn)了中束流、大束流、高能、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等全譜系離子注入機自主創(chuàng)新發(fā)展，大幅縮小了與國際一流水平差距