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          “未來芯片“——硅光子技術(shù)

          作者:ZongYu 時間:2022-12-30 來源:EEPW 收藏

          近期,隨著芯片代工巨頭和先進(jìn)制程領(lǐng)跑者臺積電宣布聯(lián)手英特爾押注芯片,這種被業(yè)內(nèi)人士普遍好看的“未來芯片”,芯片進(jìn)入了大眾的視野。雖說目前看來硅光芯片也許在未來一段時間內(nèi)不會全面代替?zhèn)鹘y(tǒng)的芯片,但是在領(lǐng)域,很可能是未來的主流產(chǎn)品類型。特別是對于我國來說,在先進(jìn)制程的芯片制造領(lǐng)域頻頻被西方世界“卡脖子”的情況下,芯片很有可能是繞過光刻機(jī),實現(xiàn)換道超車的“出路”之一。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202212/442238.htm

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          縱觀芯片發(fā)展的歷史,總是離不開一個人們耳熟能詳?shù)母拍睢澳柖伞?。即:集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過18個月到24個月便會增加一倍。換言之,處理器的性能大約每兩年翻一倍,同時價格下降為之前的一半。但是隨著芯片制程的不斷進(jìn)步,單個元器件越來越小,逐漸逼近物理極限,摩爾定律似乎不太好用了,芯片內(nèi)部的互連線引起的各種微觀效應(yīng)成為影響芯片性能的重要因素,而芯片互連是目前的技術(shù)瓶頸之一,就好比我們的公路當(dāng)路的寬度逐漸逼近上面行駛的汽車,這路會越來越難以在上面行駛。當(dāng)芯片越做越小時,互聯(lián)線也需要越來越細(xì),互連線間距縮小,電子元件之間引起的各種量子效應(yīng)也會越來越影響電路的性能。

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          摩爾定律基本預(yù)測了幾十年來的發(fā)展

          那么,到底什么是硅光子芯片呢?顧名思義,硅光子芯片就是利用硅光技術(shù)實現(xiàn)的一種基于硅光子學(xué)的低成本、高速的光技術(shù),利用基于硅材料的CMOS微電子工藝實現(xiàn)光子器件的集成制備。被業(yè)界認(rèn)為是是延續(xù)摩爾定律發(fā)展的技術(shù)之一。常見的互連線材料諸如鋁、銅、碳納米管等,而這些材質(zhì)的互連線無疑都會遇到物理極限,而光互連則不然。硅光子技術(shù)采用的基礎(chǔ)材料是玻璃。由于光對于玻璃來說是透明的,不會發(fā)生干擾現(xiàn)象,因此理論上可以通過在玻璃中集成光波導(dǎo)通路來傳輸信號,很適合于計算機(jī)內(nèi)部和多核之間的大規(guī)模。在光互連中,最大的優(yōu)勢就是其超高速的傳輸速度,可使處理器內(nèi)核之間的數(shù)據(jù)傳輸速度快100倍甚至更高,功率效率也非常高,因此被認(rèn)為是新一代技術(shù)。但是,作為下一代的技術(shù),其技術(shù)本身的起步卻很早就開始了。早在上世紀(jì)九十年代,就提出了有關(guān)的一些概念,是為了在芯片發(fā)展到物理極限后取而代之,以延續(xù)摩爾定律。21世紀(jì)初開始,以Intel和IBM為首的企業(yè)與學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)就開始重點發(fā)展硅芯片光學(xué)信號傳輸技術(shù),期望有朝一日能用光通路取代芯片之間的數(shù)據(jù)電路。

          目前來看,硅光芯片主要有三大優(yōu)勢:集成度高、成本下降潛力大、波導(dǎo)傳輸性能優(yōu)異。首先,對于硅光芯片來說,其襯底依舊是目前最成熟的硅,但是芯片間的互連采用更加緊湊的光來完成,與傳統(tǒng)方案相比,硅光子技術(shù)具有更高的集成度及更多的嵌入式功能,有利于提升芯片的集成度;其次,硅光子芯片的基礎(chǔ)材料不需要傳統(tǒng)先進(jìn)芯片的GaAs/InP襯底,只需要硅基材料即可,一旦大規(guī)模生產(chǎn),芯片成本將會得以大幅降低;最后,硅的禁帶寬度為1.12eV,對應(yīng)的光波長為1.1μm。因此,硅對于1.1-1.6μm的通信波段(典型波長1.31μm/1.55μm)是透明的,具有優(yōu)異的波導(dǎo)傳輸特性。此外,硅的折射率高達(dá)3.42,與二氧化硅可形成較大的折射率差,確保硅波導(dǎo)可以具有較小的波導(dǎo)彎曲半徑。

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          還有一點很值得注意,就是對于我國目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說,硅光子芯片有它獨有的優(yōu)勢——可以避開先進(jìn)光刻機(jī)的掣肘。雖然它在制作流程和復(fù)雜程度上同傳統(tǒng)芯片相似,但是它對于制程工藝的先進(jìn)程度要求不高,不像傳統(tǒng)芯片那樣制程和能效的關(guān)聯(lián)性巨大,一般百納米級的工藝水平就能滿足硅光子芯片的要求,這對于我國來說,120納米左右的芯片是完全可以自主生產(chǎn)的,這樣就可以繞開先進(jìn)制程工藝的限制,在未來實現(xiàn)換道超車。

          在未來硅光芯片的應(yīng)用場景也十分廣闊,特別是在智能駕駛和量子通信領(lǐng)域,硅光芯片都有這很大的潛力。先說在智能駕駛方面,目前在高速發(fā)展并且應(yīng)用廣發(fā)的車載激光雷達(dá)技術(shù)(LiDAR)各位車主估計已經(jīng)見怪不怪了。車載激光雷達(dá)技術(shù)需要多路激光發(fā)射和接收,所以對于多路信號控制十分依賴,這恰恰是硅光芯片的優(yōu)勢,高度集成性和電光效應(yīng)相位調(diào)諧能力使得它非常適宜在車載激光雷達(dá)上取代傳統(tǒng)芯片得以應(yīng)用。目前有MIT、OURS等多個團(tuán)隊推出基于硅光的車載激光雷達(dá)產(chǎn)品,隨著無人駕駛、輔助駕駛應(yīng)用逐步成熟,LiDAR有望成為硅光重要應(yīng)用領(lǐng)域。

          如果說在智能駕駛方面,硅光芯片的優(yōu)勢還不算明顯,那在量子通信方面就是硅光芯片的主場了。眾所周知,量子通信的前提是制造糾纏態(tài)的光子并對其操縱控制,這是對于光的把握是硅光芯片最擅長的領(lǐng)域,北大團(tuán)隊2018年3月在Science上發(fā)表了基于硅光的量子糾纏芯片的設(shè)計。在其中我們看到了量子通信在未來的軍事、金融、數(shù)據(jù)中心加密等保密領(lǐng)域有著顛覆性的優(yōu)勢,而基于硅光的量子通信芯片有望成為未來重要的技術(shù)方案。就目前而言,硅光子技術(shù)商業(yè)化較為成熟的領(lǐng)域主要在于數(shù)據(jù)中心、高性能數(shù)據(jù)交換、長距離互聯(lián)、5G基礎(chǔ)設(shè)施等光連接領(lǐng)域,800G及以后硅光模塊性價比較為突出。在可預(yù)見的未來,硅光芯片將支撐大型數(shù)據(jù)中心的高速信息傳輸,LightCounting預(yù)測2022年800G光模塊會逐步起量,預(yù)計到2024年規(guī)模將超過400G光模塊市場,達(dá)70億美元。

          說了這么多硅光子技術(shù)的優(yōu)勢,這項技術(shù)有沒有缺點呢?當(dāng)然世界上沒有十全十美的事物,要是硅光子技術(shù)是完美的,那么我們現(xiàn)在大規(guī)模普及的就應(yīng)該是硅光芯片了。那么對于硅光子技術(shù),它最大的問題就在于硅光子芯片需要的器件多,而且目前仍有很多相關(guān)技術(shù)難題未解決:如陶瓷套管/插芯、光收發(fā)接口等組件技術(shù)目前尚未完全掌握。由此帶來了種種問題,比如硅光芯片的制造工藝面臨著自動化程度低、產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)不統(tǒng)一;硅光芯片目前沒有適合的封裝方式,從光學(xué)封裝角度來說,因為硅光芯片所采用的光的波長非常的小,跟光纖存在著不匹配的問題,與激光器也存在著同樣的問題;不匹配的問題就會導(dǎo)致耦合損耗比較大,這是目前行業(yè)的一大痛點。

          但是,隨著先進(jìn)制程工藝的發(fā)展空間越來越小,摩爾定律逐漸失效,越來越多的公司開始投入硅光芯片的研制工作,就比如文章開頭提到的臺積電和英特爾,雖然就目前的技術(shù)來看,指望硅光子技術(shù)徹底取代傳統(tǒng)芯片不太可能,但是光硅子技術(shù)某些特定領(lǐng)域(比如文中提到的量子通信和智能駕駛)的潛力巨大,甚至?xí)蔀槲ㄒ坏倪x擇。但是,最后筆者也想引用電學(xué)之父“邁克爾·法拉第“的一句話來做結(jié)尾:”一個剛剛出生的嬰兒有什么用呢?“




          關(guān)鍵詞: 硅光子 通信 半導(dǎo)體

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