碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過(guò) 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢(shì)是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。

一、前言

碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過(guò) 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢(shì)是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。

二、碳化硅產(chǎn)品特點(diǎn)

碳化硅(SiC)具有寬禁帶(Si的3倍)、高熱導(dǎo)率(Si的3.3倍)、高的臨界擊穿電場(chǎng)(Si的10倍)、高飽和電子遷移率(Si的2.5倍)以及高健合能等優(yōu)點(diǎn)，這就使得碳化硅材料可以很好地適用于高性能(高頻、高溫、高功率、抗輻射)電子器件。高的熱導(dǎo)率有利于大功率器件的熱耗散和高密度集成，高的載流子飽和遷移速率可以使之應(yīng)用于高速開(kāi)關(guān)器件；高的臨界位移能使碳化硅器件的抗輻射性能優(yōu)于Si器件。

主要性能：

?極小的反向恢復(fù)電荷可降低開(kāi)關(guān)損耗；

?出色的熱管理可降低冷卻要求；

?Vce(sat)正溫度系數(shù)易并聯(lián)；

?低VF，高浪涌電流耐量；

?符合軍工民用考核標(biāo)準(zhǔn)：GJB 7400-2011，器件參數(shù)一致性較好;

三、碳化硅在光伏逆變器的應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種非常適合電力應(yīng)用的半導(dǎo)體，這主要?dú)w功于它能夠承受高電壓，比硅可使用的電壓高十倍?；谔蓟璧陌雽?dǎo)體具有更高的熱導(dǎo)率、更高的電子遷移率和更低的功率損耗；從而碳化硅(SiC)二極管已經(jīng)進(jìn)入迅速擴(kuò)張的太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng)，尤其是在歐洲已經(jīng)意識(shí)到了太陽(yáng)能的優(yōu)點(diǎn)，正在推動(dòng)商業(yè)和個(gè)人使用太陽(yáng)能，將太陽(yáng)光輻射能直接轉(zhuǎn)換為電能的一種新型發(fā)電系統(tǒng)，為了最大限度利用太陽(yáng)能，用碳化硅二極管的光伏逆變器更加具有較高的效率和可靠性。

四、光伏逆變器的拓?fù)渚€路

五、瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管產(chǎn)品推薦

（來(lái)源：RS瑞森半導(dǎo)體）