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          鎧俠和西部數(shù)據(jù)宣布推出 218 層 3D NAND 閃存

          作者:遠(yuǎn)洋 時間:2023-03-31 來源:IT之家 收藏

          IT之家 3 月 31 日消息,公司近日宣布了他們最新的 3D 閃存技術(shù),該技術(shù)具有超高的容量、性能和可靠性,同時價格合理。該技術(shù)采用了先進(jìn)的縮放和晶圓鍵合技術(shù)的成果,旨在滿足各行各業(yè)快速增長的數(shù)據(jù)市場的需求。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202303/445165.htm

          Kioxia and Western Digital Announce 218-layer 3D Flash Memory | TechPowerUp

          據(jù)公司的技術(shù)與戰(zhàn)略高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹,兩家公司的合作和研發(fā)投入使他們能夠提前完成這項基礎(chǔ)技術(shù)的產(chǎn)品化,并提供高性能和資本效率的解決方案。通過引入多項獨特的工藝和架構(gòu),降低了成本,實現(xiàn)了持續(xù)的橫向縮放進(jìn)步,并在更少的層數(shù)和更優(yōu)化的成本下提高了單個芯片的容量。

          鎧俠和西部數(shù)據(jù)宣布推出 218 層 3D NAND 閃存

          據(jù)IT之家了解,兩家公司引入的突破性創(chuàng)新之一是 CMOS 直接鍵合到陣列(CBA)技術(shù)。每個 CMOS 晶圓和單元陣列晶圓分別在其最佳狀態(tài)下制造,然后鍵合在一起,以提供更高的比特密度和更快的 NAND I / O 速度。

          其 NAND I / O 速度超過 3.2Gb / s,比上一代提高了 60%,同時寫入性能提高了 20%,讀取延遲降低了 20%,將為用戶帶來更快速和便捷的體驗。

          這種先進(jìn)的工程合作伙伴關(guān)系促成了第八代 BiCS FLASH 的成功推出,該閃存擁有業(yè)界最高的位密度。目前已開始向部分客戶提供樣品,未來將用于一系列以數(shù)據(jù)為中心的應(yīng)用,包括智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心。



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