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          高效邊緣計(jì)算解決方案:研華工業(yè)內(nèi)存SQRAM DDR5 5600系列

          作者: 時(shí)間:2023-11-02 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          推出 SQRAM DDR5 5600 系列。該系列緊跟計(jì)算機(jī)內(nèi)存全新風(fēng)潮,支持DDR5,數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)5600MT/s。SQRAM 5600 系列的速度快如閃電,帶寬從 8GB 到 48GB 甚至更高,數(shù)據(jù)傳輸速率驚人,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。此外,它還經(jīng)過嚴(yán)格的實(shí)驗(yàn)室測試,支持 -40 ~ 95 °C 的寬溫工作范圍,以確保產(chǎn)品運(yùn)行過程穩(wěn)定可靠。這些特性使 SQRAM DDR5 5600 系列成為多任務(wù)和數(shù)據(jù)密集型系統(tǒng),如高端醫(yī)學(xué)成像、AI和機(jī)器學(xué)習(xí)以及邊緣服務(wù)器系統(tǒng)的理想選擇。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202311/452432.htm

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          5600 MT/s超高速度, 24GB&48GB超大容量

          對于大多數(shù)工業(yè)應(yīng)用而言,追求更快、更高效的性能以及高速度和大容量仍然是重中之重。SQRAM DDR5 5600 系列采用第 13 代 Intel? Core? 處理器,提供高達(dá)5600MT/s 的傳輸性能。此外,經(jīng) AIDA64 Memory Benchmark v6.70 測試,讀/寫速度比 上一代4800MT/s 提高了 20%。

          該內(nèi)存架構(gòu)的帶寬比 DDR4 提高了 50%,隨著每個(gè) CPU 內(nèi)核數(shù)的不斷增加,效率也得到了提高,有助于緩解每個(gè)處理器內(nèi)核帶寬緊張的問題。此外,新的 DDR5-5600 DIMM 具有 24GB 和 48GB 容量,采用 3Gbx8 IC(比前代的 2Gbx8 IC 有所升級),提供了更大的容量和更高的成本效益,可同時(shí)運(yùn)行多個(gè)應(yīng)用程序,而不必?fù)?dān)心內(nèi)存資源耗盡。

          工業(yè)級寬溫&針對惡劣環(huán)境的定制服務(wù)

          由于電子設(shè)備的工作環(huán)境和應(yīng)用多種多樣,因此,對于在具有挑戰(zhàn)性環(huán)境的關(guān)鍵應(yīng)用來說,寬溫 DRAM 是必不可少的。

          SQRAM DDR5 5600 支持 -40~95 °C 的超寬溫工作。寬溫解決方案確保 DDR5 5600 適用于室外高低溫環(huán)境,因?yàn)闃O端溫度對傳統(tǒng)內(nèi)存解決方案來說是一個(gè)挑戰(zhàn)。此外,SQRAM 還具有其他應(yīng)對惡劣環(huán)境的突出設(shè)計(jì),如抗硫化、底部填充、保形涂層和 SPD 寫入保護(hù),以應(yīng)對具有挑戰(zhàn)性的環(huán)境,確保產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性和耐用性。

          支持智能管理軟件SQRAM Manager & DeviceOn

          SQRAM 系列產(chǎn)品自帶軟件 SQRAM Manager & DeviceOn,可實(shí)時(shí)監(jiān)控 DRAM,提供包括動態(tài)緩存速度、實(shí)時(shí)工作溫度在內(nèi)的有用信息,并提供高級過熱警報(bào),告知用戶內(nèi)存系統(tǒng)的運(yùn)行健康狀況。為了保持系統(tǒng)性能的穩(wěn)定性,研華獨(dú)特的軟件靈活地支持每臺設(shè)備的云遠(yuǎn)程控制模式和內(nèi)部版本,您可以從研華網(wǎng)站下載。

          研華SQRAM DDR5 5600內(nèi)存系列產(chǎn)品特點(diǎn):

          ●   超高速:5600MT/s

          ●   可用容量: 8/16/24/32/48/64/128GB

          ●   兼容第 13 代 Intel? Core? 處理器

          ●   工作溫度范圍: 0 ~ 95 °C (Tc) / -40 ~ 95 °C (Tc)

          ●   1.1V 低電壓,功耗更低,能效更高

          ●   30μ" 金手指接口,抗氧化,使用壽命更長

          ●   采用原裝優(yōu)質(zhì)DRAM芯片(三星、鎂光、海力士)

          ●   支持SQRAM 軟件 - 實(shí)時(shí)監(jiān)控/過熱警報(bào)功能

          ●   抗硫化 / 底部填充 / 保形涂層 / SPD 寫保護(hù),提供定制服務(wù)

          ●   終身保固

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          圖示 研華SQRAM DDR5 5600內(nèi)存系列

          研華SQRAM DDR5 5600將于 2023 年第四季度上市。如需了解更多信息,請咨詢研華嵌入式專線:400-001-9088.



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