色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲 > 編輯觀點(diǎn) > 你所需要知道的HBM技術(shù)

          你所需要知道的HBM技術(shù)

          作者:ZongYu 時間:2023-12-22 來源:EEPW 收藏

          在2024年即將到來之際,多家機(jī)構(gòu)給出預(yù)測,認(rèn)定生成式將成為2024年的增長重點(diǎn)之一?;仡?023年,年初的ChatGPT引爆了今年的生成式熱潮,不僅僅是下游市場的應(yīng)用,這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域,根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測,2023年和2024年,AI服務(wù)器將有38%左右的增長空間。隨著等AI芯片走向高峰的同時,也極大帶動了市場對新一代內(nèi)存芯片(高帶寬內(nèi)存)的需求。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202312/454189.htm

           

          是何方神圣?

           

          首先,我們先來了解一下什么是。HBM全稱為High Bandwich Memory,直接翻譯即是高帶寬內(nèi)存,是一款新型的CPU/內(nèi)存芯片。其實(shí)就是將很多個芯片堆疊在一起后和封裝在一起,實(shí)現(xiàn)大容量、高位寬的組合陣列。這么說可能有一些不明所以,簡單來講,如果說傳統(tǒng)的內(nèi)存芯片是一層的平房結(jié)構(gòu),那么采用了HBM結(jié)構(gòu)的內(nèi)存就是現(xiàn)代化的摩天大樓,占地面積不變的基礎(chǔ)上,向3維高度發(fā)展,從而可實(shí)現(xiàn)了更高的性能和帶寬。

          image.png

           

          我們以上圖中AMD專為AI訓(xùn)練打造的旗艦GPU MI300X為例,彩色部分是GPU單元,而兩側(cè)就是AMD為其配備的8個HBM 3堆棧,每個堆棧為 12-Hi,同時集成了 16 Gb IC,每個 IC 為 2 GB 容量或每個堆棧 24 GB。

          我們不難發(fā)現(xiàn),隨著AI應(yīng)用的越來越廣泛,HBM的相關(guān)應(yīng)用也是越來越多,需求水漲船高,這篇文章就帶各位讀者介紹一下HBM相關(guān)知識,讓各位大致了解一下,為什么我們的AI需要HBM。

          在文章開頭筆者就說明了簡單來講,HBM技術(shù)就是把傳統(tǒng)的DDR內(nèi)存從“平房”改成了“樓房”。從土木工程的角度來看,建一個樓房可要比建一個平房要困難很多,從底層地基到布線都需要重新設(shè)計。而同樣地,作為微觀結(jié)構(gòu)上的“樓房”,想要實(shí)現(xiàn)將DDR蓋成樓房的HBM技術(shù)也是困難重重。

          image.png 

          使得HBM技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)的是基于TVS技術(shù)的3D封裝技術(shù)的成熟,對于封裝技術(shù)的闡述,各位讀者感興趣可以移步筆者之前寫過的另一篇文章:

          從2D到3D:半導(dǎo)體封裝工藝與DTCO

          本篇就不再過多贅述,在這篇文章中,筆者來簡單說明一下HBM中的TVS技術(shù)的應(yīng)用。

          首先,在這個由DRAM組成的微觀“大樓”中,DRAM被堆疊在一起,并且每個DRAM芯片之間使用TVS(Transient Voltage Suppressor)連接方式進(jìn)行連接。在DRAM下方是DRAM邏輯控制單元,該單元負(fù)責(zé)對DRAM進(jìn)行控制。GPU與DRAM之間通過uBump和Interposer(一種具有互聯(lián)功能的硅片)進(jìn)行連接。Interposer再通過Bump與Substrate(封裝基板)連接,最終連接到BGA(球柵陣列)BALL上。最后,BGA BALL連接到PCB(印刷電路板)上。就如下圖所示:

          image.png 

          得益于這種堆棧結(jié)構(gòu),HBM通過中介層實(shí)現(xiàn)緊湊而快速的連接,節(jié)省了94%的表面積,其具備的特性幾乎與芯片集成的RAM相同,可實(shí)現(xiàn)更多的IO數(shù)量。此外,HBM重新調(diào)整了內(nèi)存的功耗效率,使每瓦帶寬比GDDR5高出3倍以上,這意味著功耗降低了3倍以上。

           

          為什么AI需要HBM?

           

          為了回答這個問題,我們需要先認(rèn)識到另一個現(xiàn)實(shí):為什么GPU相比CPU更加適合AI訓(xùn)練?

          我們可以舉一個有趣的例子:

          CPU是一個多才多藝的博士,但通常都是獨(dú)自工作或最多與幾個博士伙伴一起(多核心多線程)。有一天,操作系統(tǒng)帶來一個新任務(wù),列出了一系列的簡單的百以內(nèi)加減乘除運(yùn)算。CPU看到這個任務(wù)感到雖然簡單,但是自己一個人一道一道算,有些吃力。這時,顯卡找上門來,告訴CPU說:“CPU,我這里有幾百個只會做加減乘除的小學(xué)生(GPU核心),他們做得又快又準(zhǔn)。你可以指揮他們來做,這樣會輕松很多。” CPU覺得這個主意不錯,于是顯卡就把那本冊子拿走了,并讓那幾百個孩子開始工作,任務(wù)很快就完成了。沒過多久,操作系統(tǒng)又來了,手里拿著一本新冊子。CPU一看,封面寫著“AI訓(xùn)練”。他心里有些不安,不知道這次又是什么新挑戰(zhàn)。他打開冊子一看,還是那些加減乘除的運(yùn)算。

          從上述的這個小故事中,我們可以簡單總結(jié)一下GPU更適合訓(xùn)練AI的主要原因,主要有這兩點(diǎn):首先,GPU具備強(qiáng)大的并行計算能力,使其能夠同時處理多個任務(wù),從而加速AI模型的訓(xùn)練過程;其次,GPU的顯存相較于CPU的系統(tǒng)內(nèi)存在處理大規(guī)模數(shù)據(jù)時更為高效,這使得GPU能夠更有效地處理AI訓(xùn)練所需的大量數(shù)據(jù)。

          image.png 

          回答本節(jié)之中所提出的問題,為什么AI需要HBM技術(shù)呢?HBM可以為顯卡帶來更大的顯存容量和顯存?zhèn)鬏攷?,而一旦GPU擁有更高的內(nèi)存帶寬和更大的顯存容量,這就會使得它能夠更快地讀取和寫入數(shù)據(jù),提高數(shù)據(jù)吞吐量。對于處理大規(guī)模數(shù)據(jù)的AI任務(wù)來說,這是非常重要的。因此HBM技術(shù)所帶來的顯存性能的顯著提升,對于顯卡完成AI任務(wù)來說十分重要。

          不僅如此,在深度學(xué)習(xí)中,需要頻繁地訪問內(nèi)存進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。GPU通過HBM技術(shù)獲得得更高的內(nèi)存帶寬和更快的內(nèi)存訪問速度,就能夠更快地進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,提高計算效率。此外,HBM帶來的更大容量顯存也可以使得GPU在AI任務(wù)中能夠處理更大規(guī)模的數(shù)據(jù)集和模型,在如今生成式AI向著越來越大數(shù)據(jù)規(guī)模的方向發(fā)展之中,起到了重要的支持作用。

           

          HBM技術(shù)的演進(jìn)

           

          在HBM技術(shù)的開發(fā)過程中,有兩個廠商功不可沒,它們就是AMD和。一些信息表明,AMD在2009年就意識到DDR的局限性并產(chǎn)生開發(fā)堆疊內(nèi)存的想法,后來其與SK聯(lián)手研發(fā)HBM。并于2013年,推出了首款HBM1技術(shù)的顯卡,即Radeon R9 290X。這款GPU采用了4顆HBM芯片,總?cè)萘繛?GB,可以提供更高的顯存帶寬和更高的內(nèi)存容量,從而提高了GPU的性能和效率。不僅如此,這項(xiàng)全新技術(shù),還被定為JESD235行業(yè)標(biāo)準(zhǔn):HBM1的工作頻率約為1600 Mbps,漏極電源電壓為1.2V,芯片密度為2Gb(4-hi),具有4096bit的帶寬,遠(yuǎn)超過了GDDR5的512bit。

          可以說在當(dāng)時,認(rèn)定了這才是未來的顯存,但是AMD卻在2016年發(fā)布完產(chǎn)品后完全轉(zhuǎn)向,近乎放棄了HBM。唯一仍然保留HBM技術(shù)的是用于AI計算的加速卡。因此,在第二代HBM技術(shù)問世的2016年,這個賽道中變成了海力士和新加入的三星之間的對決。

          2016年1月,三星宣布開始量產(chǎn)4GB HBM2 DRAM,并在同一年內(nèi)生產(chǎn)8GB HBM2 DRAM;2017年下半年,被三星趕超的SK海力士開始量產(chǎn)HBM2;2018年1月,三星宣布開始量產(chǎn)第二代8GB HBM2"Aquabolt";2019年8月,SK海力士宣布成功研發(fā)出新一代"HBM2E";2020年2月,三星也正式宣布推出其16GB HBM2E產(chǎn)品"Flashbolt",于2020年上半年開始量產(chǎn);到了2022年,JEDEC組織正式發(fā)布了新一代高帶寬內(nèi)存HBM3的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,這一新標(biāo)準(zhǔn)在存儲密度、帶寬、通道、可靠性、能效等各個層面都進(jìn)行了擴(kuò)充和升級。JEDEC表示,HBM3是一種創(chuàng)新的方法,是更高帶寬、更低功耗和單位面積容量的解決方案。對于那些需要處理大量數(shù)據(jù)和高數(shù)據(jù)速率的應(yīng)用場景來說,HBM3十分重要,比如圖形處理和高性能計算的服務(wù)器。

          從HBM1到HBM3,SK海力士和三星一直是HBM行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。而對于AMD來說,可謂是起了個大早,趕了個晚集。AMD既沒有憑借HBM在游戲顯卡市場中反殺英偉達(dá),反而被英偉達(dá)利用HBM鞏固了AI計算領(lǐng)域的地位,煞是可惜。

           

          HBM領(lǐng)域市場分析

           

              在本文開頭筆者就已經(jīng)提到,生成式AI的火熱同時也帶動了HBM領(lǐng)域的熱度,那就有必要在年末之時粗略向各位讀者分析一下目前以及未來HBM市場的競爭格局。

          調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢也指出,預(yù)估2023年全球HBM需求量將年增近六成,來到2.9億GB,2024年將再增長三成。2023年HBM將處于供不應(yīng)求態(tài)勢,到2024年供需比有望改善。據(jù)其他權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測,預(yù)計 2024 年隨著各原廠 積極擴(kuò)產(chǎn)的效果顯現(xiàn),HBM 供需比有望獲改善,預(yù)估將從 2023 年的-2.4%,轉(zhuǎn)為 0.6%。而從各產(chǎn)品的占比來看,2023 年主流 HBM 需求從 HBM2E 升級為 HBM3 甚至 HBM3E,HBM3 需求比重預(yù)估約為 39%,較 2022 年提升超 30%,并在 2024 年達(dá)到 60%,屆時份額比重也將超過 HBM2E。

          目前,HBM的平均售價至少是DRAM的三倍,而由于ChatGPT的拉動和產(chǎn)能不足的限制,HBM的價格一路上漲,與性能最高的DRAM相比,HBM3的價格上漲了五倍。而在即將到來的2024年,可以預(yù)見的是高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片將成為主流,這進(jìn)一步推動了HBM市場的增長。根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù),2022年全球HBM容量約為1.8億GB,2023年增長約60%達(dá)到2.9億GB,2024年將再增長30%。如果以HBM每GB售價20美元進(jìn)行測算,2022年全球HBM市場規(guī)模約為36.3億美元。預(yù)計到2026年,市場規(guī)模將達(dá)到127.4億美元,對應(yīng)年復(fù)合增長率(CAGR)約為37%。

          而其市場格局也將形成三足鼎力的形勢。海力士作為將HBM技術(shù)最早商業(yè)化的廠商將繼續(xù)領(lǐng)先,而三星將緊隨其后,2023年海力士和三 星的 HBM 份額占比約為 46-49%,而的份額將下降至 4%-6%,并在 2024 年進(jìn) 一步壓縮至 3%-5%。

           

          image.png 

           

          在這三家爭霸的局勢之中,科技由于起步較晚,在2022年僅僅占據(jù)了HBM市場份額的10%,而未來還有繼續(xù)下降的趨勢。最近的科技財報電話會議數(shù)據(jù)顯示,美光的DRAM業(yè)績明顯不如SK海力士和三星。美光2024財年的資本支出預(yù)計將比2023財年略有增長,不過WFE支出將再次同比下降。

          image.png 

           

          在美光2023年第四季度的DRAM收入顯示,美光的DRAM收入增長率僅為3%,明顯低于競爭對手。而考慮到采用了HBM技術(shù)的DRAM價格約為普通DRAM的7倍,而美光的DRAM業(yè)務(wù)僅僅微漲了3%。在業(yè)內(nèi),美光是首家拿出HBM3e樣品的公司,其性能和能效在業(yè)內(nèi)均處于行業(yè)領(lǐng)先地位。其技術(shù)能力于其他在HBM領(lǐng)域的競爭對手相比并不落下風(fēng)。因此筆者認(rèn)為,美光的HBM產(chǎn)品在客戶接受度上,還有很高的提升空間。

          image.png 

          未來進(jìn)入2024年,有權(quán)威機(jī)構(gòu)分析表示:美光科技在HBM方面將繼續(xù)面臨逆風(fēng)。SK海力士是全球唯一一家大規(guī)模生產(chǎn)HBM3的公司,并為英偉達(dá)獨(dú)家供應(yīng)H100 Tensor Core GPU。美光公司也表示自己將要推出的HBM3 Gen2產(chǎn)品將有更好的性能,其預(yù)計引腳速度將超過9.2GB/s。但是隨著海力士與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合之下,這對于美光來說,2024年的HBM領(lǐng)域也是面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)的一年。

           

          但是面對逆境挑戰(zhàn),美光CEO Mehrotra樂觀表示:“這就是創(chuàng)建人工智能軟件的計算機(jī)所需要的超快訪問芯片類型。AI給我們所帶來的高營收、高利潤機(jī)會才剛剛開始?!?/p>

          而HBM技術(shù)在國內(nèi)發(fā)展,整體上并不樂觀,目前HBM相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈布局相對較小,只有一些企業(yè)涉及封測領(lǐng)域。在國內(nèi)涉及HBM產(chǎn)業(yè)鏈的公司主要包括雅克科技、中微公司、和拓荊科技等公司。其中,雅克的子公司UP Chemical是SK海力士的核心供應(yīng)商,為其提供HBM前驅(qū)體。

          在更遠(yuǎn)的未來,預(yù)計AI的浪潮還將繼續(xù)愈演愈烈,而HBM今后的存在感或許會越來越強(qiáng)。據(jù)semiconductor-digest預(yù)測,到2031年,全球高帶寬存儲器市場預(yù)計將從2022年的2.93億美元增長到34.34億美元,在2023-2031年的預(yù)測期內(nèi)復(fù)合年增長率為31.3%。筆者相信,HBM技術(shù)將在很長一段時間中都會是AI硬件領(lǐng)域的重要技術(shù),隨著越來越多的廠商入局HBM,HBM一定會受到持續(xù)的關(guān)注和更快的發(fā)展。




          關(guān)鍵詞: HBM DDR AI GPU 美光 海力士

          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉