MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．

如果上管和下管同時(shí)導(dǎo)通，就會(huì)導(dǎo)致電源短路，ＭOS 管會(huì)損壞，甚至?xí)r電源損壞，這種損壞是災(zāi)難行動(dòng)，必須避免．由于MOS 的開通和關(guān)斷都是有時(shí)沿的，為了避免上管和下管同時(shí)導(dǎo)通，造成短路現(xiàn)象，從而引入了死區(qū)的概念，也就是上下管同時(shí)關(guān)斷的區(qū)間，如圖Figure2 中的E 和 F.

死區(qū)E---tDf: 上管關(guān)斷，下管還沒開啟，下管體二極管續(xù)流，電流從最大值Io + ΔI/2 開始下降，由于死區(qū)時(shí)間很短，工程上計(jì)算可以近似為死區(qū)E的電流恒定，以方便計(jì)算。

死區(qū)Ｅ對(duì)應(yīng)的功耗為：

死區(qū)Ｆ---tDr: 下管關(guān)斷，上管還沒開啟，下管體二極管續(xù)流，電流接近最小值Io - ΔI/2 ，由于死區(qū)時(shí)間很短，工程上計(jì)算可以近似為死區(qū)F的電流恒定，以方便計(jì)算。

死區(qū)Ｆ對(duì)應(yīng)的功耗為：

工程上快速估算時(shí)，也會(huì)用把兩個(gè)死區(qū)的電流平均化，近似用Io替代，　一個(gè)完整的開關(guān)周期的死區(qū)損耗如下：