IT之家 2 月 8 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞近日報道，晶圓代工企業(yè)力積電計劃今年上半年與日企 Power Spin 達成合作，目標 2029 年實現(xiàn) MRAM 內(nèi)存量產(chǎn)。雙方的合作中，Power Spin 將提供 MRAM 相關(guān) IP 授權(quán)，力積電進行進一步的量產(chǎn)化研發(fā)和試產(chǎn)，最終達到量產(chǎn)目標。

▲ 力積電商標

據(jù)了解，Power Spin 由日本東北大學(xué)于 2019 年成立，持有 STT-MRAM 相關(guān)技術(shù)。

▲ Power Spin 商標

MRAM 內(nèi)存是一種非易失性內(nèi)存，其在擁有高速讀寫性能的同時可在斷電下保存數(shù)據(jù)；而且 MRAM 的耗電量相較現(xiàn)有內(nèi)存也更少，理論上可低至 1/100。不過 MRAM 也面臨多重自身問題：成本過高、耐用性與可靠性仍需進一步驗證。

在生成式 AI 浪潮來襲的今天，數(shù)據(jù)中心需求大量內(nèi)存，能耗優(yōu)異的 MRAM 因此成為密切關(guān)注對象，相關(guān)需求增加。日經(jīng)認為，這是力積電找上 Power Spin 合作的重要背景原因。

力積電計劃使用在日合資公司的二期生產(chǎn)線生產(chǎn) MRAM 內(nèi)存，以推動這一新型內(nèi)存的普及。該合資公司由力積電與日本 SBI 控股于去年成立，計劃總投資 8000 億日元（IT之家注：約合 388 億人民幣）在日本建設(shè)兩期生產(chǎn)線，首期將于 2027 年建成投產(chǎn)，二期則預(yù)估 2029 年投入使用。

MRAM 現(xiàn)已成為半導(dǎo)體代工業(yè)界的前沿?zé)狳c：三星之前宣布計劃 2026 年量產(chǎn) 8nm 車用 eMRAM；臺積電近期也表示下一代 SOT-MRAM 內(nèi)存研發(fā)成功。Ever Spin 首席技術(shù)官遠藤哲郎稱，MRAM 內(nèi)存市場規(guī)模已于 2022 年達到 300 億日元（約合 14.6 億人民幣）。