美光表示24年和25年大部分時間的高帶寬內(nèi)存已售罄
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美光目前在高帶寬內(nèi)存市場上處于劣勢，但看起來情況正在迅速變化，因為該公司表示其 HBM3E 內(nèi)存供應(yīng)已售罄，并分配到 2025 年的大部分時間。目前，美光表示其HBM3E將出現(xiàn)在英偉達的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計算，因此美光似乎準備搶占相當(dāng)大的HBM市場份額。
圖片來源：美光
“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經(jīng)售罄，我們 2025 年的絕大部分供應(yīng)已經(jīng)分配完畢，”美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財報電話會議準備的講話中表示?！拔覀兝^續(xù)預(yù)計 HBM 比特份額相當(dāng)于 2025 年某個時候的整體 DRAM 比特份額?！?/p>
美光最初的 HBM3E 堆棧是 24 GB 8Hi 模塊，數(shù)據(jù)傳輸速率為 9.2 GT/s，每臺設(shè)備的峰值內(nèi)存帶寬超過 1.2 TB/s。其中六個堆棧將用于 Nvidia 的 H200 GPU for AI 和 HPC，總共可實現(xiàn) 141 GB 的高帶寬內(nèi)存。由于美光是第一家開始商業(yè)化出貨HBM3E的公司，因此它將出售一船HBM3E封裝。
Mehrotra表示：“我們有望在2024財年從HBM獲得數(shù)億美元的收入，并預(yù)計從第三財季開始，HBM的收入將增加我們的DRAM和整體毛利率。
美光負責(zé)人表示，它已經(jīng)開始對其 12-Hi HBM3E 立方體進行采樣，該立方體將內(nèi)存容量提高了 50%，從而能夠?qū)Ω蟮恼Z言模型進行 AI 訓(xùn)練。這些 36 GB HBM3E 立方體將用于下一代 AI 處理器，其產(chǎn)量將在 2025 年增加。
由于 HBM 的制造涉及專用 DRAM 的生產(chǎn)，因此 HBM 的產(chǎn)能提升將極大地影響美光為主流應(yīng)用制造 DRAM IC 的能力。
“HBM 產(chǎn)量的增加將限制非 HBM 產(chǎn)品的供應(yīng)增長，”Mehrotra 說。“從整個行業(yè)來看，HBM3E消耗的晶圓供應(yīng)量大約是DDR5的三倍，可以在同一技術(shù)節(jié)點中產(chǎn)生給定數(shù)量的比特?！?/p>
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