例：FDH45N50F如下參數(shù)：

有人可能會這樣計算：

開通電流

帶入數(shù)據(jù)得

關(guān)斷電流

帶入數(shù)據(jù)得

于是乎得出這樣的結(jié)論，驅(qū)動電流只需 250mA左右即可。仔細想想這樣計算對嗎？

這里必須要注意這樣一個條件細節(jié)，RG=25Ω。所以這個指標沒有什么意義。

應該怎么計算才對呢？其實應該是這樣的，根據(jù)產(chǎn)品的開關(guān)速度來決定開關(guān)電流。根據(jù)I=Q/t，獲得了具體MOS管Qg數(shù)據(jù)，和我們線路的電流能力，就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的時候，Qg=105nC。如果用1A的驅(qū)動能力去驅(qū)動，就可以得到最快105ns的開關(guān)速度。

當然這也只能估算出驅(qū)動電流的數(shù)值，還需進一步測試MOS管的過沖波形。在設(shè)計驅(qū)動電路的時候，一般在MOS管前面串一個10Ω左右的電阻（根據(jù)測試波形調(diào)整參數(shù)）。

這里要注意的是要用Qg來計算開啟關(guān)斷速度，而不是用柵極電容來計算。

下面講講MOS管開通過程

開始給MOS管Cgs充電，當電壓升到5V時，Id流過一定的電流。繼續(xù)充電，Id越來越大，但還沒完全導通。當Id升到最大電流時，Id不再變化，Cgs也不再變化。

這時輸入電壓不給Cgs充電，而是給Cgd米勒電容充電，然后MOS管完全導通。

MOS管完全導通之后，輸入電壓不再經(jīng)過米勒電容，又繼續(xù)給Cgs充電直到Vgs等于輸入電壓10V。

圖中Vgs輸入電壓保持不變即Qgd階段，輸入電壓不給Cgs充電，而是給Cgd米勒電容充電。這是MOS管固有的轉(zhuǎn)移特性。這期間不變的電壓也叫平臺電壓。

此時，MOS管的電流最大，電阻最大，根據(jù)P=I*I*R，此時管子消耗的功率最大，發(fā)熱最嚴重，所以盡可能讓平臺電壓工作的時間很短。

一般來說，耐壓等級越高，MOS管的輸入電容越大，反向傳輸電容Crss越小，米勒效應也相應減小。