英特爾宣布世界首臺(tái)商用 High NA EUV 光刻機(jī)完成組裝，計(jì)劃明年投入研發(fā)使用
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IT之家 4 月 19 日消息，英特爾今日宣布其已在位于美國(guó)俄勒岡州希爾斯伯勒的 Fab D1X 研發(fā)晶圓廠完成世界首臺(tái)商用 High NA（0.55NA） EUV 光刻機(jī)的組裝工作，目前已進(jìn)入光學(xué)系統(tǒng)校準(zhǔn)階段。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/202404/457820.htm
▲ 圖源英特爾新聞稿
這臺(tái)光刻機(jī)型號(hào) TWINSCAN EXE:5000，為 ASML 的首代 High NA EUV 光刻機(jī)，價(jià)值約 3.5 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 25.38 億元人民幣）。
就在不久前 ASML 宣布其在荷蘭埃因霍溫總部的另一臺(tái) High NA EUV 光刻機(jī)成功繪制了 10nm 線寬的密集線圖案。
英特爾表示 High-NA EUV 光刻機(jī)可擁有 1.7 倍于目前 0.33NA EUV 光刻機(jī)的一維密度，這意味著在二維尺度上可實(shí)現(xiàn) 190% 的密度提升。
采用 High-NA EUV 光刻機(jī)，可以更精細(xì)的尺度制造生產(chǎn)半導(dǎo)體，繼續(xù)推動(dòng)摩爾定律。
英特爾計(jì)劃從 2025 年的 18A 新技術(shù)驗(yàn)證節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，在先進(jìn)芯片開(kāi)發(fā)和制造中同時(shí)使用 0.55NA 和 0.33NA 的 EUV 光刻機(jī)。
此外英特爾還計(jì)劃購(gòu)買(mǎi)下一代 TWINSCAN EXE:5200B 光刻機(jī)，新機(jī)型晶圓吞吐量超過(guò)每小時(shí) 200 片。
不過(guò)根據(jù)IT之家此前報(bào)道，ASML 在 2021 年時(shí)對(duì)后 EXE:5000 產(chǎn)品的稱呼是 EXE:5200。暫不清楚 EXE:5200B 是 EXE:5200 的改名還是改進(jìn)型號(hào)。
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