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          石英晶體諧振器測(cè)試技巧

          作者: 時(shí)間:2024-05-06 來(lái)源: 收藏

          1.諧振器的工作原理

          的化學(xué)成分是二氧化硅,可以用做振蕩電路,是利用它的壓電效應(yīng)。當(dāng)交變電壓施加于石英晶片時(shí),晶片將隨交變電壓的頻率產(chǎn)生周期性的機(jī)械振動(dòng);同時(shí),機(jī)械振動(dòng)在晶片產(chǎn)生電荷而形成交變電流。一般來(lái)說(shuō),這種機(jī)械振動(dòng)的振幅很小,而振動(dòng)頻率很穩(wěn)定。但當(dāng)外加信號(hào)源的頻率與晶體的固有頻率相等時(shí),晶體便發(fā)生共振,此時(shí)晶體外電路的交變電流也最大,這個(gè)現(xiàn)象稱為的壓電諧振。因?yàn)榫w振蕩電路的頻率穩(wěn)定性很好,所以廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中,為其提供基準(zhǔn)時(shí)鐘。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202405/458328.htm

          2.石英晶體諧振器的頻率測(cè)試方法

          晶體的參數(shù)有很多,主要包括:振蕩頻率及其偏差、負(fù)載電容、驅(qū)動(dòng)功率、等效阻抗、Q值、工作溫度等,晶體振蕩電路最重要的就是保持工作在一個(gè)穩(wěn)定的頻率,所以本次討論的也是針對(duì)頻率的測(cè)試。
          先簡(jiǎn)單了解下面三種儀器:示波器、頻率計(jì)、頻譜分析儀。示波器作為“工程師的眼睛”,設(shè)定觸發(fā)條件后可以抓取到波形,然后針對(duì)采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行豐富的函數(shù)分析,其中一個(gè)函數(shù)就是測(cè)量頻率值。而頻率計(jì)顧名思義,是用來(lái)測(cè)試信號(hào)頻率的專業(yè)儀器,當(dāng)然也可以獲得信號(hào)的其他信息,例如信號(hào)的電平值。最后說(shuō)到的頻譜分析儀通常用在射頻領(lǐng)域,來(lái)觀察和分析被測(cè)信號(hào)的頻域特性,而我們常用其配合近場(chǎng)探頭來(lái)掃描電磁干擾的功率峰值以及找到其對(duì)應(yīng)的頻點(diǎn),初步判定輻射源屬性。 
          第一眼看上去這三種儀器用途各不相同,但其實(shí)都可以用來(lái)測(cè)試晶體振蕩電路的頻率。 
          如果使用示波器或者頻率計(jì),配合無(wú)源電壓探頭點(diǎn)測(cè)芯片的時(shí)鐘輸入引腳,就可以測(cè)量到頻率,如下是各部分的電路結(jié)構(gòu):
          晶體振蕩電路頻率測(cè)試電路結(jié)構(gòu)
          其中:
          C1、C2是晶體的負(fù)載電容,影響到頻率、負(fù)性阻抗等電路參數(shù)
          R3、C3是無(wú)源電壓探頭的電路參數(shù),R3是9Mohm,C3是幾個(gè)pF不等
          R4、C4是示波器或者頻率計(jì)輸入通道的等效阻抗和電容,R4是1Mohm,C4是幾十pF不等
          如果使用頻譜分析儀,配合近場(chǎng)探頭靠近晶體封裝外殼就可以探測(cè)到輻射功率峰值的頻率,這個(gè)頻率也是晶體電路的振蕩頻率。
          現(xiàn)在問(wèn)題的焦點(diǎn)并不是能否測(cè)試,而是哪一種儀器的測(cè)試結(jié)果更準(zhǔn)確 ?

          3.頻率測(cè)試準(zhǔn)確性的理論分析

          3.1測(cè)量?jī)x器對(duì)電路的影響

          如果使用示波器或者頻率計(jì),就需要無(wú)源電壓探頭配合測(cè)試,那么首先考慮的是儀器對(duì)負(fù)載電容的影響。晶體振蕩電路的并聯(lián)諧振頻率公式:
          并聯(lián)諧振頻率公式1
          并聯(lián)諧振頻率公式2
           
          ,其中:C1、C2是負(fù)載電容,Cs是印制板的寄生電容
          Cp是晶體的等效并聯(lián)電容
          從上面的電路結(jié)構(gòu)上看,C3、C4串聯(lián)后的電容會(huì)并聯(lián)到C1上,結(jié)果使負(fù)載電容量增大,最終導(dǎo)致振蕩頻率減小。而如果C3、C4的容值越小,對(duì)電路的影響也就越小。但限于目前的測(cè)試系統(tǒng),C3和C4串聯(lián)后的電容值是幾個(gè)pF的級(jí)別,而C1通常是20~30pF,所以儀器對(duì)負(fù)載電容量的影響在10%以上,最終會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生幾個(gè)ppm(單位,百萬(wàn)分之一)的頻率偏差,通常電路設(shè)計(jì)對(duì)晶體頻偏的要求是30ppm左右,所以這個(gè)影響還是不能忽視的。 
          但如果使用頻譜分析儀,配合近場(chǎng)探頭測(cè)試,因?yàn)閮H在空間上有電磁場(chǎng)的耦合,所以儀器的影響可以忽略。從這個(gè)角度上看,頻譜分析儀更適合測(cè)量晶體頻率。 

          3.2測(cè)量?jī)x器的測(cè)量頻率精度

          從下面兩個(gè)方面來(lái)分析儀器的哪些參數(shù)影響到測(cè)量精度

          • 內(nèi)部時(shí)鐘精度 

          不同測(cè)量?jī)x器的內(nèi)部時(shí)鐘精度 
          • 測(cè)量值分辨率 

          不同測(cè)量?jī)x器的測(cè)量值分辨率

          初步定性分析,頻率計(jì)作為專業(yè)測(cè)試設(shè)備,內(nèi)部時(shí)鐘精度不差,從定期的儀器校驗(yàn)結(jié)果看,精度高于1ppm,特別是它的分辨率12bit是非常高的;頻譜分析儀的時(shí)鐘精度看上去也可以,而且1Hz的分辨率滿足測(cè)試要求,但實(shí)際掃描到功率峰值的頻率是否穩(wěn)定還需要驗(yàn)證;而示波器的時(shí)鐘精度看上去與前兩者相差并不大,但需要考慮到:量化誤差(前端信號(hào)采集系統(tǒng)的8位ADC引起的信號(hào)幅度測(cè)量誤差)引起的垂直電平測(cè)量不準(zhǔn)確性,以及采樣率不足等因素都會(huì)引起水平軸的測(cè)量誤差,最終導(dǎo)致頻率值測(cè)量誤差,而且其分辨率情況需要實(shí)測(cè)驗(yàn)證。 
           

          4.頻率測(cè)試準(zhǔn)確性的實(shí)際驗(yàn)證

          4.1測(cè)量?jī)x器的設(shè)置

          現(xiàn)在以信號(hào)發(fā)生器的輸出作為參考基準(zhǔn),輸出頻率設(shè)置為24MHz,測(cè)量并計(jì)算各儀器測(cè)試的頻偏,判斷準(zhǔn)確性。 
          如下圖所示,信號(hào)源的CHA作為輸出,同軸線纜連接到示波器的CH2,兩者阻抗都設(shè)置為50ohm,保證特性阻抗連續(xù),然后使用近場(chǎng)探頭檢測(cè)輻射能量。

          信號(hào)發(fā)生器的設(shè)置


          在進(jìn)行頻率計(jì)相關(guān)測(cè)試時(shí),將上圖連接到示波器的同軸線纜一端連接到頻率計(jì)輸入端口即可;

          測(cè)試結(jié)果:

          不同測(cè)量?jī)x器的測(cè)量數(shù)據(jù)1

          分析:
          (1)頻率計(jì)和頻譜分析儀的測(cè)試結(jié)果都非常接近信號(hào)發(fā)生器的輸出頻率
          (2)示波器測(cè)量頻率的致命性缺陷是函數(shù)測(cè)量值的位數(shù)不不足,而且數(shù)值的波動(dòng)范圍很大,可以判斷不適合精確測(cè)試,它的作用應(yīng)該體現(xiàn)在觀察波形特征。
           

          頻譜儀測(cè)量結(jié)果
           
          示波器測(cè)量結(jié)果

          4.2產(chǎn)品主板上的24MHz晶體電路頻率實(shí)測(cè)


          頻譜分析儀測(cè)試環(huán)境,近場(chǎng)探頭靠近晶體封裝外殼。在使用示波器和頻率計(jì)時(shí),配合電容為3.9pF的無(wú)源電壓探頭,點(diǎn)觸晶體引腳測(cè)試。
          測(cè)試結(jié)果:

          不同儀器的測(cè)量數(shù)據(jù)2

          分析:
          (1)頻率計(jì)和頻譜分析儀的測(cè)試結(jié)果對(duì)比,前者數(shù)值小了5ppm左右,從趨勢(shì)上分析符合理論計(jì)算,因?yàn)轭l率計(jì)探頭電容的附加,必然會(huì)使晶體電路頻率減小。
          (2)示波器的測(cè)試結(jié)果仍然波動(dòng)很大,可以判斷不適合精確測(cè)試。

          4.3驗(yàn)證無(wú)源電壓探頭的電容分別為10pF、3.9pF兩種條件下,探頭對(duì)晶體頻偏的影響

          測(cè)試結(jié)果:

          不同儀器的測(cè)量數(shù)據(jù)3

          分析:
          理論計(jì)算電容越大,測(cè)試到的頻率越小,而實(shí)際測(cè)試結(jié)果10pF探頭也比3.9pF探頭的測(cè)試結(jié)果小6ppm左右,所以可以評(píng)估探頭上的這幾個(gè)pF的差別,對(duì)頻偏的影響還是很顯著的。 
          5總結(jié)
          (1)如果是進(jìn)行晶體振蕩電路的頻率測(cè)試,頻譜分析儀最合適,其次是使用頻率計(jì)配合電容較小的無(wú)源電壓探頭來(lái)測(cè)試,而示波器只能大致觀察頻率值,并不適合精確測(cè)量。
          (2)如果根據(jù)實(shí)際情況判斷接觸式探頭的寄生電容對(duì)電路工作狀態(tài)影響不大,例如測(cè)量某個(gè)芯片輸出的時(shí)鐘頻率,這時(shí)候頻率計(jì)應(yīng)該是優(yōu)選的。首先因?yàn)轭l率計(jì)不但能夠準(zhǔn)確測(cè)量到頻率值,而且可以得到頻率波動(dòng)的峰-峰值走勢(shì),還可以測(cè)量到信號(hào)電平值,也就是說(shuō)一次測(cè)量獲得的信息量更大;而頻譜分析儀只能抓到頻率值,除非是在EMI摸底測(cè)試的時(shí)候,否則輻射功率值我們通常并不關(guān)心。其次因?yàn)轭l譜分析儀配合近場(chǎng)探頭來(lái)捕獲輻射能量的能力有限,待測(cè)時(shí)鐘信號(hào)的能量可能會(huì)被附近其他更強(qiáng)的輻射源淹沒(méi),導(dǎo)致無(wú)法獲得時(shí)鐘頻率對(duì)應(yīng)的功率峰值,也就無(wú)法測(cè)量到時(shí)鐘頻率。
          (3)要注意到示波器的作用并不在于精確測(cè)量信號(hào)幅度或者頻率,它的優(yōu)勢(shì)是來(lái)抓取波形,判斷時(shí)鐘電路是否工作在正常的狀態(tài)。例如當(dāng)測(cè)試到晶體振蕩電路的波形不是正弦波,而接近方波時(shí),則判斷可能是驅(qū)動(dòng)功率過(guò)大,進(jìn)一步計(jì)算功率數(shù)值后如果確認(rèn),就需要調(diào)整電路參數(shù),避免損壞晶體。

          所以哪種儀器最適合測(cè)試時(shí)鐘頻率 ? 這個(gè)問(wèn)題還需要根據(jù)具體情況來(lái)分析,看關(guān)注點(diǎn)是什么,當(dāng)然也可以使用多種儀器協(xié)作測(cè)試,發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì)。




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