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          三星HBM3E沒過英偉達驗證,原因與臺積電有關(guān)

          作者: 時間:2024-05-17 來源:全球半導體觀察 收藏

          存儲器大廠美光、SK海力士和2023年7月底、8月中旬、10月初向送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E,美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過驗證,并獲訂單,HBM3E卻未通過驗證。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202405/458838.htm

          外媒報導,至今未通過驗證,是卡在。身為英偉達數(shù)據(jù)中心GPU制造和封裝廠,也是英偉達驗證重要參與者,傳聞采合作伙伴SK海力士HBM3E驗證標準,而三星制程與SK海力士有差異,SK海力士采MR-RUF,三星則是TC-NCF,對參數(shù)多少有影響。

          三星2024年第一季財報表示,八層垂直堆疊HBM3E4月量產(chǎn),第二季會量產(chǎn)12層垂直堆疊,比原計劃下半年提前。三星說是為了應(yīng)付生成式AI應(yīng)用日漸成長的需求,故加速新HBM生產(chǎn)進度。

          市場傳聞三星八層垂直堆疊HBM3E沒有通過英偉達與驗證,是因有缺陷,三星說傳聞不正確,重申提供最佳產(chǎn)品的承諾。市場人士表示,如果檢測標準調(diào)整,三星HBM3E就能通過驗證。




          關(guān)鍵詞: 三星 英偉達 臺積電

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