色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > EDA/PCB > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 干貨收藏:電路模塊設(shè)計(jì)合集

          干貨收藏:電路模塊設(shè)計(jì)合集

          作者: 時(shí)間:2024-05-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202405/459024.htm

          一.電源部分

          1. 5V轉(zhuǎn)3.3V電路

          常用IC: AMS1117 ;LD1086D2M33;HT78XX

          2. 3.7V(電池)轉(zhuǎn)3.3V電路

          常用IC(LDO): TC1185;

          3.7V升壓到5V

          3. 系統(tǒng)上電控制電路

          注: 電容并聯(lián)濾波,去耦,一般并聯(lián)值的關(guān)系為10倍;為了安全,常會(huì)串聯(lián)一個(gè)保險(xiǎn)管之類。

          4. 輸入側(cè)電源的濾波

          對于單板的電源輸入側(cè), 出于上電特性及熱插拔的需要, 需要加π型濾波電路。

          其中, C1 為輸入側(cè)的輸入電容, L 為輸入電感, C2 為π型濾波電路的輸出側(cè)電容; C1 的主要目的是為了限制上電瞬間的電壓上升率,并濾除輸入側(cè)電路由電源引入的紋波,因此, C1 一般是由直流電容及交流電容組成的并聯(lián)電容組,其中直流電容的主要作用是去除電容中的紋波,而交流電容的主要作用是為了去耦。

          從參數(shù)及器件選擇上,輸入側(cè)一般選取鉭電容,去耦電容的值為0.01uf ~1uf 之間,針式或貼片均可,但從生產(chǎn)工藝的角度,則以選取貼片為佳,推薦的參數(shù)為直流電容 10uf,交流電容 0.1uf。

          電感的作用為抑制電流變化率,電感越大,抑制效果越好,但同時(shí)電感太大時(shí)的上電特性不好,上電及下電時(shí),電感兩端會(huì)產(chǎn)生反電勢,這樣會(huì)對后面的負(fù)載產(chǎn)生影響,故參數(shù)不宜過大,因而推薦的參數(shù)為 10uH。

          輸出側(cè)的電容不僅要完成去耦及濾紋波的作用,而且還須維持濾波后電平不受電感反電勢的影響, 兼顧考慮板內(nèi)負(fù)載大小及板內(nèi)其他去耦電容的數(shù)量, 推薦參數(shù)為直流電容 10uf,交流電容 0.01~1uf。

          5. MOS開關(guān)上電控制電路

          通過MCU的 IO 控制NMOS的開關(guān),實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的上電。

          6. MOS開關(guān)上電、供電控制電路

          7. 鋰電池保護(hù)電路

          7.MOS控制電平轉(zhuǎn)換電路

          Bi-directional level shifter3.3與5v轉(zhuǎn)換

          二.調(diào)試工具

          1. JTAG電路

          注:VTREF)接口信號(hào)電平參考電壓一般直接連接Vsupply。(比如3.3V還是5.0V)

          三.外設(shè)

          1.FLASH驅(qū)動(dòng)電路

          注: 信號(hào)線上上拉電阻的添加。

          1·上拉電阻的選取原則:

          A·提高灌電流的能力:

          單板內(nèi)部的器件功耗及驅(qū)動(dòng)能力各不相同,這樣在器件連接時(shí)的灌電流能力不盡相同,連接上會(huì)有驅(qū)動(dòng)問題,此時(shí)需要加上拉電阻。

          B·電平兼容:

          板內(nèi)或板間器件選取各不相同,信號(hào)電平特性各不相同,出于兼容性的考慮,須加上拉電阻以保證兼容性。

          C·電平穩(wěn)態(tài)的特性:

          個(gè)別器件在上電時(shí)要求某些管腳的初始電平固定為高,此時(shí)必須加上拉電阻以保證器件能夠正常的工作。

          D·器件及參數(shù)選?。?/span>

          對于 A, B,一般的上拉電阻選取 2K~1M 歐姆,視負(fù)載情況而定,重負(fù)載時(shí)電阻應(yīng)選取靠近下限,輕負(fù)載時(shí)選取上限,這里的負(fù)載以器件功耗指標(biāo)來確定;對于上述 C 的情況,則以該種器件的數(shù)據(jù)特性來決定。

          器件一般以金屬膜的電阻或阻排為準(zhǔn)。

          2·下拉電阻的選取原則:

          A·電平兼容:

          板內(nèi)或板間器件選取各不相同,信號(hào)電平特性各不相同,出于兼容性的考慮,須加下拉電阻以保證兼容性。

          B·端接:

          板內(nèi)或板間的信號(hào)頻率較高或信號(hào)上升沿較陡時(shí),需要加端接電阻下拉到地,一般此時(shí)經(jīng)常性的會(huì)再串入一個(gè)適當(dāng)?shù)碾娙荨?/span>

          C·電平穩(wěn)態(tài)特性:

          個(gè)別器件在上電時(shí)要求某些管腳的初試電平固定為低,此時(shí)必須加下拉電阻以保證器件能夠正常的工作。

          D·器件及參數(shù)選取:

          對于 A,下拉電阻一般選取 1K~100K 歐姆,視負(fù)載電平情況而定, CMOS 電平的負(fù)載,電阻應(yīng)選取下限, TTL 電平時(shí)選取上限,這里的電平以負(fù)載指標(biāo)來確定;對于上述 B 的情況,一般選取75~150 歐姆的電阻;對于上述 C 的情況,則以該種器件的數(shù)據(jù)特性來決定;器件一般以金屬膜的電阻或阻排為準(zhǔn)。

          2.LED三極管驅(qū)動(dòng)電路



          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉