模擬/混合信號和專業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補型金屬氧化物半導體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺現(xiàn)在包括全新的40 V和60 V高壓基礎(chǔ)器件，可提供可擴展的安全工作區(qū)（安全工作區(qū)）以提高運行穩(wěn)健性。

這些第二代器件在RDSon數(shù)據(jù)上也有顯著降低，與此前版本相比降低了50%。這種增強使該平臺更適合用于某些需要縮小器件占用空間并優(yōu)化單位成本的應用。

XP018平臺是一個模塊化的180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模計數(shù)5V單柵極核心模塊。其支持-40°C至175°C的工作溫度范圍，并提供一系列豐富的可選器件和模塊，包括高增益雙極器件、標準和高電容金屬/絕緣體/金屬型（MIM）電容、多閾值（Vt）選項、肖特基二極管和耗盡型器件。

該平臺專為成本敏感且魯棒的汽車、工業(yè)和醫(yī)療應用而設(shè)計。此外，該平臺還借助高可靠性的汽車非易失性存儲器（NVM）解決方案（如嵌入式閃存、可擦寫可編程只讀存儲器（EEPROM）和開放式遠程監(jiān)控平臺（OTP））進行了進一步強化。

除了新推出的高壓器件外，該平臺現(xiàn)在還包括5.3 V齊納二極管，用于保護關(guān)鍵應用中的柵氧化物（如寬帶隙柵極驅(qū)動器應用）。