ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過ASML已經(jīng)開始對(duì)下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計(jì)劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。

據(jù)Trendforce報(bào)道，Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格預(yù)計(jì)達(dá)到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì)更高。目前每臺(tái)EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機(jī)的兩倍多。如果情況屬實(shí)，意味著Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格也會(huì)在High-NA EUV光刻機(jī)的基礎(chǔ)上翻倍。購買最先進(jìn)的設(shè)備涉及高昂的費(fèi)用支出，讓臺(tái)積電（TSMC）、三星和英特爾變得猶豫不決。

由于High-NA EUV光刻機(jī)較高的定價(jià)，已經(jīng)讓臺(tái)積電變得更加謹(jǐn)慎，計(jì)劃盡可能地讓現(xiàn)有EUV光刻機(jī)最大限度地發(fā)揮性能，通過適當(dāng)?shù)厣?jí)現(xiàn)有工具、更多地采用多重曝光等技術(shù)手段，以減輕采購新設(shè)備的投資壓力。此前臺(tái)積電已經(jīng)公開表達(dá)了對(duì)High-NA EUV光刻機(jī)使用成本的擔(dān)憂，表示采用新技術(shù)的決定取決于最大經(jīng)濟(jì)效益和可實(shí)現(xiàn)技術(shù)之間的平衡，并拒絕透露引入High-NA EUV技術(shù)的時(shí)間表。今年臺(tái)積電推出了A16工藝，在外界看來，一定程度上是為了延后啟用新設(shè)備的時(shí)間。

三星也在考慮High-NA EUV光刻機(jī)，不過隨著Hyper-NA EUV光刻機(jī)的時(shí)間表變得清晰，可能選擇調(diào)整其長期路線圖。有業(yè)內(nèi)人士透露，對(duì)于涉及1nm以下的工藝，現(xiàn)在選擇High-NA EUV可能不是最佳選擇，其中一種可行性是最大限度地利用手上的EUV設(shè)備，跳過High-NA EUV，直接過渡到Hyper-NA EUV。

雖然英特爾是首個(gè)購入High-NA EUV光刻機(jī)的客戶，但是去年其代工業(yè)務(wù)虧損了70億美元，今年第一季度甚至虧損還擴(kuò)大了。如果貿(mào)然采購下一代EUV光刻設(shè)備，很可能會(huì)面臨嚴(yán)峻的財(cái)務(wù)挑戰(zhàn)。