隨著人工智能技術快速發(fā)展，AI芯片需求正急劇上升，推動先進封裝以及HBM技術不斷提升，硅晶圓產(chǎn)業(yè)有望從中受益。

近期，環(huán)球晶董事長徐秀蘭對外透露，AI所需的HBM內(nèi)存芯片，比如HBM3以及未來的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆疊，層數(shù)從12層到16層增加，同時結構下面還需要有一層基底的晶圓，這增加了硅晶圓的使用量。

此前，媒體報道，AI浪潮之下全球HBM嚴重供不應求，原廠今明兩年HBM產(chǎn)能售罄，正持續(xù)增加資本投資，擴產(chǎn)HBM。據(jù)業(yè)界透露，相較于同容量、同制程的DDR5等內(nèi)存技術，HBM高帶寬存儲芯片晶圓的尺寸增大了35%~45%；同時，HBM制造工藝的復雜性導致晶圓的良率比DDR5低20%~30%。良率的降低意味著在相同的晶圓面積上，能夠生產(chǎn)出合格芯片的數(shù)量減少，以上兩個因素也意味著市場需要耗費更多硅晶圓以滿足HBM的生產(chǎn)。

除了存儲器之外，先進封裝技術創(chuàng)新也對硅晶圓帶來有利影響。徐秀蘭表示，先進封裝所需的拋光片也比之前要多，原因是封裝變立體，結構制程也發(fā)生改變，部分封裝需要的晶圓量可能會比過去多一倍。隨著明年先進封裝的產(chǎn)能開出，需要用到的晶圓數(shù)量將更加可觀。

CoWoS是當前主流的先進封裝技術，目前供不應求。

全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，英偉達B系列包含GB200、B100、B200等將耗費更多CoWoS產(chǎn)能，臺積電（TSMC）亦提升2024全年CoWoS產(chǎn)能需求，預估至年底每月產(chǎn)能將逼近40k，相較2023年總產(chǎn)能提升逾150%；2025年規(guī)劃總產(chǎn)能有機會幾近倍增，其中英偉達需求占比將逾半數(shù)。

業(yè)界指出，過去半導體先進制程發(fā)展，die size縮小，減少了晶圓使用量。如今，在AI推動之下，封裝立體化，助力晶圓使用量的提升，進而助力硅晶圓產(chǎn)業(yè)發(fā)展。但要注意的是，硅晶圓迎來利好的同時，HBM、先進封裝技術的發(fā)展對硅晶圓質(zhì)量、平整度、純度等方面提出了更高的要求，這也將促使硅晶圓廠商做出相應的調(diào)整，以應對AI大勢。