案例|地彈導(dǎo)致DC/DC電源芯片工作異常
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本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202407/460893.htm很多讀者都應(yīng)該聽(tīng)過(guò)地彈,但是實(shí)際遇到的地彈的問(wèn)題應(yīng)該很少。本案例就是一個(gè)DCDC電源芯片的案例。
1. 問(wèn)題描述
如下圖1 ,產(chǎn)品其中一個(gè)供電是12V轉(zhuǎn)3.3V的電路,產(chǎn)品發(fā)貨50K左右以后,大約有1%的產(chǎn)品無(wú)法啟動(dòng),經(jīng)過(guò)解耦定位,問(wèn)題出在下圖中的電源芯片。
圖1 12V 轉(zhuǎn)3.3V電路
2. 原因分析
經(jīng)過(guò)最終的分析,問(wèn)題最終定位在與PCB的布局和布線有關(guān),其中涉及一個(gè)重要容易忽略的技術(shù):地彈。
如下圖,左圖是芯片內(nèi)部的原理框圖,右圖是實(shí)際PCB中的布局圖,在高頻開(kāi)關(guān)電源中,提供能量來(lái)源的有兩個(gè)器件:輸入電容Cvin和電感Lbuck;
(1)當(dāng)高端開(kāi)關(guān)閉合,低端開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí),電流的路徑如紅色箭頭所示;
(2)當(dāng)高端開(kāi)關(guān)斷開(kāi),低端開(kāi)關(guān)閉合時(shí),電流的路徑如藍(lán)色的箭頭所示。
圖2 芯片內(nèi)部的高低開(kāi)關(guān)(左圖)、實(shí)際的工作示意圖(右圖)
根據(jù)電磁感應(yīng)定理:e=-dФ/dt=-d(Li)/dt=-Ldi/dt,由于紅色和藍(lán)色的環(huán)路面積變化較大,最終的體現(xiàn)會(huì)在低端開(kāi)關(guān)和Cvin之間產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。
廠商內(nèi)部手冊(cè)中顯示,電源芯片滿(mǎn)足以下兩個(gè)的條件,就可以進(jìn)入測(cè)試模式,測(cè)試模式下,電源芯片不工作,電源無(wú)輸出。
(1)pin5 引腳FB 電壓大于3V;
(2)pin6引腳COMP電壓小于-0.5V;
我們實(shí)際設(shè)計(jì)的PCB示意圖如下圖所示,環(huán)路1由Cvin、高端開(kāi)關(guān)、L、Cbuck、負(fù)載組成,環(huán)路2由Cbuck、負(fù)載組成,環(huán)路3由低端開(kāi)關(guān)、L、負(fù)載組成。其中環(huán)路面積變化A最大,同時(shí)電流突變最最迅速,實(shí)測(cè)引腳6 COMP 最高可達(dá)到-0.6V。如果FB引腳耦合的干擾達(dá)到3V,是可以將芯片進(jìn)入到測(cè)試模式的,導(dǎo)致無(wú)法輸出。
圖3 較差的布局產(chǎn)生3個(gè)環(huán)路
圖4 較差的布局產(chǎn)生3個(gè)環(huán)路
3. 解決方案
問(wèn)題的原因主要時(shí)兩種開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)的環(huán)路面積不一樣,導(dǎo)致感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)變化太大,導(dǎo)致芯片內(nèi)部的邏輯混亂。重新布局后的措施如下:
(1)將輸入電容、高低端開(kāi)關(guān)盡量在同一水平線;
(2)將輸出電容和負(fù)載盡量靠近用電端,消滅上圖中的環(huán)路2導(dǎo)致的變化。同時(shí)可以應(yīng)付用電設(shè)備的突發(fā)電流,突發(fā)電流大部分由輸出電容供電,而不是通過(guò)電源芯片轉(zhuǎn)換而來(lái)。
(3)重新布局后的環(huán)路面積變化=變化的長(zhǎng)度X板厚度。板厚為2mm,此時(shí)的面積變化基本可以忽略不計(jì)。
圖5 優(yōu)化布局,環(huán)路變化基本可以忽略不計(jì)
4. 總結(jié)
對(duì)于DCDC電源芯片,廠商不會(huì)對(duì)外公布其內(nèi)部的具體邏輯電路,但是有一點(diǎn)可以肯定,高低開(kāi)關(guān)兩種不同的狀態(tài)導(dǎo)致的環(huán)路面積變化,如果沒(méi)有處理好,產(chǎn)生的地彈會(huì)影響內(nèi)部邏輯,使得進(jìn)入不確定的工作狀態(tài)。
評(píng)論