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          利用磁導(dǎo)率了解磁芯飽和度

          作者: 時(shí)間:2024-07-29 來(lái)源:EEPW編譯 收藏

          在本文中,我們將了解核心飽和以及為什么在大多數(shù)應(yīng)用程序中應(yīng)該避免它。然后,我們研究了定義的不同方法如何幫助我們預(yù)測(cè)磁芯的飽和磁通密度。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202407/461454.htm

          飽和和磁滯都是磁芯材料的基本特性。它們使B-H曲線非線性和多值化,使磁性元件的設(shè)計(jì)復(fù)雜化。它們還會(huì)導(dǎo)致失真和功率損失。

          我們?cè)谇皟善恼轮杏懻摿藴蟋F(xiàn)象。在本文中,我們將了解磁芯飽和及其與非線性行為的關(guān)系。然后,我們將探索幾種不同的滲透率定義,這些定義使我們能夠表征非線性B-H曲線的各個(gè)方面。

          什么是磁芯飽和?

          當(dāng)鐵磁材料暴露在磁場(chǎng)中時(shí),其磁疇與外部磁場(chǎng)對(duì)齊,在材料內(nèi)部產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)。一個(gè)足夠大的外部磁場(chǎng)最終會(huì)使材料的所有磁疇與之對(duì)齊。超過(guò)這一點(diǎn),如圖1(b)所示,就不可能再對(duì)齊了。然后說(shuō)這種材料是飽和的。

          左:在沒(méi)有外部磁場(chǎng)的情況下,磁疇是隨機(jī)的。右:由于強(qiáng)外部磁場(chǎng),所有磁疇都對(duì)齊了。

           

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          圖1。鐵磁疇在(a)沒(méi)有外部磁場(chǎng)和(b)存在強(qiáng)外部磁場(chǎng)的情況下。圖片由R.Nisticò提供

          磁芯飽和會(huì)對(duì)磁性設(shè)備的性能和效率產(chǎn)生不利影響。由于材料的磁疇不能進(jìn)一步排列,飽和芯的磁通量幾乎是恒定的。因此,纏繞在鐵芯上的繞組幾乎像短路一樣,導(dǎo)致設(shè)備變形、過(guò)熱和損壞。

          飽和鐵芯的磁通量也幾乎與繞組電流無(wú)關(guān),限制了鐵芯作為傳輸或存儲(chǔ)能量的介質(zhì)發(fā)揮作用的能力。在大多數(shù)應(yīng)用中,必須仔細(xì)設(shè)計(jì)磁性設(shè)備以防止鐵芯飽和。

          飽和度和B-H曲線

          您可能還記得,在我們之前關(guān)于復(fù)的討論中,我們使用兩個(gè)不同的場(chǎng)量來(lái)分析材料對(duì)外部磁場(chǎng)的響應(yīng):

          B、 通量密度。這被定義為材料內(nèi)部的總磁場(chǎng)除以材料的橫截面積。

          H、 場(chǎng)強(qiáng)度。這被定義為外部磁場(chǎng)除以自由空間的(μ0)。

          一般來(lái)說(shuō),我們使用以下表達(dá)式來(lái)描述B和H字段之間的關(guān)系:

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          方程式1。

          其中μr是材料的相對(duì)磁導(dǎo)率。材料的B-H曲線通過(guò)將B放置在圖形的垂直軸上,將H放置在水平軸上來(lái)表示這種關(guān)系。

          對(duì)于非磁性材料,B-H曲線是線性的。因此,對(duì)于任意值的H,可以獲得一個(gè)單一的磁導(dǎo)率值。例如,圖2顯示了空心電感器的B-H曲線。空氣的相對(duì)滲透率μr=1,因此該線的斜率等于μ0。

          空心電感器的B-H曲線。

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          圖2:空心電感器的B-H曲線。圖片由Steve Arar提供

          相比之下,圖3描繪了鐵磁材料中B和H之間的關(guān)系。

          鐵磁材料的B-H曲線。

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          圖3。鐵磁材料的B-H曲線。圖片由Steve Arar提供

          正如你所看到的,鐵磁材料的B-H特性不是一條直線。相反,μr取決于H。增加H場(chǎng)會(huì)使通量密度上升,直到達(dá)到最大值(Bsat)。同樣,如果我們?cè)谙喾捶较蚴┘哟箅娏?,材料?Bsat處飽和。

           

          溫度對(duì)飽和通量密度的影響

          鐵磁材料的磁導(dǎo)率和飽和磁通密度隨溫度變化。例如,圖4顯示了Fair Rite 61材料在25°C和100°C下的典型磁滯回線。

          61材料的磁滯回線。

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          圖4。Fair Rite 61材料的典型磁滯回線。圖片由Fair Rite提供

          隨著溫度從25°C上升到100°C,飽和通量密度從2500高斯左右下降到2200高斯。這并不是非常極端:對(duì)于一些鐵氧體來(lái)說(shuō),溫度從20°C上升到90°C可以使Bsat值減半。因此,磁性設(shè)備的設(shè)計(jì)必須考慮溫度變化,以避免在最高工作溫度下鐵芯飽和。

          Bmax磁化曲線

          因?yàn)殍F芯損耗隨著激勵(lì)信號(hào)的幅度而增加,所以設(shè)計(jì)的最大磁通密度可以通過(guò)鐵芯飽和或鐵芯損耗來(lái)確定。為了將鐵芯的非線性與其滯后損耗分開,我們使用了圖5中的模型。

          綠色磁化曲線連接每個(gè)磁滯回線的最大B-H值。

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          圖5。不同H場(chǎng)值的滯后環(huán)(橙色環(huán))和Bmax磁化曲線(綠色曲線)。圖片由Steve Arar提供

          在穩(wěn)態(tài)條件下,對(duì)于不同的H值,可以獲得一系列磁滯回線。這些是圖中的橙色回線。連接所有磁滯回線的尖端會(huì)產(chǎn)生Bmax磁化曲線,如綠色所示。Bmax磁化曲線給出了不同最大場(chǎng)強(qiáng)(Hmax)值的最大磁通密度(Bmax)。它代表了一個(gè)忽略滯后損失的核心模型。

          正如Bmax磁化曲線的形狀所示,B-H特性是高度非線性的。為了更容易地描述該曲線的不同方面,我們以多種不同的方式定義滲透率。這些措施包括:

          振幅磁導(dǎo)率(μa)。

          初始滲透率(μi)。

          增量滲透率(μΔ)。

          滲透率差(μd)。

          我們將在本文的其余部分討論這四個(gè)定義。

          振幅磁導(dǎo)率和初始磁導(dǎo)率

          在交變磁化中,我們通常最關(guān)心B場(chǎng)和H場(chǎng)的峰值。在這種情況下,我們想使用振幅磁導(dǎo)率,即給定H值下從磁滯回線的原點(diǎn)到尖端的線的斜率。振幅磁導(dǎo)率有時(shí)也稱為大信號(hào)磁導(dǎo)率,用μa表示。

          峰值B和H值對(duì)應(yīng)于不同H值下磁滯回線的尖端。換句話說(shuō),它們是我們上面檢查的Bmax磁化曲線上的點(diǎn)。因此,我們可以通過(guò)在磁化曲線上的任何一點(diǎn)將B除以H來(lái)獲得μa。用數(shù)學(xué)語(yǔ)言來(lái)說(shuō):

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          方程式2。

          當(dāng)H非常低——接近零時(shí)——我們將振幅磁導(dǎo)率稱為初始磁導(dǎo)率(μi):

           8.png

          方程式3。

          初始磁導(dǎo)率是評(píng)估軟磁材料時(shí)的關(guān)鍵性能指標(biāo)。這在涉及極低驅(qū)動(dòng)級(jí)別的電信應(yīng)用中尤為重要。根據(jù)IEC 60401-3,在T=25°C的溫度下,當(dāng)f≤10 kHz且B<0.25 mT時(shí),使用閉合磁路(例如閉合的環(huán)形圓柱形線圈)定義材料的μi值。

          圖6說(shuō)明了初始滲透率和振幅滲透率的概念。

          非線性B-H曲線的初始磁導(dǎo)率和振幅磁導(dǎo)率。

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          圖6。非線性B-H曲線的初始磁導(dǎo)率(μi)和振幅磁導(dǎo)率(μa)的圖示。圖片由Steve Arar提供

          連接原點(diǎn)和點(diǎn)A的紫色線的斜率是點(diǎn)A的振幅滲透率。材料的振幅磁導(dǎo)率繼續(xù)增加,直到在B點(diǎn)達(dá)到最大值。超過(guò)該點(diǎn)后,μa隨著巖心接近飽和而降低。這是磁性材料的典型行為。品紅色線的斜率是初始磁導(dǎo)率,它給出了在非常低的激發(fā)水平下B與H的比值。

          順便說(shuō)一句,了解最大磁導(dǎo)率的位置和μa與B的關(guān)系通常很重要。圖7再次取自Fair Rite 61材料的數(shù)據(jù)表,顯示了不同激發(fā)水平下材料的振幅磁導(dǎo)率。

          Fair Rite 61材料的振幅磁導(dǎo)率與B場(chǎng)值。

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          圖7。Fair Rite的61材料在不同激發(fā)水平下的振幅磁導(dǎo)率。圖片由Fair Rite提供

          接下來(lái),讓我們來(lái)看看另外兩個(gè)滲透率定義。

          增量滲透率和差分滲透率

          在許多電感器應(yīng)用中,鐵芯由直流分量上的交流信號(hào)激勵(lì)。在這種情況下,交流分量會(huì)在Bmax磁化曲線上產(chǎn)生較小的B-H環(huán)。這些B-H環(huán)在圖8中以青色繪制。

          鐵磁材料中的小B-H環(huán)。

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          圖8。鐵磁材料中的小B-H環(huán)。圖片由Steve Arar提供

          上圖中的每個(gè)循環(huán)對(duì)應(yīng)于H字段(HDC)的不同DC值。給定HDC值下的增量滲透率(μΔ)等于:

           12.png

          方程式4。

          換句話說(shuō),增量滲透率是給定場(chǎng)強(qiáng)值下小環(huán)路的斜率。圖9顯示了鐵磁材料的增量磁導(dǎo)率如何隨場(chǎng)強(qiáng)變化。

          滲透率增量與H場(chǎng)值。

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          圖9。典型的滲透率增量與H油田的關(guān)系。圖片由Steve Arar提供

          在低激勵(lì)水平下,增量滲透率等于初始滲透率。它隨著H值的增加而增加,直到達(dá)到最大值。隨著我們繼續(xù)提高激發(fā)水平,巖心飽和,滲透率增量接近自由空間。

          例如,圖10顯示了61材料的增量滲透率。如您所見(jiàn),它遵循與圖9相同的模式。

          61材料在不同激勵(lì)水平下的磁導(dǎo)率增量。

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          圖10。Fair Rite的61材料在不同激發(fā)水平下的滲透率增量。圖片由Fair Rite提供

          最后,微分磁導(dǎo)率(μd)定義為給定工作點(diǎn)處Bmax磁化曲線的斜率。圖11中兩條綠色曲線的斜率說(shuō)明了增量和差異滲透率。

          增量和差異滲透率。

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          圖11。增量和差異滲透率定義。圖片由歐姆龍?zhí)峁?/p>

          值得一提的是,一些資源,如M.Kazimierczuk的《高頻磁性元件》一書,對(duì)增量磁導(dǎo)率的定義與我們對(duì)微分磁導(dǎo)率的定義相同。圖12提供了以這種方式定義增量滲透率的資源的另一個(gè)示例。此圖來(lái)自有限元分析軟件包QuickField的在線幫助文件。

          一個(gè)不區(qū)分增量滲透率和差異滲透率的資源示例。

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          圖12。一些參考文獻(xiàn)沒(méi)有區(qū)分增量滲透率和差異滲透率。圖片由QuickField提供

          總結(jié)

          鐵磁材料的B-H特性是高度非線性的。在這篇文章中,我們研究了滲透率的四個(gè)定義,這些定義可以幫助我們描述這種非線性行為。我們還了解了磁芯飽和,這是設(shè)計(jì)磁性元件時(shí)的一個(gè)主要問(wèn)題。在下一篇文章中,我們將討論如何避免電感器和變壓器飽和。

          最后,請(qǐng)注意,上述磁導(dǎo)率定義僅捕捉了磁性材料在低頻下的行為。在這些頻率下,B和H場(chǎng)同相,磁導(dǎo)率是一個(gè)真實(shí)值。隨著頻率的增加,這兩個(gè)矢量不再同相。

          為了正確描述材料在寬頻率范圍內(nèi)的行為,我們使用了復(fù)磁導(dǎo)率的概念。還有一些其他低頻滲透率定義,如有效滲透率和表觀滲透率,由于篇幅限制,我們?cè)诒疚闹袥](méi)有涵蓋。




          關(guān)鍵詞: 磁導(dǎo)率 磁芯飽和度

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