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          芯片制造轉(zhuǎn)移,價格大變

          作者: 時間:2024-07-30 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 收藏

          7 月,處在 2024 年中,不僅是上下半年的過渡期,也是整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由衰轉(zhuǎn)盛的過渡期,因為行業(yè)正在從 2023 年的低谷期向上走,根據(jù)各大市場研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計和預(yù)測,2024 上半年依然處于恢復(fù)期,下半年的行情會比上半年好很多。在這種情況下,處于年中過渡期的 6、7 月份,受多種因素影響,也成了多事之秋,特別是芯片制造,訂單和制造產(chǎn)線轉(zhuǎn)移輪番上演,芯片價格也隨之變化。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202407/461500.htm

          晶圓代工轉(zhuǎn)單加劇

          臺積電最新財報顯示,2024 年第二季度以客戶總部所在地劃分,北美占比仍然最大,達(dá)到 65%,中國大陸市場則急速拉升至 16%,與第一季度 9%,以及 2023 年同期 12% 相比大增,并取代亞太區(qū),成為第二大市場,亞太區(qū)域占比降至 9%,日本維持 6%。

          受美國出口政策影響,不少尚未遭受出口管制的中國大陸企業(yè)提前下單囤貨,特別是 5nm 及以下先進(jìn)制程,產(chǎn)能吃緊,如果不盡快下定的話,再過幾個月恐怕就很難拿到產(chǎn)能了。特別是中國正在積極發(fā)展 AI,對先進(jìn)芯片的需求量很大,目前也只有臺積電和三星兩個選擇,臺積電是優(yōu)先選項。

          不止中國大陸訂單,國際芯片大廠訂單也在向臺積電轉(zhuǎn)移。

          很長時間以來,高通一直是三星的五大客戶之一(包括但不限于晶圓代工業(yè)務(wù)),不過,近兩年高通將大量訂單轉(zhuǎn)移到臺積電。前一段時間,三星發(fā)布的報告顯示,前五大客戶分別是蘋果、德國電信、香港創(chuàng)科、至上電子和 Verizon,合計約占三星總營收的 13%,高通不在其中,這是高通 3 年來首次跌出三星客戶的前五名。

          此前,高通將大量驍龍系列處理器訂單交給三星代工生產(chǎn),而現(xiàn)在很大部分已經(jīng)被臺積電取代了。不過,隨著近期中國智能手機(jī)銷量的增長,一些來自中國大陸和中國臺灣的公司訂單填補了高通的空白。

          2023 年就有報道稱,高通出于對臺積電產(chǎn)能有限的考慮,原打算在 2024 年開始執(zhí)行雙代工廠策略,第四代驍龍 8 一方面采用臺積電 N3E 制程工藝,另一方面,供應(yīng) Galaxy 系列智能手機(jī)的版本采用三星 3GAP(SF3)工藝。不過,由于三星 3nm 制程良率不穩(wěn)定,產(chǎn)能有限,錯過了不少商機(jī),高通就是其中的大戶。

          據(jù)悉,高通仍打算在 2025 年轉(zhuǎn)向雙代工廠策略,已要求臺積電和三星提供 2nm 制程芯片樣品,以便做進(jìn)一步評估。高通希望通過新策略降低 SoC 的生產(chǎn)成本。

          2023 年,三星晶圓代工業(yè)務(wù)贏得了谷歌 Tensor G4 芯片訂單,之后,谷歌將 Tensor G4 的生產(chǎn)委托給三星的 4nm 代工產(chǎn)線,該芯片將搭載在定于 2024 下半年發(fā)布的 Pixel 9 系列手機(jī)上。

          不過,7 月初,據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,臺積電與谷歌近期已進(jìn)入第五代處理器 Tensor G5 量產(chǎn)前的流片階段,該處理器將搭載在定于 2025 年發(fā)布的 Pixel 10 系列手機(jī)上。

          業(yè)內(nèi)人士表示,Tensor G5 將采用臺積電 3nm 制程工藝生產(chǎn),預(yù)計性能將比 Tensor G4 大幅提升。

          此前,業(yè)界只是猜測臺積電與谷歌在 Tensor G5 上合作的可能性,但最近兩家公司似乎正在進(jìn)行量產(chǎn)準(zhǔn)備,這表明谷歌的晶圓代工合作伙伴關(guān)系發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變。

          據(jù)了解,三星的 3nm 制程產(chǎn)線尚未獲得任何明確的大規(guī)??蛻粲唵危虼?,2024 年第一季度,三星晶圓代工的市場份額比上一季度(14%)下降了 1 個百分點,至 13%,同期,臺積電的市場份額從 61% 上升至 62%。

          不止臺積電和三星掌控的最先進(jìn)制程晶圓代工市場在轉(zhuǎn)單,相對成熟(28nm 以下)和成熟制程(28nm 以上)市場轉(zhuǎn)單也在加劇,受惠的廠商主要包括聯(lián)電、力積電、世界先進(jìn)等。下半年,預(yù)估聯(lián)電的產(chǎn)能利用率將落在 70%~75% 之間,力積電 12 英寸廠產(chǎn)能利用率可達(dá) 85%~90%,世界先進(jìn)產(chǎn)能利用率將提升至 75% 以上,均優(yōu)于預(yù)期。

          集邦研究分析,這波轉(zhuǎn)單潮,主要來自高通、芯源系統(tǒng)(MPS)等廠商,賽普拉斯(Cypress,已經(jīng)被英飛凌收購)、兆易創(chuàng)新等廠商也向力積電洽談編碼型閃存投產(chǎn)計劃,聯(lián)電憑借產(chǎn)地多元布局優(yōu)勢,吸引德州儀器(TI)、英飛凌、微芯(Microchip)等大廠洽談長期合作計劃。

          力積電表示,為順應(yīng)供應(yīng)鏈調(diào)整及中國大陸晶圓廠競爭,該公司正在調(diào)整產(chǎn)品線投資策略,試著迎接有轉(zhuǎn)單需求的大客戶,積極開發(fā)先進(jìn) BCD 制程,用于電源管理 IC 生產(chǎn),希望爭取物聯(lián)網(wǎng)及重要的 AI、高性能計算(HPC)、電動車等高增長市場商機(jī)。

          TechInsights 預(yù)計,受益于高帶寬內(nèi)存(HBM)的旺盛需求,以及 AI 數(shù)據(jù)中心對 NAND 閃存使用量的增長,2024 下半年,全球晶圓廠(包括邏輯和存儲芯片)產(chǎn)能利用率有望達(dá)到 80% 左右。

          存儲市場的強(qiáng)勁復(fù)蘇也為晶圓代工市場提供了穩(wěn)定的訂單來源,Omdia 預(yù)測,2024 年全球純晶圓代工行業(yè)收入將增長 16.4%。此外,AI 加速器領(lǐng)域的市場規(guī)模將在 2025 年超過 1500 億美元。

          晶圓代工價格走向

          由于消費電子、新能源車、通信等應(yīng)用需求強(qiáng)勁,群智咨詢(Sigmaintell)預(yù)計,2024 年第二季度,全球 28nm、40nm 制程晶圓代工產(chǎn)能利用率約 90%,28nm 代工價格微漲,40nm 價格基本持平。相對而言,28nm 需求增長動力更明顯,預(yù)計第三季度仍有個位數(shù)百分比環(huán)比上漲空間。

          55nm、90nm 制程芯片的下游應(yīng)用主要為消費類電子。由于中國大陸晶圓廠在 55nm、90nm 制程上積極擴(kuò)產(chǎn),相關(guān)產(chǎn)能利用率提升并不顯著,群智咨詢預(yù)計,2024 年第三季度仍在 75%-80% 之間。由于過去 3~4 個季度該制程價格降幅較大,從 2024 年第二季度起,多數(shù)晶圓廠在該制程范圍的價格策略以收窄降幅為主,目標(biāo)是在 2024 年底止跌。預(yù)計第三季度整體價格環(huán)比降幅為 2%~3%。

          得益于消費類電子庫存調(diào)整完成,自 2024 年第一季度起,8 英寸晶圓代工廠迎來更多訂單,整體產(chǎn)能利用率平穩(wěn)回升,但是,第二季度整體產(chǎn)能利用率仍較低,約為 60%-65%,預(yù)計第三季度可恢復(fù)至 70%。部分客戶將一部分模擬芯片訂單從中國大陸轉(zhuǎn)移至其它地區(qū)的晶圓代工廠,群智咨詢預(yù)計,第三季度中國大陸 8 英寸晶圓代工廠價格環(huán)比降幅在 5% 左右,中國臺灣地區(qū) 8 英寸晶圓代工價格環(huán)比降幅預(yù)計為 1%-3%。

          三星晶圓代工調(diào)整了 2024 年第一季度定價,不僅提供了 5%-15% 的折扣,還明確表示,可根據(jù)訂單量提供更優(yōu)惠的價格。業(yè)界人士分析,三星這波降價,主要是因為當(dāng)下市場需求沒預(yù)期好,另外,就是要靠降價搶臺積電的客戶訂單。

          中芯國際預(yù)計,隨著芯片制造商提高產(chǎn)能,芯片價格將繼續(xù)下降。

          中芯國際聯(lián)席 CEO 趙海軍在 5 月的業(yè)績說明會上表示,中芯國際面臨低價競爭,可能導(dǎo)致價值數(shù)千萬美元的訂單流失。他表示,芯片平均單價(ASP)每個季度會下降,但不會那么快。他說,12 英寸晶圓產(chǎn)能滿載的部分訂單,價格會相對穩(wěn)定,但標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品遇到競爭時,中芯國際會順應(yīng)市場,隨行就市,與客戶一同面對競爭,后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品價格可能會進(jìn)一步下降。

          不同于成熟制程的降價競爭,最先進(jìn)制程(5nm 及以下)產(chǎn)能則供不應(yīng)求,漲價聲四起。

          此前有報道稱,臺積電打算提高 2025 年先進(jìn)制程及先進(jìn)封裝的訂單報價,其中,3nm 制程的報價將提高 5% 以上,CoWoS 封裝的報價也將提高 10%~20%。傳聞臺積電的 3nm 漲價方案已得到客戶同意,雙方達(dá)成了新協(xié)議,以確保穩(wěn)定的供應(yīng)。

          有業(yè)內(nèi)人士透露,面向人工智能和高性能計算客戶的 4nm、5nm 制程可能會漲價 11%,也就是說,4nm 晶圓的價格從 18000 美元提高到 20000 美元,這意味著相比 2021 年的報價漲了至少 25%。有分析師預(yù)計,2025 年,3nm 制程的價格將平均上漲 4%,主要取決于訂單的數(shù)量和具體協(xié)議條款,目前的晶圓報價在 20000 美元以上。

          不過,像 16nm 這樣相對成熟的制程產(chǎn)能充裕,不太可能漲價。有消息稱,目前,臺積電 6nm、7nm 產(chǎn)能利用率已經(jīng)跌至 60%,明年不但不漲價,甚至還會降價,幅度在 10% 左右。

          產(chǎn)能大挪移

          在過去半年多時間內(nèi),爭奪英偉達(dá) HBM 內(nèi)存訂單成為國際存儲芯片三巨頭的大事,由于 SK 海力士早早布局,因此在競爭中處于明顯優(yōu)勢地位,這給三星帶來了很大壓力,為了拿到相關(guān)訂單,三星甚至更換了業(yè)務(wù)高層負(fù)責(zé)人。

          三星的努力似乎得到了回報,據(jù)悉,其 HBM3e 內(nèi)存已經(jīng)通過了英偉達(dá)認(rèn)證,預(yù)計第三季度開始供貨。為了保障供貨,三星采取了大動作,將現(xiàn)有 DRAM 總產(chǎn)能的 30% 劃撥給了 HBM3e。

          7 月 16 日,有消息稱,三星平澤 P4 廠第二期 (PH2) 產(chǎn)線建設(shè)將暫停,P4 廠主要包括 DRAM 和晶圓代工產(chǎn)線。按照原計劃,三星將先建設(shè) PH1 內(nèi)存產(chǎn)線,然后建設(shè) PH2 代工產(chǎn)線,之后依次建設(shè)用于生產(chǎn) DRAM 產(chǎn)品的 PH3 內(nèi)存線和 PH4 代工線?,F(xiàn)在,三星決定暫時停工 PH2,優(yōu)先建設(shè) PH3 產(chǎn)線。

          三星是全球存儲芯片龍頭,將 30% 內(nèi)存產(chǎn)能劃撥給 HBM3e,算下來,全球現(xiàn)有 13% 的 DRAM 產(chǎn)能不再生產(chǎn) DDR4 或 DDR5 等,很可能會引發(fā)連鎖反應(yīng),特別是在消費類電子產(chǎn)品旺季來臨之際,在供給銳減、需求大增的情況下,相關(guān) DRAM 芯片有望漲價。

          作為全球 DDR4、DDR5 生產(chǎn)商中的主要企業(yè),南亞科有望在這一波變化中受惠,該公司總座李培瑛指出,HBM、DDR5 供不應(yīng)求,有望抬升 DRAM 市況,預(yù)計南亞科下半年的產(chǎn)能利用率將上升,以滿足市場需求。李培瑛認(rèn)為,在三大原廠都忙于生產(chǎn) HBM 的情況下,將減少全球 DDR4 產(chǎn)出,那時,南亞科有把握調(diào)漲 DDR4 價格,在供不應(yīng)求的大背景下,南亞科會有較大的議價能力。

          威剛董事長陳立白表示,目前,存儲芯片大廠的產(chǎn)能配置以毛利率最高的 HBM 為優(yōu)先項,之后才是一般用途的 DDR5 和 DDR4,這樣,DDR5 價格大概率會繼續(xù)上漲,DDR4 去庫存也將告一段落,價格將從 8 月開始進(jìn)入第二波上漲周期,漲幅至少 30%。

          十銓公司表示,由于 DDR5 原廠的供給量不足,價格仍會上漲。

          在所有芯片細(xì)分領(lǐng)域,存儲器周期波動最大,在上行周期的頂部,2010 年、2017 年存儲器銷售額同比增長分別為 55%、61%,在下行周期的底部,2002 年、2019 年存儲器銷售額同比下降了 30%、33%。DRAM 的上一輪周期在 2017 年 12 月左右見頂,在 2019 年 12 月觸底,下行周期持續(xù)時間在兩年左右,隨后經(jīng)歷了一年半左右的上行周期,上一輪周期持續(xù)了 3-4 年。本輪 DRAM 周期在 2021 年 4 月見頂,在 2023 年 9 月觸底,10 月價格反彈。本輪下行周期持續(xù)時間已達(dá)兩年半,新一輪的 DRAM 上行周期已經(jīng)開始。

          從 2024 全年的發(fā)展趨勢來看,全球內(nèi)存市場一直在向上走,價格也在上漲,這方面,各大市場研究機(jī)構(gòu)都給出了統(tǒng)計和預(yù)測數(shù)據(jù),各家之間沒有實質(zhì)性差異。在這樣的背景下,三星將很大一部分產(chǎn)能劃撥給 HBM 內(nèi)存,是對全球存儲芯片市場的再一次攪動,會起到推波助瀾的作用,它會進(jìn)一步強(qiáng)化全球存儲芯片市場自 2022~2023 年表現(xiàn)低迷以來,觸底反彈的增長態(tài)勢。



          關(guān)鍵詞: 內(nèi)存芯片

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