JFET 與 MOSFET的區(qū)別

JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。

JFET 與 MOSFET的區(qū)別

兩者之間的下一個關鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因為后者嵌入了絕緣體，因此漏電流更少。

JFET 通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而 MOSFET 通常被稱為“OFF 器件”，可以在耗盡模式和增強模式下工作并具有高漏極電阻。

接下來簡單的介紹一下JFET 與 MOSFET。

什么是JFET ?

JFET是結(jié)型場效應晶體管的首字母縮寫，由柵極、源極和漏極 3 個端子組成。

在 JFET 中，電場施加在控制電流流動的柵極端子上。從漏極流向源極端子的電流與施加的柵極電壓成正比。

JFET基本上有兩種類型，基本上是N溝道和P溝道。

施加在柵極到源極端子的電壓允許電子從源極移動到漏極。因此，從漏極流向源極的電流稱為漏極電流 I D。

當柵極端子相對于源極為負時，耗盡區(qū)的寬度增加。因此，與無偏置條件相比，允許較少數(shù)量的電子從源極移動到漏極。

JFET圖

隨著施加更多的負柵極電壓，耗盡區(qū)的寬度將進一步增加。因此，達到了完全切斷漏極電流的條件。

JFET 具有更長的壽命和更高的效率。

什么是MOSFET？

MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管的首字母縮寫。在這里，器件的電導率也根據(jù)施加的電壓而變化。

MOSFET有兩種類型：耗盡型MOSFET和增強型 MOSFET

在耗盡型 MOSFET 中間存在預先構(gòu)建的溝道。因此，施加的柵源電壓將器件切換到關閉狀態(tài)。

耗盡型 MOSFET 圖

相反，在增強型MOSFET中，不存在任何預先構(gòu)建的溝道。在這里，傳導開始于通過施加的電壓創(chuàng)建通道。

增強型MOSFET

在 D-MOS 中，負施加的柵極電位增加了溝道電阻，從而降低了漏極電流。相反，在 E-MOS 中，其工作需要大的正柵極電壓。

結(jié)型場效應管與絕緣柵的區(qū)別？

結(jié)型場效應管與絕緣柵的區(qū)別

• JFET稱為結(jié)型場效應晶體管，MOSFET稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管。

• JFET 僅在耗盡模式下工作，MOSFET在增強模式和耗盡模式下工作。

• JFET有兩個PN結(jié)，MOSFET只有一個PN結(jié)。

• JFET是三端器件，而MOSFET是四端器件。

• JFET 不會在溝道處形成電容，而是在溝道和柵極之間的 MOSFET 電容中形成。

• JFET 是一個簡單的制造過程，但 MOSFET 是一個復雜的制造過程。

• JFET 的電導率是由柵極的反向偏置控制的，而 MOSFET 的電導率是由溝道中感應的載流子控制的。

• JEFT 是高輸入阻抗，而 MOSFET 是非常高的輸入阻抗。

• JFET 的特性曲線更平坦，而 MOSFET 的特性曲線更平坦。

• JFET 常開器件，MOSFET 常關器件。

• MOSFET 有一個反向體二極管，在 JFET 中沒有反向體二極管。

• JFET 是高柵極電流，而 MOSFET 是低柵極電流。

• JFET 是高漏極電流，但 MOSFET 是低漏極電流。

• JFET 柵極與溝道不絕緣，而 MOSFET 與溝道絕緣。

• 在 JFET 溝道和柵極中形成兩個 PN 結(jié)，但在 MOSFET 溝道和柵極中由兩個并聯(lián)電容組成。

• 在 JFET 中信號處理能力較少，在 MOSFET 信號處理能力更強。

• 在 JFET 制造復雜且昂貴，但 MOSFET 制造容易且便宜。

• 與 MOSFET 相比，JFET 具有更高的漏極電阻。

• MOSFET 中的漏電流小于 JFET。

• 與 JFET 相比，MOSFET 更容易構(gòu)建和廣泛使用。

• JFET多用于低噪聲應用，MOSFET多用于高噪聲應用。

• 與 MOSFET 相比，JFET 是功率分類。

• JFET 的柵極裕度約為 0.1 至 10 mA/v，而 MOSFET 的柵極裕度約為 0.1 至 20 mA/v。

• JFET 不如 MOSFET 受歡迎，而且如今 MOSFET 比 JFET 更廣泛使用。