了解塞貝克效應、塞貝克系數及其與溫度的關系。

熱電偶通常是當今最常用的溫度傳感器之一。熱電偶由兩端焊接在一起的兩個不同導體組成。這些無處不在的設備使用塞貝克效應來測量溫度。

本文將探討塞貝克效應，為本系列下一篇文章中關于熱電偶的討論奠定基礎。

塞貝克效應簡史

1822年，德國物理學家托馬斯·塞貝克注意到，當環(huán)上存在溫度梯度時，由兩塊半圓形鉍和銅連接而成的環(huán)可以偏轉附近的指南針（圖1）。

塞貝克意外發(fā)現的熱磁高級代表。

圖1。塞貝克意外發(fā)現的熱磁高級代表。圖像由Analog Devices和Linear Technology提供

塞貝克的朋友漢斯·克里斯蒂安·奧斯特于1820年發(fā)表了他對電和磁之間聯(lián)系的發(fā)現，他建議針應該是由流過回路的電流產生的磁場移動的。這是首次發(fā)現熱電效應。當時，要為觀察到的物理現象制定一個解釋理論并不容易，因為即使是電壓、電流和電阻等基本概念也沒有明確表述。事實上，直到1897年發(fā)現電子，人們才很好地理解了這種現象的機制。

同樣值得一提的是，動物電的發(fā)現者路易吉·伽伐尼進行的實驗也與塞貝克效應有關。1786年，伽伐尼觀察到，被解剖的青蛙的肌肉在被不同的金屬探針接觸時會收縮。

溫度對電子的影響——電子再分布

由于科學史上許多偉大思想家的努力，我們對塞貝克效應等物理現象有了更好的理解。詳細討論熱電效應背后的理論超出了本文的范圍；然而，一個簡化的直觀解釋仍然可以為我們提供對這種效應的基本理解。

今天，我們知道電場或熱能可以將一些電子從導體的價帶釋放到導帶。雖然價電子與原子結合得太緊，無法對電流做出貢獻，但導帶中的電子有足夠的能量在材料中自由移動。當金屬棒兩端存在溫差時，熱區(qū)會產生更多的自由電子。熱端的電子也比導體冷端的電子受到更多的熱攪動。這些熱攪動的電子比低能電子擴散得更快。

導線熱端中較高濃度的熱攪動電子導致電子從熱端擴散到冷區(qū)。由于這種熱誘導的電子擴散，與導體的另一端相比，熱區(qū)帶正電。圖2顯示了溫差如何重新分配電子，并使它們從較熱的區(qū)域移動到較冷的一端。

概述溫差如何影響從熱到冷的電子分布。

圖2:概述溫差如何影響從熱到冷的電子分布。圖片由TI提供。

你可能會想，這種電子的再分配會持續(xù)多久？產生的熱電壓試圖產生與熱感應電流方向相反的電流。隨著越來越多的電子從較熱的一端移動到較冷的一端，導線兩端會產生越來越大的熱電壓。在某一時刻，該熱電壓變得足夠大，以抵消溫度引起的電子擴散。當達到這種平衡時，通過導體的凈電流將為零。

塞貝克電壓——塞貝克系數

由沿導線的溫度梯度產生的開路電壓稱為塞貝克電壓，這種現象稱為塞貝克效應。給定溫差下產生的塞貝克電壓取決于材料特性。

為了評估給定材料中塞貝克效應的強度，塞貝克系數定義為：

方程式1。

其中ΔV表示沿材料施加小溫差（ΔT）獲得的電壓差。請注意，按照慣例，ΔV被定義為冷側電壓減去熱側電壓。在圖2所示的示例中，V冷-V熱為負，導致塞貝克系數為負。我們稍后將更詳細地討論塞貝克系數的符號。

在方程式1中，假設ΔT較小。因此，我們還可以將塞貝克系數定義為產生的電壓相對于溫度的一階導數：

方程式2。

塞貝克系數——絕對還是相對？

從方程1和2中獲得的值稱為絕對塞貝克系數，這意味著它們指定了單個材料的塞貝克效應。例如，鋁在0°C下的絕對塞貝克系數為-1.5μV/K。材料的塞貝克系數也可以指定為相對于參考材料的相對值。例如，鋁的塞貝克系數可能與鉑有關，鉑在0°C時的絕對值為-5μV/K。在這種情況下，鋁的相對塞貝克系數為：

圖3給出了鋁以及其他一些常見材料相對于鉑的塞貝克系數。

不同材料的塞貝克系數示例。

圖3。不同材料的塞貝克系數示例。數據由李提供。

材料的絕對塞貝克系數不能直接用萬用表測量。這是由于電壓表的引線（以及測量電路輸入端的任何其他導電材料）會經歷溫度梯度并產生額外的塞貝克電壓。以這種方式測量的電壓將取決于被測材料以及測量電路中使用的材料的塞貝克效應。絕對塞貝克系數可以通過應用塞貝克系數的開爾文關系來確定。然而，通過測量熱電偶電路的輸出，可以很容易地確定相對值。

塞貝克效應的溫度依賴性

塞貝克系數是溫度的函數。圖4顯示了鉑（Pt）和鈮（Nb）的絕對塞貝克系數如何隨溫度變化。

顯示Pt和Nb系數與溫度的關系圖。

圖4。顯示Pt和Nb系數與溫度的關系圖。圖片由M.Gunes提供。

應當注意，在亞微米級的最小尺寸以上，塞貝克系數與材料的幾何形狀、橫截面積和長度無關。

塞貝克系數的符號

如上所述，熱電效應背后的理論相當復雜。對于某些金屬，如銅，電子從導線的冷端移動到熱端，導致塞貝克系數為正。

從圖3中，我們觀察到銅的塞貝克系數在0°C時約為+1.5μV/K。塞貝克系數的大小和符號與費米能級周圍電子分布的不對稱性有關。

要了解更多關于影響塞貝克系數符號的材料參數，請參閱Safa Kasap的“金屬中的熱電效應：熱電偶”。此外，請注意，塞貝克效應也在半導體中觀察到。事實上，半導體的塞貝克系數比金屬大得多。P型半導體具有正塞貝克系數，而n型半導體具有負塞貝克系數。