近日，晶圓代工巨頭臺(tái)積電和半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)龍頭廠商高通各自公布了多項(xiàng)半導(dǎo)體技術(shù)專利，其中都包括一項(xiàng)與存儲(chǔ)領(lǐng)域相關(guān)的專利。

臺(tái)積電：雙端口靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元電路

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)通常用于集成電路中。SRAM單元具有保持?jǐn)?shù)據(jù)而不需要刷新的有利特征。隨著對(duì)集成電路速度的要求越來(lái)越高，SRAM單元的讀取速度和寫(xiě)入速度也變得越來(lái)越重要。然而，在已經(jīng)非常小的SRAM單元的規(guī)模不斷縮小的情況下，這樣的要求很難實(shí)現(xiàn)。例如，形成SRAM單元的字線和位線的金屬線的薄層電阻變得越來(lái)越高，因此SRAM單元中的線路和位線上的RC延遲增加，阻止了讀取速度和寫(xiě)入速度的提高。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，臺(tái)積電于8月20日申請(qǐng)公開(kāi)了一項(xiàng)名為“雙端口靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元電路”的專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118522327A，申請(qǐng)時(shí)間為2024年4月22日。

圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)網(wǎng)

專利摘要顯示，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種雙端口靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)電路，包括Vdd節(jié)點(diǎn)和具有相同結(jié)構(gòu)的第一SRAM單元和第二SRAM單元的雙端口靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)單元對(duì)。

第一SRAM單元是十晶體管SRAM單元，包括第一上拉晶體管和第二上拉晶體管、與第一上拉晶體和所述第二上拉晶體形成鎖存器的第一下拉晶體和第二下拉晶體、連接至鎖存器的第一傳輸門(mén)晶體和第二傳輸門(mén)晶體以及p型隔離晶體管，p型隔離晶體管包括連接至第一上拉晶體管的漏極區(qū)的第源極/漏極區(qū)和連接至Vdd節(jié)點(diǎn)的柵極。該電路還包括與第二SRAM單元共用的讀取位線，以及連接至第一傳輸門(mén)晶體管和第二傳輸門(mén)晶體管的C柵極的寫(xiě)入位線對(duì)。

高通：具有自適應(yīng)刷新的存儲(chǔ)器系統(tǒng)

現(xiàn)代社會(huì)中比比皆是的計(jì)算設(shè)備，尤其是移動(dòng)通信設(shè)備已變得越來(lái)越常見(jiàn)。這些移動(dòng)通信設(shè)備的普及部分是由于現(xiàn)在此類設(shè)備上啟用的許多功能。此類設(shè)備中增加的處理能力意味著移動(dòng)通信設(shè)備已從純通信工具演進(jìn)到復(fù)雜的移動(dòng)娛樂(lè)中心，從而實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)的用戶體驗(yàn)。對(duì)此類功能性的訪問(wèn)通常取決于使存儲(chǔ)器系統(tǒng)與控制系統(tǒng)互操作以存儲(chǔ)指令和數(shù)據(jù)。

存儲(chǔ)器的一種流行格式是低功率雙倍數(shù)據(jù)速率(LPDDR)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)標(biāo)準(zhǔn)。JEDEC是LPDDR的標(biāo)準(zhǔn)制定主體并且已經(jīng)發(fā)布了該標(biāo)準(zhǔn)的各種版本，其中在2021年6月更新了LPDDR5。此類標(biāo)準(zhǔn)的存在提供了改進(jìn)和創(chuàng)新的機(jī)會(huì)，并且此類創(chuàng)新可用于現(xiàn)存標(biāo)準(zhǔn)或預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)或其他具體實(shí)施中。

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8月20日，高通公開(kāi)了一項(xiàng)名為“具有自適應(yīng)刷新的存儲(chǔ)器系統(tǒng)“，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118525334A，申請(qǐng)日期為2023年1月13日。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，本專利公開(kāi)了一種具有自適應(yīng)刷新命令的存儲(chǔ)器系統(tǒng)。在一個(gè)方面，在通道內(nèi)具有多個(gè)存儲(chǔ)體的存儲(chǔ)器系統(tǒng)或設(shè)備可以從應(yīng)用處理器接收每存儲(chǔ)體命令，該每存儲(chǔ)體命令指示待刷新的第一存儲(chǔ)體并且提供關(guān)于待刷新的第二存儲(chǔ)體的附加信息。該應(yīng)用處理器基于哪些存儲(chǔ)體具有重業(yè)務(wù)與輕業(yè)務(wù)或沒(méi)有業(yè)務(wù)來(lái)選擇存儲(chǔ)體進(jìn)行刷新。

在另一示例性方面，可以發(fā)送四存儲(chǔ)體刷新命令，該四存儲(chǔ)體刷新命令指示待刷新的第一存儲(chǔ)體并且提供關(guān)于待刷新的第二存儲(chǔ)體至第四存儲(chǔ)體的附加信息。在另一示例性方面，可以發(fā)送八存儲(chǔ)體刷新命令，該八存儲(chǔ)體刷新命令指示待刷新的第一存儲(chǔ)體并且提供關(guān)于待刷新的第二存儲(chǔ)體至第八存儲(chǔ)體的附加信息。這三個(gè)新的刷新命令允許刷新相鄰或間隔的存儲(chǔ)體。

兩大半導(dǎo)體巨頭有新“身份”

8月22日，世界集成電路協(xié)會(huì)公布的“2023年全球半導(dǎo)體企業(yè)綜合競(jìng)爭(zhēng)力百?gòu)?qiáng)白皮書(shū)”顯示，臺(tái)積電和高通均進(jìn)入前十，分別位列第三和第七。

其中，臺(tái)積電是全球最大的晶圓代工龍頭廠商。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢此前公布的2024年第一季全球前十大晶圓代工營(yíng)收排名顯示，受智能手機(jī)、NB等消費(fèi)性備貨淡季影響，當(dāng)季臺(tái)積電營(yíng)收季減約4.1%，至188.5億美元。不過(guò)由于其他競(jìng)業(yè)同樣面臨消費(fèi)淡季挑戰(zhàn)，因此市占維持在61.7%。

集邦咨詢指出，隨著主要客戶Apple進(jìn)入備貨周期，及AI服務(wù)器相關(guān)HPC芯片需求持續(xù)穩(wěn)健，有機(jī)會(huì)帶動(dòng)臺(tái)積電第二季營(yíng)收呈個(gè)位數(shù)季成長(zhǎng)率走勢(shì)。