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          ABLIC推出面向智能手機、可穿戴設(shè)備的1節(jié)電池保護IC「S-821A/1B系列」

          —— 通過正端保護,確保鋼殼電池的安全性和可靠性
          作者: 時間:2024-10-31 來源:EEPW 收藏

          美蓓亞三美株式會社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的有限公司(總裁:田中誠司,總部地址:東京都港區(qū),下稱“”)今天推出使用N溝道MOSFET(※1)實現(xiàn)正端保護(※2)的1節(jié)「S-821A/1B系列」。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202410/464181.htm

          今天推出的新產(chǎn)品「S-821A/1B系列」是1節(jié)鋰離子,具有以下特點:(1)通過將進行充放電控制的N溝道MOSFET配置在鋰離子電池的正極側(cè)(正端),實現(xiàn)切斷電池正極側(cè)電流路徑的保護方式,同時,電池組側(cè)和系統(tǒng)側(cè)的共地為簡化系統(tǒng)設(shè)計做出貢獻。另外,由于內(nèi)置有業(yè)界最高等級的3倍升壓充電泵,所以N溝道MOSFET的驅(qū)動電壓高,降低了N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻;(2)備有業(yè)界頂級精度的放電過電流保護(3段),能夠在安全的領(lǐng)域切斷異常電流;(3)過充電檢測電壓精度為±15mV,實現(xiàn)業(yè)界頂級的高精度化;(4)通過節(jié)電功能,在禁止電池放電的同時,將保護IC的消耗電流降低到最大50nA,將電池的消耗電流抑制為近乎于0;(5)通過將NTC熱敏電阻與熱敏電阻連接端子(TH端子)連接,能夠?qū)崿F(xiàn)過熱保護功能。

          (※1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor /金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)
          (※2) 正端保護:在電池的正極側(cè)與負載之間插入MOSFET,發(fā)生異常時通過關(guān)閉MOSFET來切斷通電路徑,保護電路及設(shè)備

          Figure Example protection circuit using the S-821A Series

          【主要特點】

          1.實現(xiàn)N溝道正端保護

          2.通過3段放電過電流保護,實現(xiàn)更高的安全性

          3.過充電檢測電壓精度為±15mV,實現(xiàn)了業(yè)界頂級的高精度

          4.通過節(jié)電功能可以抑制消耗電流

          5. 通過連接NTC熱敏電阻,實現(xiàn)過熱保護功能

          ABLIC推出面向智能手機、可穿戴設(shè)備的1節(jié)電池保護IC「S-821A/1B系列」 - 通過正端保護,確保鋼殼電池的安全性和可靠性 -

          【應(yīng)用案例】

          鋰離子可充電電池組、鋰聚合物可充電電池組



          關(guān)鍵詞: ABLIC 電池保護IC 艾普凌科

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