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          功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(七)——熱等效模型

          作者: 時間:2025-01-23 來源:英飛凌 收藏

           前言 /

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/202501/466589.htm

          功率半導(dǎo)體是實現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識,才能完成精確,提高的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。

          熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。

          有了熱阻熱容的概念,自然就會想到在導(dǎo)熱材料串并聯(lián)時,就可以用阻容網(wǎng)絡(luò)來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構(gòu)成,各層都有一定的熱阻和熱容,哪怕是散熱器,其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導(dǎo)熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下的各層溫度如下圖,溫度的紋波是由熱容決定的。

          圖一:IGBT模塊和散熱器

          熱等效電路模型

          半導(dǎo)體元件的熱性能可使用各種等效電路模型來描述:

          連續(xù)網(wǎng)絡(luò)模型(Cauer模型):

          根據(jù)IGBT模塊的實際物理層和材料直接建立模型,如圖二所示。這個模型需要精確的材料參數(shù),特別是相關(guān)層的橫向傳熱參數(shù)。所需RC組合的數(shù)目取決于預(yù)期模型的分辨率。


          該模型是基于已知各層材料特性的情況下建立的,反映了基于熱容和熱阻的真實物理量。各個RC單元可基于模塊的各個層(芯片、芯片焊料、基板、基板焊料和底板)。因此,網(wǎng)絡(luò)節(jié)點是有對應(yīng)的溫度。

          圖二:Cauer模型

          局部網(wǎng)絡(luò)模型(Foster模型):

          和實際的物理層和材料沒有關(guān)系,通過測量熱阻和阻抗獲得,如圖三所示。使用局部網(wǎng)絡(luò)模型沒有必要知道確切的材料參數(shù)。RC組合的數(shù)目取決于測量點的數(shù)量,通常在3~6之間。

          圖三:Foster模型

          與連續(xù)網(wǎng)絡(luò)模型相比,局部網(wǎng)絡(luò)模型的各個RC元件不再與各層材料一一對應(yīng)。網(wǎng)絡(luò)節(jié)點沒有任何物理意義。數(shù)據(jù)手冊中的瞬態(tài)熱阻曲線就是采用Foster 模型,從上一篇 熱設(shè)計基礎(chǔ)(六)----瞬態(tài)熱測量》 中提到的測量冷卻曲線中提取參數(shù)。

          部分分項模型的熱阻抗可以表示為:

          其中:

          如圖四所示,IGBT的模塊數(shù)據(jù)表Z th(j-c) 曲線可以用Foster模型描述,相應(yīng)的系數(shù)電阻(r)和時間常數(shù)(τ)用測試得到的曲線擬合。

          圖四:基于Foster模型熱阻抗的示例(FF600R12ME4_B72)

          一個功率器件的損耗P (t),管殼溫度T (t),結(jié)溫T (t),它們之間的關(guān)系可確定如下:

          圖五:Foster模型

          在實際系統(tǒng)中,由于負(fù)載持續(xù)時間與散熱器的時間常數(shù)相比并不會短得可以忽略不計,因此并不能總是簡單的假設(shè)外殼和散熱器溫度是恒定的。要考慮瞬態(tài)運行工況,應(yīng)測量T (t),或?qū)GBT模型與散熱器模型關(guān)聯(lián)。

          考慮導(dǎo)熱脂層

          在這兩個模型中,使用R th 而不是通常未知的Z th 來描述導(dǎo)熱脂,這代表最惡劣的情況。如果再忽略局部網(wǎng)絡(luò)Foster模型中的熱容,加上的功率階躍會立即在整個熱阻鏈形成溫度差,結(jié)溫和導(dǎo)熱脂的溫度都會立即上升到一個恒定值,但這并不能反映出系統(tǒng)的物理行為。有兩種方法可以避免這問題:

          • 如果要通過測量確定散熱器的Z th ,則應(yīng)使用管殼溫度T 而不是散熱器溫度T 。在這種情況下,導(dǎo)熱脂包含在散熱器測量中。

          • 如果IGBT工況可以調(diào)整,那可以做到功率損耗P (t)已知,這樣可以直接測量外殼溫度 T (t),并按照圖五所示將其納入計算。

          將半導(dǎo)體模塊和散熱器

          合并為一個系統(tǒng)模型

          用戶通常會避免花太多精力去做測量,希望根據(jù)現(xiàn)有的IGBT/二極管模型和所需的散熱器數(shù)據(jù)創(chuàng)建一個散熱系統(tǒng)模型。連續(xù)分?jǐn)?shù)和部分分?jǐn)?shù)模型都可以描述IGBT的"結(jié)到管殼"和散熱器的"散熱器到環(huán)境"各自的導(dǎo)熱特性。如果要將IGBT和散熱器模型組合在一起,就會出現(xiàn)應(yīng)使用哪種模型的問題,尤其是在IGBT和散熱器參數(shù)已知的情況下。

          基于連續(xù)網(wǎng)絡(luò)模型

          (Cauer模型)熱系統(tǒng)模型

          連續(xù)網(wǎng)絡(luò)模型是由同類型的單個模型構(gòu)成,將每個單層依次加熱的物理概念形象化了。這些層依次加熱,熱流達(dá)到散熱器,因此散熱器溫度上升需要一定時間。Cauer模型可以通過仿真或從通過測量獲得的局部網(wǎng)絡(luò)模型Foster模型轉(zhuǎn)換過來。

          圖六:將連續(xù)網(wǎng)絡(luò)模型合并為一個系統(tǒng)模型

          通常的做法是通過對整個裝置的各個層進(jìn)行材料分析和有限元仿真來建立模型,但這只有在有特定散熱器數(shù)據(jù)的情況下才有可能,因為散熱器對半導(dǎo)體模塊內(nèi)的熱擴(kuò)散有影響,因此也會改變模塊的熱響應(yīng)時間,并由此對 th(j-c) 產(chǎn)生影響。實際應(yīng)用中的散熱器與散熱器仿真模型的偏差在模型將不會反映出來。

          通常在數(shù)據(jù)手冊中使用Foster模型,因為這可以通過測量和相關(guān)分析獲得,Z th(j-c) 描述器件很方便??梢詫oster模型轉(zhuǎn)換Cauer模型,Python和Matlab都有相應(yīng)的工具,但這種轉(zhuǎn)換結(jié)果并不唯一。就是說轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的熱阻(R th )和熱容(C th )數(shù)組并不唯一確定的,在新的連續(xù)網(wǎng)絡(luò)模型(Cauer模型)也沒有任何物理意義。因此,合并互不協(xié)調(diào)的Cauer模型可能會導(dǎo)致很大的誤差。

          基于Foster模型的熱系統(tǒng)模型

          數(shù)據(jù)手冊中的半導(dǎo)體模塊熱阻Foster模型,也是使用特定散熱器測試出來的。風(fēng)冷散熱器使模塊中的熱流擴(kuò)散范圍更廣,因此測量結(jié)果更好,即R th(j-c) 更低;而水冷式散熱器中的熱量擴(kuò)散不是很大,因此測量結(jié)果中的R th(j-c) 值比較高。


          數(shù)據(jù)手冊的熱阻是用水冷散熱器測得的,所以提供的Foster模型代表了更嚴(yán)酷的工況,這意味著應(yīng)用中安全裕量比較大。

          由于是串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)(見圖七),加在芯片上的功耗立即到達(dá)散熱器,因此,在早期階段,結(jié)溫的上升取決于散熱器模型。(由于熱容是串聯(lián)的,按照電容兩端電壓不能突變的概念,熱流立即傳到了散熱器)

          圖七:將Foster模型合并為一個系統(tǒng)模型

          對于風(fēng)冷散熱系統(tǒng),散熱器的時間常數(shù)從大約10秒到數(shù)百秒不等,這遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于IGBT本身的時間常數(shù)值--大約1s。在這種情況下,計算得出的散熱器溫升對IGBT溫度的影響程度非常小。

          但是,水冷散熱系統(tǒng)具有相對較低的熱容量,即相應(yīng)的時間常數(shù)較小。對于"非???quot;的水冷散熱器,即對半導(dǎo)體模塊基板進(jìn)行直接水冷卻(例如pin-fin和Wave模塊)的系統(tǒng),應(yīng)對半導(dǎo)體模塊加散熱器的整個系統(tǒng)進(jìn)行Z th 測量。Wave和普通銅基板模塊瞬態(tài)特性比較見下圖。

          FF600R12ME4W_B73 600A 1200V wave

          FF600R12ME4_B73 600A 1200V

          由于模塊中的熱擴(kuò)散會受散熱器影響,因此,無論是在連續(xù)網(wǎng)絡(luò)模型(Cauer模型)還是局部網(wǎng)絡(luò)模型(Foster模型)中,在將半導(dǎo)體模塊模型和散熱器模型構(gòu)成系統(tǒng)時都有誤差。克服這一問題的方法是對半導(dǎo)體模塊到散熱器的Z th 進(jìn)行建?;驕y量。只有通過測量熱阻抗Z th(j-a) ,即同時測量從芯片經(jīng)半導(dǎo)體模塊封裝、導(dǎo)熱脂、散熱器到環(huán)境的整個熱路徑,才能獲得完整的沒有人為誤差的熱系統(tǒng)模型。這樣就得到了整個系統(tǒng)的Foster模型,從而可以精確計算出芯片結(jié)溫。再一次強(qiáng)調(diào),高功率密度設(shè)計離不開對系統(tǒng)的熱測試和定標(biāo),這時平臺化設(shè)計的基礎(chǔ)。

          本文要點:

          1.數(shù)據(jù)手冊上的瞬態(tài)熱阻抗曲線是基于沒有物理意義的Foster模型,測試是采用水冷散熱器,熱容小,更嚴(yán)酷。

          2.瞬態(tài)熱阻抗曲線與散熱器的熱擴(kuò)散有關(guān),建議系統(tǒng)設(shè)計時,對芯片到散熱器直接進(jìn)行建?;驕y量。



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