通常情況下，停電是不可避免的，為了不破壞系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)，必須使用非易失性存儲器，如果使用EEPROM或閃速存儲器(Flash Memory)作為存儲介質(zhì)顯然是不合適的，因?yàn)樗鼈兊膶懖僮餍枰獢?shù)十毫秒，特別是在實(shí)時性要求較高的場合必須用電池支持的SRAM，它既有RAM的讀寫速度，又有ROM掉電數(shù)據(jù)不丟失的特性。另外使用電池支持的SRAM，還有一個優(yōu)點(diǎn)就是可以在SRAM中放置一些密碼字，起到硬件加密的作用。但是電池支持的SRAM在實(shí)際使用過程中有數(shù)據(jù)不可靠，容易丟失。另外電池容易受到環(huán)境因數(shù)的影響，例如濕度，振動。RAMTRON公司研制的鐵電存儲器成功批量生產(chǎn)解決了電池問題。它有以下特點(diǎn)：

　　1．非易失性：掉電后數(shù)據(jù)能保存10 年，所有產(chǎn)品都是工業(yè)級。
　　2．擦寫次數(shù)多：5V供電的FRAM 的擦寫次數(shù)1010次，低電壓的FRAM 的擦寫次數(shù)為無限次。
　　3．速度快：串口總線的FRAM 的CLK的頻率高達(dá)20M， 并且沒有10MS的寫等待周期，并口的訪問速度70NS。
　　4．功耗低：靜態(tài)電流小于10UA，讀寫電流小于150UA。
　　5．5V 供電的FRAM在讀寫次數(shù)超過100億次后還能和RAM一樣工作，只是數(shù)據(jù)不能保存。

　　存儲器模塊由Fm1808構(gòu)成，具體電路見本公司設(shè)計(jì)指南。Fm1808的片選引腳/CS信號與SRAM稍有不同，SRAM為低電平選通，而Fm1808為下降沿選通。（見下圖）掉電數(shù)據(jù)保護(hù)電路通過控制/CS保證了上電和掉電期間禁止Fm1808進(jìn)行寫操作。Fm1808有32K字節(jié)的空間。如需更大容量，可外擴(kuò)。在明年的上半年有望推出1Mbit鐵電存儲器。

　　RAMTRON另有一款多功能芯片F(xiàn)M3808（集成實(shí)時時鐘，看門狗，電壓檢測，32K FRAM），需外置電池或電容，但僅供時鐘電源。它可以取代電池支持的SRAM+時鐘+EEPROM方案。

　　鐵電技術(shù)是一種全新的技術(shù)，用在本系統(tǒng)中大大的減小了線路板的面積，降低了電路的復(fù)雜性，保證數(shù)據(jù)的可靠，有助供電管理部門作出更加合理的決策。