色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 存儲(chǔ)技術(shù)大揭曉:設(shè)計(jì)開發(fā)的你了解多少(一)

          存儲(chǔ)技術(shù)大揭曉:設(shè)計(jì)開發(fā)的你了解多少(一)

          作者: 時(shí)間:2013-10-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          微控制器的存儲(chǔ)架構(gòu)可能很簡單(圖1)。但是,隨著應(yīng)用開始朝便攜化、虛擬化和個(gè)性化方向發(fā)展,它們現(xiàn)在變得相當(dāng)復(fù)雜。多核(multicore)、許多核(many core)和集群架構(gòu),它們同樣在一個(gè)設(shè)備中融合了各種。高端微處理器將多個(gè)緩存級(jí)別與超多的互連和緩存一致方案整合在一起。

          不久以前,高速緩存缺失還只能調(diào)用擴(kuò)展到附近硬盤驅(qū)動(dòng)器的事件鏈。而現(xiàn)在,這種效應(yīng)已經(jīng)擴(kuò)展到固態(tài)磁盤(SDD)驅(qū)動(dòng)器和硬盤驅(qū)動(dòng)器,或者可能通過iSCSI將頁面提供給虛擬存儲(chǔ)系統(tǒng)從而延伸到云或局域網(wǎng)(LAN)。并且與應(yīng)用程序相關(guān)的所有操作都以透明方式處理。

          盡管如此,設(shè)計(jì)人員、開發(fā)人員、管理人員和用戶還需要考慮系統(tǒng)要使用的存儲(chǔ)器類型和數(shù)量及其配置方式。由于選擇方案多種多樣,他們現(xiàn)在所面臨的挑戰(zhàn)比過去更大。

          存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)

          圖1:現(xiàn)在,存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)的范圍相當(dāng)廣泛。它甚至可以通過互聯(lián)網(wǎng)連接擴(kuò)展到云領(lǐng)域。

          DRAM發(fā)展動(dòng)態(tài)

          DRAM的容量越來越大,速度越來越高,價(jià)格也越來越便宜。DDR3雙列直插內(nèi)存模塊(DIMM)目前的最高容量已經(jīng)達(dá)到16GB,運(yùn)行速率為533至800MHz,支持1066至1600 Mtransfers/s。標(biāo)準(zhǔn)DDR3的工作電壓為1.5V,但是最新的低功耗DDR3L的工作電壓為1.35 V,可以顯著降低功耗和減少發(fā)熱。

          DIMM和小外形DIMM(SODIMM)是臺(tái)式電腦、服務(wù)器和筆記本電腦的標(biāo)準(zhǔn)配置,而嵌入式存儲(chǔ)要求同樣永無止境。BGA器件(比如Micron的DDR3芯片)因其外形尺寸而受到移動(dòng)、工業(yè)和耐用型應(yīng)用的青睞(圖2)。DDR3內(nèi)存與處理器的堆疊式封裝匹配,在蘋果iPad等高端移動(dòng)設(shè)備中非常普遍。

          存儲(chǔ)技術(shù)大揭曉:設(shè)計(jì)開發(fā)的你了解多少(一)

          圖2:Micron公司的DDR3 BGA芯片非常適合用于嵌入式設(shè)計(jì)。

          BGA封裝可以為耐用型應(yīng)用提供內(nèi)存,但是對(duì)耐用型存儲(chǔ)器的需求仍然沒有降溫。SFF-SIG的RS-DIMM平臺(tái)填補(bǔ)了這一空白(圖3)。該模塊的尺寸為67.5mm×38mm×7.36mm(長×寬×高),支持9芯片和18芯片設(shè)計(jì)。用于DDR3的Samtec連接器的引腳分布,類似于標(biāo)準(zhǔn)DIMM的引腳分布。該標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定了可選的SATA接口。

          除了臺(tái)式電腦、筆記本電腦和服務(wù)器領(lǐng)域的其他內(nèi)存替代市場外,DDR3已經(jīng)占領(lǐng)了幾乎所有市場。不過,它確實(shí)還沒能取代嵌入式設(shè)計(jì)中的DDR2,在嵌入式設(shè)計(jì)中,兼容性和低速率較為普遍。芯片和系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員所面臨的挑戰(zhàn)是,DDR3的低功耗、高容量和成本優(yōu)勢非常明顯。此外,仍有大量的微控制器沒有DDR3的速度或存儲(chǔ)要求,而片上存儲(chǔ)器又不足以滿足要求。

          GDDR5顯存基于DDR3。由于其設(shè)計(jì)規(guī)則與DDR3相似,因此有助于降低成本和簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。與上一代相比,GDDR5的數(shù)據(jù)線路數(shù)有所增加。它現(xiàn)在主要用于高性能圖形和超級(jí)計(jì)算機(jī)環(huán)境。

          到目前為止,各種DDR實(shí)現(xiàn)方案采用的都是單端信令技術(shù)。截至目前,設(shè)計(jì)必須遵從信令限制,但是隨著實(shí)現(xiàn)的速度越來越高,這種局面有可能發(fā)生變化。高速串行接口,比如PCI Express、USB 3.0、SATA和串行連接SCSI(SAS),采用的都是差分信令技術(shù)。DDR可能也會(huì)經(jīng)歷這個(gè)階段。

          Rambus公司的太比特倡儀(Terabit Initiative)是該公司針對(duì)用于新一代內(nèi)存的差分信令系統(tǒng)所提出的倡儀。該公司正在展示為應(yīng)對(duì)這種轉(zhuǎn)變而推出的20Gbps串并轉(zhuǎn)換器(SERDES)。

          FlexMode設(shè)計(jì)定義了可處理DDR3、GDDR5及其新差分支持的接口,采用同一組引腳,由于差分對(duì)需要兩倍的線路,因此引腳的用途并不相同。


          上一頁 1 2 3 下一頁

          關(guān)鍵詞: 存儲(chǔ)技術(shù)

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉