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迷人的新型存儲
- 多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進制程。現(xiàn)代社會已經(jīng)進入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強。」但是已經(jīng)開始出現(xiàn)無法超越的
- 關(guān)鍵字： MRAM ReRAM PCRAM
上海“非易失性存儲器”研究躋身國際先進水平
- “非易失性存儲器”作為新一代國際公認存儲技術(shù)，越來越受到世界各國高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲器國際研討會上獲悉，上海在這一領域的研究已躋身國際先進水平。 與易失性存儲器相比，非易失性存儲器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點。隨著技術(shù)發(fā)展，非易失性存儲器分為相變存儲器、磁性存儲器、電阻式存儲器、鐵電存儲器等諸多類型。 中國科學院上海微系統(tǒng)所、中芯國際、micro-chip是產(chǎn)學研結(jié)合的團隊，一直致力于研究我國自
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 PCRAM
固態(tài)硬盤永遠無法徹底取代機械硬盤？
- 固態(tài)硬盤產(chǎn)業(yè)雖然風生水起，但受限于各種因素，短期內(nèi)還無法取代機械硬盤，而最新研究給出的結(jié)論是固態(tài)硬盤將永無出頭之日?！禝EEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù)，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結(jié)果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。 PCRAM我們偶爾
- 關(guān)鍵字： Intel 存儲芯片 PCRAM
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