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          IR潘大偉:善用功率器件,為節(jié)能設(shè)計保駕護(hù)航

          作者: 時間:2013-02-24 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          在可以預(yù)見的未來,電能將會成為我們主要的消耗能源。大至高速列車,小至手機(jī),都不能脫離電能而存在。無論什么類型的電能,大部分都難以直接使用,必須借助功率半導(dǎo)體進(jìn)行功率變換以驅(qū)動設(shè)備。近年來,全社會追求低能耗風(fēng)潮愈演愈烈,如變頻空調(diào)、變頻冰箱等產(chǎn)品層出不窮,其最終目的就在于最大限度減少電能損耗,實現(xiàn)變頻功能也需要發(fā)揮自身神奇作用。如何才能實現(xiàn)更高效的?是如何達(dá)成節(jié)能的?電子發(fā)燒友網(wǎng)編輯帶著種種疑問,專訪了知名電源廠商公司亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉先生。

            亟待解決電機(jī)問題

            隨著社會的發(fā)展不斷向前推進(jìn),人們的生活水平也得到了提高,冰箱、空調(diào)以及其他的自動化產(chǎn)品開始進(jìn)入千家萬戶。這些產(chǎn)品一年消耗的電量是一個龐大的數(shù)字,一直讓這些設(shè)備滿載運行不符合當(dāng)今節(jié)能減排的要求。因此變頻電機(jī)就因時而起,迅速走進(jìn)了大眾的眼球。我們知道,電子單元的設(shè)計很復(fù)雜,并且涉及到了數(shù)字、模擬和功率計三個方面。與此同時,設(shè)計者還必須要以較低的成本去滿足大批量推廣高性能產(chǎn)品,這就對設(shè)計平臺有較高的要求。相關(guān)節(jié)能方案是如何助力高效的?

          IR潘大偉:善用功率器件,為節(jié)能設(shè)計保駕護(hù)航
          公司亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉先生

            潘大偉表示,IR提供iMOTION?集成式設(shè)計平臺,整個平臺整合了所需要的數(shù)字、模擬和功率芯片,并且還有控制算法、開發(fā)軟件和設(shè)計工具,可以幫助工程師完成包括識字控制IC和μIPM?電源模塊的電機(jī)控制設(shè)計,從而能夠構(gòu)建整個系統(tǒng)。潘總強(qiáng)調(diào),這個平臺不但簡化了工業(yè)應(yīng)用以及采用變速電機(jī)家用電器的開發(fā),而且可以將產(chǎn)品能耗降低60%。

            談到具體的設(shè)計應(yīng)用,潘大偉還給我們舉了個實例:IR的高集成度小型μIPM?電源模塊系列(專利申請)面向高效電器和輕工業(yè)應(yīng)用。利用這個模塊可以實現(xiàn)冰箱的壓縮機(jī)驅(qū)動器、用于供暖和水循環(huán)的水泵、空調(diào)扇、洗碗機(jī)和自動化系統(tǒng)。由于整個產(chǎn)品采用了一個創(chuàng)新型的封裝,μIPM系列就能夠提供新的器件尺寸基準(zhǔn),進(jìn)而將占位面積在現(xiàn)有三相電機(jī)控制電源IC的基礎(chǔ)上縮小了60%之多。此外,還在線提供應(yīng)用實例和面向各種功率高達(dá)1800W的電機(jī)控制應(yīng)用的參考設(shè)計。

            IGBT等——善用節(jié)能利器

            由于具有開關(guān)速度高,開關(guān)損耗小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態(tài)壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅(qū)動,驅(qū)動功率小等優(yōu)勢,IGBT問世以來就受到廣大用戶的歡迎。尤其是在電機(jī)驅(qū)動器之類的工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,IGBT成為了首選的功率半導(dǎo)體器件。

            潘大偉特別強(qiáng)調(diào),功率損耗的降低和電流密度的提高是IGBT的優(yōu)勢,同時也成了高級IGBT開發(fā)的主要目標(biāo)。通過采用這樣的功率器件,不但可以提高系統(tǒng)效率,提升功率處理能力,還可以獲取成本優(yōu)勢。 例如減少余熱排出系統(tǒng)(散熱器)的數(shù)量。

            對于IGBT技術(shù)的進(jìn)展,潘大偉還給我們介紹了IR的一個平臺,那就是IR最新的Gen8 IGBT平臺,這個平臺提供了面向工業(yè)應(yīng)用的出色技術(shù)。該IGBT平臺還具有同類產(chǎn)品中最佳的Vce(on)、穩(wěn)定性和開關(guān)特性,專門用于解決工業(yè)市場的嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。第八代(Gen8)1200V IGBT平臺采用IR最新一代溝道柵場截止技術(shù),為工業(yè)和節(jié)能應(yīng)用提供了同類中最佳的性能。

            潘大偉還提到,Gen8 IGBT實現(xiàn)了出色的穩(wěn)定性。新技術(shù)具有更軟的關(guān)斷特性,是電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的理想之選,能夠?qū)v/dt降至最低水平,從而降低了EMI和過電壓,提高了可靠性和穩(wěn)定性。參數(shù)分布范圍窄,從而能夠在大電流電源模塊內(nèi)并聯(lián)多個IGBT時實現(xiàn)出色的電流共享。薄晶圓技術(shù)改善了熱阻,提供了高達(dá)175°C的最高結(jié)溫。

            新型功率器件為節(jié)能設(shè)計保駕護(hù)航

            最后,潘大偉介紹了IR采用IR最新功率MOSFET芯片300V器件系列,該系列產(chǎn)品為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供了基準(zhǔn)通態(tài)電阻(Rds(on))。例如110-120 VAC線路調(diào)節(jié)器和110-120 VAC電源與DC-AC逆變器,包括太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)。

            新功率MOSFET系列具有超低Rds(on),提高了系統(tǒng)效率,讓設(shè)計者能夠在并聯(lián)多個MOSFET的情況下減少元件數(shù)量。IR的300V MOSFET系列具有基準(zhǔn)Rds(on),能夠提供更高的效率、電源密度和可靠性,適于需要更高系統(tǒng)效率的工業(yè)應(yīng)用。新器件通過了工業(yè)級和一級濕度靈敏性(MSL1)認(rèn)證,不含鉛,符合RoHS指令的要求。

            半導(dǎo)體材料和技術(shù)的發(fā)展促進(jìn)了功率器件的發(fā)展進(jìn)步,兩者的配合應(yīng)用提高了電能的使用率,能夠逐漸滿足當(dāng)前要求的能源標(biāo)準(zhǔn)。希望借助IR公司提供的各種節(jié)能方案,開發(fā)出更多更好的產(chǎn)品,滿足社會日益增長的節(jié)能新需求。



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