國內外大多數光伏發(fā)電系統是采用功率場效應管MOSFET構成的逆變電路。然而隨著電壓的升高，MOSFET的通態(tài)電阻也會隨著增大，在一些高壓大容量的系統中，MOSFET會因其通態(tài)電阻過大而導致增加開關損耗的缺點。相比之下，絕緣柵雙極晶體管IGBT通態(tài)電流大，正反向組態(tài)電壓比較高，通過電壓來控制導通或關斷，這些特點使IGBT在中、高壓容量的系統中更具優(yōu)勢，因此采用IGBT構成太陽能光伏發(fā)電關鍵電路的開關器件，有助于減少整個系統不必要的損耗，使其達到最佳工作狀態(tài)。

1 原理
1．1 系統結構
太陽能光伏發(fā)電的實質就是在太陽光的照射下，太陽能電池陣列(即PV組件方陣)將太陽能轉換成電能，輸出的直流電經由逆變器后轉變成用戶可以使用的交流電。原理圖如圖1所示。

逆變器是太陽能光伏發(fā)電系統中的關鍵部件，因為它是將直流電轉化為用戶可以使用的交流電的必要過程，是太陽能和用戶之間相聯系的必經之路。因此要研究太陽能光伏發(fā)電的過程，就需要重點研究逆變電路這一部分。如圖2(a)所示，是采用功率場效應管MOSFET構成的比較簡單的推挽式逆變電路，其變壓器的中性抽頭接于電源正極，MOSFET的一端接于電源負極，功率場效應管Q1，Q2交替的工作最后輸出交流電力，但該電路的缺點是帶感性負載的能力差，而且變壓器的效率也較低，因此應用起來有一些條件限制。采用絕緣柵雙極晶體管IGBT構成的全橋逆變電路如圖2(b)所示。其中Q1和Q2之間的相位相差180°，其輸出交流電壓的值隨Q1和Q2的輸出變化而變化。Q3和Q4同時導通構成續(xù)流回路，所以輸出電壓的波形不會受感性負載的影響，所以克服了由MOSFET構成的推挽式逆變電路的缺點，因此采用IGBT構成的全橋式逆變電路的應用較為廣泛一些。

1．2 IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體管IGBT是相當于在MOSFET的漏極下增加了P+區(qū)，相比MOSFET來說多了一個PN結，當IGBT的集電極與發(fā)射極之間加上負電
壓時，此PN結處于反向偏置狀態(tài)，其集電極與發(fā)射極之間沒有電流通過，因此IGBT要比MOSFET具有更高的耐壓性。也是由于P+區(qū)的存在，使得IGBT在導通時是低阻狀態(tài)，所以相對MOSFET來說，IGBT的電流容量要更大一些。表1所示為MOSFET和IGBT的性能對比，其中MOSFET的門柵極驅動損耗是比較低的，但相比于IGBT來說，IGBT的門柵極驅動損耗更低一些。

2 電路設計
逆變電路中的前級DC-DC變換器部分采用PIC16F873單片機為控制核心，后級DC-AC部分采用高性能DSP芯片TMS320F240為控制核心的全橋逆變電路。為了提升太陽能光伏發(fā)電逆變器的效率，可以通過降低逆變器損耗的方式來完成，其中驅動損耗和開關損耗是重點解決對象。降低驅動損耗的關鍵取決于功率開關管IGBT的柵極特性，降低開關損耗的關鍵取決于功率開關管IGBT的控制方式，因此針對驅動損耗和開關損耗的特性提出以下解決方案。

2．1 驅動電路
驅動電路是將主控制電路輸出的信號轉變?yōu)榉夏孀冸娐匪枰尿寗有盘?，也就是說它是連接主控制器與逆變器之間的橋梁，因此驅動電路性能的設計是至關重要的。采用EXB841集成電路構成IGBT的柵極驅動電路如圖3所示，EXB841的響應速度快，可以通過控制其柵極的電阻來降低驅動損耗，提高其工作效率。EXB841內部有過電流保護電路，減少了外部電路的設計，使電路設計更加簡單方便。比較典型的EXB 841的應用電路，一般是在IGBT的柵極上串聯一個電阻Rg，這樣是為了可以減小控制脈沖前后的震蕩，而選取適當Rg的阻值則對IGBT的驅動有著相當重要的影響。此次電路在EXB841典型應用電路的基礎上，優(yōu)化IGBT柵極上串聯的電阻，使其在IGBT導通與關斷時，其電阻隨著需要而有所變化。