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          基于OTRA電流模式二階通用濾波器的設(shè)計(jì)

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          作者:李永安 時(shí)間:2007-01-26 來(lái)源:《現(xiàn)代電子技術(shù)》 收藏

          基于電流傳輸器(cc ⅱ)通用濾波器的設(shè)計(jì)技術(shù)已基本成熟[1-3],而由運(yùn)算跨阻放大器(otra)構(gòu)成的通用電壓模式濾波器已經(jīng)出現(xiàn)[4-6],由otra構(gòu)成的通用電流模式濾波器也受到人們的關(guān)注[7]。然而,由單個(gè)otra構(gòu)成的通用濾波器還未見(jiàn)報(bào)道。鑒于otra能減小寄生電容的影響[7,8],且其有限跨阻增益也可通過(guò)外界電容補(bǔ)償[4],由otra構(gòu)成的濾波器比cc ⅱ組成的相應(yīng)電路性能更為優(yōu)良。因此,設(shè)計(jì)單otra電流模式濾波器,將是十分有意義的工作。本文以cc ⅱ通用二階電流模式濾波器為原形,采用1個(gè)otra,1個(gè)mos電壓跟隨器,1個(gè)coms電壓反相器,5個(gè)無(wú)源元件,設(shè)計(jì)了二階通用電流模式濾波器,可同時(shí)獲得高通、帶通和低通輸出,該電路較少受寄生電容的影響,具有低的無(wú)源靈敏度,且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,便于電控調(diào)諧。這對(duì)高階濾波器的級(jí)聯(lián)及單片集成技術(shù)都具有積極的指導(dǎo)作用。

          1 基本電路

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/20799.htm

          1.1 運(yùn)算跨阻放大器(otra)

          圖1為otra的電路符號(hào),其端口特性為[5]:

          v+=v_=0     (1)

          vo=rm(i+-i_) (2)

          顯然,otra的2個(gè)輸入端虛地,這就使得電路較少受雜散電容的影響。在理想情況下,可以認(rèn)為rm為無(wú)窮大,因此,只要對(duì)otra施加負(fù)反饋,必有:

          1.2 cc ⅱ電流模通用二階濾波器原型

          圖2為cc ⅱ電流模式通用二階濾波器原型電路[3],圖中有源器件為cc ⅱ-和mos電壓跟隨器vf(文獻(xiàn)[3]中電路有誤,此處已更正)。容易看出電路的特點(diǎn)是:



          v2(s)=v1(s);iy(s)=0

          以上特點(diǎn)是我們構(gòu)造otra電流模二階通用濾波器的依據(jù)。

          2 otra電流模濾波器的生成

          由圖2電路構(gòu)造出otra電流模式濾波器如圖3所示。除使用3個(gè)電阻、2個(gè)電容外,還使用了1個(gè)mos電壓跟隨器vf,1個(gè)cmos電壓反相器[9]。

          與圖2電路相同,iin電流信號(hào)先經(jīng)過(guò)r2,c1所組成的一階低通濾波器,節(jié)點(diǎn)1電壓通過(guò)mos電壓跟隨器轉(zhuǎn)移到節(jié)點(diǎn)2,保證了i2電流是v1在r1形成的。由于otra認(rèn)為是理想的,因此i-(s)=i2(s),從而使 為一理想受控電壓源,因原型電路中v4(s)為負(fù),為此,在節(jié)點(diǎn)3與4間加一cmos電壓反相放大器。對(duì)圖3電路可列寫(xiě)以下方程:

          聯(lián)立上述方程組,可得各電流轉(zhuǎn)移函數(shù)為:




          式(11),(12),(13)所對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移函數(shù)分別是高通、帶通和低通濾波函數(shù),因此電路實(shí)現(xiàn)了高通、帶通和低通濾波。電路的極點(diǎn)角頻率和品質(zhì)因素分別為:

          各增益常數(shù)依次為:

          ωp和q的靈敏度為:

          3 結(jié)語(yǔ)

          本文提出了基于單otra通用二階電流模式濾波器,該電路具有以下特點(diǎn):

          (1)同時(shí)實(shí)現(xiàn)二階高通、帶通和低通濾波。

          (2)電路較少受寄生電容的影響,性能穩(wěn)定。

          (3)低的無(wú)源靈敏度。

          (4)若用mos電阻代替分立電阻,可實(shí)現(xiàn)單片集成。



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