1. 普通二極管（General Purpose Diode）
又稱整流二極管（Rectifier Diode）
多用于開關(guān)頻率不高（1kHz以下）的整流電路中其反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，一般在5?s以上，這在開關(guān)頻率不高時(shí)并不重要正向電流定額和反向電壓定額可以達(dá)到很高，分別可達(dá)數(shù)千安和數(shù)千伏以上

2. 快速恢復(fù)二極管（Fast Recovery Diode—FRD）
從性能上可分為快速恢復(fù)和超快速恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100ns以下，甚至達(dá)到20~30ns。
分為PN結(jié)型結(jié)構(gòu)和PIN結(jié)構(gòu)兩種。采用外延型PIN結(jié)構(gòu)的的快速恢復(fù)外延二極管（Fast Recovery Epitaxial Diodes—FRED），其反向恢復(fù)時(shí)間比較短（可低于50ns），正向壓降也很低（0.9V左右），但其反向耐壓多在1200V以下。

3. 肖特基二極管
以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管稱為肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode——SBD），簡(jiǎn)稱為肖特基二極管20世紀(jì)80年代以來(lái)，由于工藝的發(fā)展得以在電力電子電路中廣泛應(yīng)用
肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)
反向恢復(fù)時(shí)間很短（10~40ns）正向恢復(fù)過(guò)程中也不會(huì)有明顯的電壓過(guò)沖在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很?。ㄒ话?.5V左右），明顯低于快速恢復(fù)二極管（一般1V左右）
其開關(guān)損耗和正向?qū)〒p耗都比快速二極管還要小，效率高 肖特基二極管的弱點(diǎn)
當(dāng)反向耐壓提高時(shí)其正向壓降也會(huì)高得不能滿足要求，因此多用于200V以下反向漏電流較大且對(duì)溫度敏感，因此反向穩(wěn)態(tài)損耗不能忽略，而且必須更嚴(yán)格地限制其工作溫度.