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          高速高密度PCB設計中電容器的選擇

          作者: 時間:2011-04-10 來源:網絡 收藏
          輯LSI 必須使用這種技術[14]。此次開發(fā)的技術就是指將過去封裝在LSI 封裝外部的去耦
          電容器封裝到內部。由此將會最大限度地縮短電容器與倒裝芯片之間的距離。因封閉內部布
          線的寄生電感減小了,故開關時即可迅速向倒裝芯片供應電荷,結果使電源電壓更加穩(wěn)定。
          預計這項技術會很快走向實用。
          此類技術也給高速高密度PCB 設計,帶來新的理念和條件,值得充分重視。
          4 結束語
          高速高密度PCB 設計技術不斷發(fā)展,對所使用的電容器性能要求越來越高;隨著電容器技術
          的不斷進步,新型電容器不斷出現(xiàn);針對高速高密度PCB 的電容器應用技術的研究不斷深入。
          這些都使得在高速高密度PCB 設計中,恰當選用電容器,不是一件簡單的事。盡管電容器的
          種類較多,但對某一具體應用,最合適的通常只有一兩種。全面認識高速高密度PCB 的特點
          和電容器的高頻特性,及時了解相關的新器件和新技術,綜合考慮具體應用需要、技術難度、
          經濟成本等因素,對恰當選用電容器是十分必要的。
          本文的討論對高速高密度PCB 設計中電容器的選擇具有一定的指導作用。


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