色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計應(yīng)用 > 高速電路設(shè)計和信號完整性分析

          高速電路設(shè)計和信號完整性分析

          作者: 時間:2006-05-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          隨著技術(shù)的進步,目前高速集成電路的信號切拘時間已經(jīng)達到幾百ps,時鐘頻率也可達到幾百MHz如此高的邊沿速率導致印刷電路板上的大量互連線產(chǎn)生低速電路中所沒有的傳輸線效應(yīng),使信號產(chǎn)生失真,嚴重影響信號的正確傳輸。若在電路板設(shè)計時不考慮其影響,邏輯功能正確的電路在調(diào)試時往往會無法正常工作。為了解決這個問題,在設(shè)計高速電路時必須進行分析,采用虛擬樣板對系統(tǒng)進行透徹仿真,精確分析電路的布局布線對的影響,并以此來指導電路的設(shè)計。這樣,以往很多在調(diào)試時才能發(fā)現(xiàn)的問題,在設(shè)計期間就可以解決,極大地提高了設(shè)計成功率,縮短了設(shè)計周期。

          要對信號進行完整性分析,首先要建立精確的器件模型。以前在電路仿真時普遍采用SPICE模型,它是建立在電路基本元器件(如晶體管、電阻、電容等)的工作機理和物理細節(jié)之上的,可以精確地在電路器件一級仿真系統(tǒng)的工作特性,驗證系統(tǒng)的邏輯功能,因此在集成電路設(shè)計中得到了廣泛的應(yīng)用。因為它能夠精確計算出系統(tǒng)的靜態(tài)和動態(tài)等各種工作特性, 所以也可以用來進行系統(tǒng)級的分析。但是使用SPICE模型有一些難以克服的缺點:首先,由于SPICE模型是晶體管一級的模型,隨著現(xiàn)在集成電路規(guī)模越來越大,即使只建立各個管腳的SPICE模型,也會包含成千上萬晶體管一級的器件,所以其仿真速度必然很慢,這對于交互的設(shè)計來講是不可接受的;其次,由于SPICE模型涉及到許多集成電路設(shè)計方面的細節(jié),一般集成電路廠商都不愿意公共提供,限制了它的廣泛誚。我,需要有另外一種通用的模型來替代SPICE模型完成信號完整性分析,模型正是在這種情況下產(chǎn)生的。模型是通過一族電流/電壓(I/V)和電壓/時間(V/T)曲線來描述各個器件管腳的輸入輸出(I/O)特性的。由于模型只描述器件的外部特性,不涉及到器件的內(nèi)部細節(jié),不存在知識產(chǎn)權(quán)泄漏的問題,因此得到了各大集成電路廠商的技術(shù)。另外IBIS模型的抽象層次比SPICE模型高,是建立在器件一級的模型,模擬時所需的計算量少,因此模擬速度大為提高,一般比SPICE模型高兩個數(shù)量級,非常適合于系統(tǒng)級的仿真。現(xiàn)在IBIS模型已經(jīng)被接納為國際標準EIA/ANSI-656,版本也從ver1.0發(fā)展到了現(xiàn)在的ver3.2。

          1 IBIS模型的構(gòu)成

          圖1描述了一個輸入/輸出緩沖器的整體結(jié)構(gòu)模型,每一個方框代表了ISIB模型的一個構(gòu)成要素,其中包括封裝參數(shù)、鉗位二極管、上拉/下拉I/V曲線、上升/下降速率等。

          下面以CMOS電路輸入/輸出緩沖器為例介紹IBIS建模的基本原理,其它器件的建??蓞⒖糏BIS規(guī)范。

          1.1 輸入模型

          輸入緩沖器模型包括了影響信號傳輸質(zhì)量的主要因素,如圖2所示。C_pkg、R_pkg、L_pkg為管腳的封裝參數(shù),分別對應(yīng)封裝所引起的寄生電容、電阻和電感;C_comp為管腿的輸入電容,由器件的內(nèi)容結(jié)構(gòu)決定;Power_Clamp和GND_Clamp分別表示管腿的輸入鉗位二極管,其特性用輸入電流/電壓(I/V)曲線來描述。

          1.2 輸出模型

          輸出模型比輸入模型稍微復(fù)雜一些,如圖3所示。C_pkg、R_pkg、L_pkg仍然是管腿的封裝參數(shù);C_comp是管腿的輸出電容,Power_Clamp和GND_Clamp分別表示管腿的輸出鉗位二極管,其特性也用V/I曲線來描述;與輸入不同的是輸出模型中多了Pullup和Pulldown參數(shù),Pullup表示輸出為高電平時同的上拉電壓與輸出電流的關(guān)系,Pulldown的意義則相反,它們都用V/I曲線描述;Ramp_rate表示輸出電壓的變化速率,這是一個動態(tài)參數(shù),用以描述器件的交流特性。

          1.3 IBIS模型的表示

          同SPICE模型一樣,IBIS模型文件也用可閱讀的ASCII碼表示,一個器件的IBIS模型由若干部分組成,每一部分都以一個關(guān)鍵字開頭,然后對所定義的關(guān)鍵字利用數(shù)據(jù)或表格的形式進行描述。下面是一個簡單的IBIS模型文件的示例,其中包括了一些最常用的關(guān)鍵字:

          [IBIS Ver] 2.1

          [Comment Char] |_char

          [File Name] n74f244n.ibs

          [File Rev] 2.0

          [Date] September 17,1997

          [Source] File originated at Intel Corporation,as an example of an IBIS Version 1.0 file.

          [Notes] This is modified from an original Version 1.0 example to include some IBIS Version 2.1 features to illustrate some keywords,sub parameters and IBIS format style.

          [Disclaimer] This information is for modeling purposes only,and is not guaranteed.

          [Copyright] None

          [Component] N74F244N

          [Manufacturer] Philips

          [Package]

          | typ min max

          R_pkg 50m 10m 100m

          L_pkg 6.3nH 2.4nH 10.2nH

          C_pkg 1.35pF 0.89pF 1.81pF

          |

          [Pin] signal_name model_name R_pin L_pin C_pin

          |

          1 Oea# ENABLE NA 10.2nH 1.81pF

          2 Ia0 F244_INP NA 7.8nH 1.50pF

          3 Yb0 F244_OUT NA 5.8nH 1.17pF

          … data omitted …

          20 Vcc POWER NA 10.2nH 1.81pF

          | F244_OUT MODEL

          [Model] F244_OUT

          Model_type 3-state

          Polarity Non-Inverting

          Enable Active-Low

          Rref = 500

          Cref = 50pF

          Vref = 0V

          Vmeas = 1.5V

          | typ min max

          [Voltage Range] 5.0V 4.5V 5.5V

          [Pulldown]

          | Voltage I(typ) I(min) I(max)

          -5.0V -16m -15.2m -16.5m

          -4.0V -14m -13.2m -14.5m

          … data omitted …

          10.0V 755m 612m 810m

          [Pullup]

          … data omitted …

          [GND Clamp]

          | Voltage I(typ) I(min) I(max)

          -5.0V -784m -756m -811m

          -1.0V -64m -56m -71m

          … data omitted …

          5.0V 0.0m 0.0m 0.0m

          [Ramp]

          | typ min max

          dV/dt_r 1.5/2.00n 1.5/2.98n 1.5/1.61n

          dV/dt_f 2.0/1.21n 2.0/1.74n 2.0/0.65n

          | F244_INP MODEL

          … data omitted …

          | ENABLE MODEL

          … data omitted …

          |

          [End]

          IBIS模型可以由集成電路廠商提供,也可以通過實際測量得到,或者將已有的SPICE模型進行轉(zhuǎn)換,現(xiàn)在已經(jīng)有許多成熟的轉(zhuǎn)換程序供使用。

          2 IBIS模型的精度

          由于IBIS模型是通過SPICE模型轉(zhuǎn)換或直接測量得到的結(jié)果,因此它具有較高的精度,能夠很好地反映器件的外部特性。圖4是一個典型電路。

          該電路用一個輸出緩沖器驅(qū)動一段傳輸線負載,并測量傳輸線末端的電壓波形。圖5是分別用SPICE模型和IBIS模型仿真得到的結(jié)果。

          從圖5可以看出,兩種方法的仿真結(jié)果相差無幾,因此利用IBIS模型進行信號完整性分析是非常精確和可靠的。

          3 利用IBIS模型進行信號完整性分析

          懂得了IBIS模型的基本原理,就可以方便地對所設(shè)計的電路進行信號完整性分析了。由于IBIS模型具有高精度以及器件透明性等優(yōu)點,其一推出就得到了各大EDA廠商的支持?,F(xiàn)在各種EDA工具都具有利用IBIS模型進行系統(tǒng)仿真的功能,有些還將其與設(shè)計工具集成在一起,設(shè)計過程中可以直接在線進行信號的仿真驗證,使用非常方便。

          3.1 信號完整性分析的原理

          雖然各種EDA工具對信號完整性分析的實現(xiàn)方法不同,但其基本原理卻是一致的。電路都是由器件通過導線互聯(lián)構(gòu)成的,信號完整性分析的基本單元就是連接若干個器件的布線網(wǎng)絡(luò),如圖6所示。

          每一個網(wǎng)絡(luò)所連接的管腿的I/O特性直接由相應(yīng)器件的IBIS模型來描述(無源器件也可以使用SPICE模型),各個器件之間的互聯(lián)導線則等效成傳輸線模型。傳輸線的具體參數(shù)可以根據(jù)板的厚度、材料、層數(shù)、布線的線寬、間距等已知參數(shù)計算得到,各個網(wǎng)絡(luò)之間由于導線交叉耦合而引起的寄生參數(shù)如寄生電容、電阻、電感等也可以計算出來。這樣,在信號傳輸?shù)娜^程中,從源端發(fā)送一直到目的端接收的主要影響因素就都已經(jīng)包括在內(nèi),再根據(jù)相應(yīng)的電路理論就可以精確計算出信號在傳輸過程中所發(fā)生的各種變化。

          3.2 信號完整性分析的應(yīng)用

          3.2.1 信號延遲分析

          一些高速數(shù)字電路,如存儲器接口等,要求各個存儲芯片的時鐘相位偏差不能過大,否則可能膾引起讀寫錯誤,這就要求從時鐘發(fā)生器到各個芯片接收端因PCB布線引起時鐘延遲要大致相等。利用信號完整性分析工具,就可以方便地模擬時鐘到達各個芯片的時間延遲,從而調(diào)整相應(yīng)的布局布線以達到預(yù)定的要求。

          3.2.2 信號畸變分析

          利用信號波形可以直觀地觀察信號在傳輸過程中所發(fā)生的畸變,包括過沖、下沖、振鈴等各種現(xiàn)象。IBIS模型提供了電路的動態(tài)參數(shù),因此可以模擬脈沖傳輸?shù)娜^程。對比傳輸前后信號波形的變化,就可以知道電路設(shè)計能否滿足要求,如不滿足則可以做出相應(yīng)的修改。

          3.2.3 信號串擾分析

          串擾是指兩個不同的電性能網(wǎng)絡(luò)之間相互作用。產(chǎn)生串擾的被稱為Aggressor,而接干擾的被 稱為Victim。通常,一個網(wǎng)絡(luò)既是Aggressor,又是Victim。嚴重的串擾會導致信號的延遲增加、波形畸變加劇等后果。串擾是電路設(shè)計中最難解決的問題之一,因為在電路的最后調(diào)試過程中很難判斷是由于串擾引起的還是其它因素影響的。目前解決這個問題的最好方法就是在電路設(shè)計過程中進行模擬,預(yù)選避免由于串擾而可能引起的各種問題。

          4 信號完整性分析應(yīng)用示例

          下面通過一個阻抗匹配的例子說明如何進行信號完整性分析,分析工具采用Cadence公司的Signoise(其它PCB設(shè)計軟件也有相類似的工具,如PADS的Linesim和Boardsim,Protel的Signal Integrity Tools等)。

          阻抗匹配是電路設(shè)計中經(jīng)常遇到的問題。當負載的阻抗與驅(qū)動源的阻抗不相等時,信號傳輸時會在源與目的之間來回反射多次,從而導致過沖、振鈴等現(xiàn)象而使信號質(zhì)量變差,阻抗匹配的目的就是通過端接適當?shù)碾娮枋乖春湍康亩说淖杩勾笾孪嗟取?/P>

          示例電路很簡單,如圖7所示。用一個74LS245作為驅(qū)動源驅(qū)動一個74LS245負載,中間串入電阻R作為阻抗匹配電阻,激勵信號采用占空比為50%的50MHz方波。

          仿真前首先為器件分配IBIS模型,一般是由芯片供應(yīng)商提供,也可使用Signoise自帶的模型仿真庫中的模型;然后將激勵信號設(shè)為占空比為50%的50MHz方波。這樣就可以進行仿真分析了。PCB板的布線線寬為6mil(mil:千分之一英寸),為了突出傳輸線效應(yīng)走線長度拉長為5英寸,通過改變阻抗匹配電阻R的值,可得到一組驅(qū)動端與負載端的信號曲線,如圖8所示。

          從以上各組曲線可以看出,匹配電阻的改變對信號質(zhì)量有很大影響。電阻值較小時信號有較大的震蕩,電阻值過大時信號又上升緩慢,延遲時間變長。其中R=33Ω時信號上升速度快且沒有振蕩,信號質(zhì)量最好,所以阻抗匹配電阻應(yīng)取為33Ω。由此可以看出,信號完整性分析能夠幫助我們提早發(fā)現(xiàn)電路設(shè)計中的問題,并且能夠根據(jù)仿真結(jié)果修改電路參數(shù)以達到預(yù)定要求。

          現(xiàn)在,電路板設(shè)計下在向高密度、高速度、小型化、低成本的方向發(fā)展,而且由于市場的激烈競爭,技術(shù)的不斷更新?lián)Q代,設(shè)計周期越來越短,傳統(tǒng)的先設(shè)計后驗證的方法已經(jīng)不能適應(yīng)這種發(fā)展趨勢。在國外,設(shè)計復(fù)用、并行設(shè)計、信號完整性驗證已經(jīng)成為設(shè)計者推崇的三大要求。但在國內(nèi),由于技術(shù)、資金等各方面條件的限制,還沒有獲得廣泛的應(yīng)用,因此急待學習和改善條件,以提高我們的設(shè)計水平,增強產(chǎn)品的競爭力。



          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉