eeprom_write_block (ORGDATA[0], Eval[0], 16); //塊寫入
//看看EEPROM數據是否是能失電永久保存，可以注釋上面這句程序(不寫入，只是讀出)，然后編譯，燒寫,斷電(一段時間),上電,調試。
eeprom_read_block (CMPDATA[0],Eval[0], 16); //塊讀出,然后看看數據對不對？

while (1);
}
/*
ATmega16 包含512 字節(jié)的EEPROM 數據存儲器。
它是作為一個獨立的數據空間而存在的，可以按字節(jié)讀寫。
EEPROM的壽命至少為100,000 次擦除周期。
EEPROM的訪問由地址寄存器EEAR、數據寄存器EEDR和控制寄存器EECR決定。
也可以通過ISP和JTAG及并行電纜來固化EEPROM數據
EEPROM數據的讀取:
當EEPROM地址設置好之后，需置位EERE以便將數據讀入EEDR。
EEPROM數據的讀取需要一條指令，且無需等待。
讀取EEPROM后CPU 要停止4 個時鐘周期才可以執(zhí)行下一條指令。
注意:用戶在讀取EEPROM 時應該檢測EEWE。如果一個寫操作正在進行，就無法讀取EEPROM，也無法改變寄存器EEAR。
EEPROM數據的寫入:
1 EEPROM的寫訪問時間(自定時時間，編程時間)
自定時功能可以讓用戶軟件監(jiān)測何時可以開始寫下一字節(jié)。(可以采用中斷方式)
經過校準的1MHz片內振蕩器用于EEPROM定時,不倚賴CKSEL熔絲位的設置。
改變OSCCAL寄存器的值會影響內部RC振蕩器的頻率因而影響寫EEPROM的時間。
EEPROM自定時時間約為8.5 ms 即1MHz片內振蕩器的8448個周期
注意：這個時間是硬件定時的，數值比較保險，其實真正的寫入時間根本就用不了8.5mS那么長,而且跟電壓有關，但芯片沒有提供其他的檢測編程完成的方法
這個問題表現在舊版的AT90S系列上面，由于沒有自定時，數值定得太短，ATMEL給人投訴到頭都爆，呵呵！
參考: 《用ATmega8535替換AT90S8535》文檔里面的
寫EEPROM定時的改進
在AT90S8535中寫EEPROM的時間取決于供電電壓，通常為2.5ms@VCC=5V，4ms@VCC=2.7V。
ATmega8535中寫EEPROM的時間為8448個校準過的RC振蕩器周期 (與系統時鐘的時鐘源和頻率無關)。
假定校準過的RC振蕩器為1.0MHz，則寫時間的典型值為8.4ms，與VCC 無關。

2 為了防止無意識的EEPROM 寫操作，需要執(zhí)行一個特定的寫時序
(如果使用編譯器的自帶函數，無須自己操心)
寫時序如下( 第3 步和第4 步的次序并不重要)：
1. 等待EEWE 位變?yōu)榱?BR>2. 等待SPMCSR 中的SPMEN 位變?yōu)榱?BR>3. 將新的EEPROM 地址寫入EEAR( 可選)
4. 將新的EEPROM 數據寫入EEDR( 可選)
5. 對EECR 寄存器的EEMWE 寫"1"，同時清零EEWE
6. 在置位EEMWE 的4 個周期內，置位EEWE
經過寫訪問時間之后，EEWE 硬件清零。
用戶可以憑借這一位判斷寫時序是否已經完成。
EEWE 置位后，CPU要停止兩個時鐘周期才會運行下一條指令。

注意：
1:在CPU 寫Flash 存儲器的時候不能對EEPROM 進行編程。
在啟動EEPROM 寫操作之前軟件必須檢查 Flash 寫操作是否已經完成
步驟(2) 僅在軟件包含引導程序并允許CPU對Flash 進行編程時才有用。
如果CPU 永遠都不會寫Flash，步驟(2) 可省略。

2:如果在步驟5 和6 之間發(fā)生了中斷，寫操作將失敗。
因為此時EEPROM 寫使能操作將超時。
如果一個操作EEPROM的中斷打斷了另一個EEPROM操作，EEAR 或EEDR寄存器可能被修改，引起EEPROM 操作失敗。
建議此時關閉全局中斷標志I。
經過寫訪問時間之后，EEWE 硬件清零。用戶可以憑借這一位判斷寫時序是否已經完成。
EEWE 置位后，CPU要停止兩個時鐘周期才會運行下一條指令。

在掉電休眠模式下的EEPROM寫操作
若程序執(zhí)行掉電指令時EEPROM 的寫操作正在進行， EEPROM 的寫操作將繼續(xù)，并在指定的寫訪問時間之前完成。
但寫操作結束后，振蕩器還將繼續(xù)運行，單片機并非處于完全的掉電模式。因此在執(zhí)行掉電指令之前應結束EEPROM 的寫操作。

防止EEPROM數據丟失
若電源電壓過低，CPU和EEPROM有可能工作不正常，造成EEPROM數據的毀壞(丟失)。
**這種情況在使用獨立的EEPROM 器件時也會遇到。因而需要使用相同的保護方案。
由于電壓過低造成EEPROM 數據損壞有兩種可能：
一是電壓低于EEPROM 寫操作所需要的最低電壓；
二是CPU本身已經無法正常工作。
EEPROM 數據損壞的問題可以通過以下方法解決：
當電壓過低時保持AVR RESET信號為低。
這可以通過使能芯片的掉電檢測電路BOD來實現。如果BOD電平無法滿足要求則可以使用外部復位電路。
若寫操作過程當中發(fā)生了復位，只要電壓足夠高，寫操作仍將正常結束。
(EEPROM在2V低壓下也能進行寫操作---有可以工作到1.8V的AVR芯片)

掉電檢測BOD的誤解
AVR自帶的BOD(Brown-out Detection)電路，作用是在電壓過低(低于設定值)時產生復位信號，防止CPU意外動作.
對EEPROM的保護作用是當電壓過低時保持RESET信號為低，防止CPU意外動作，錯誤修改了EEPROM的內容

而我們所理解的掉電檢測功能是指 具有預測功能的可以進行軟件處理的功能。
例如，用戶想在電源掉電時把SRAM數據轉存到EEPROM，可行的方法是
外接一個在4.5V翻轉的電壓比較器(VCC=5.0V,BOD=2.7V)，輸出接到外部中斷引腳(或其他中斷)
一但電壓低于4.5V,馬上觸發(fā)中斷，在中斷服務程序中把數據寫到EEPROM中保護起來
注意: 寫一個字節(jié)的EEPROM時間長達8mS,所以不能寫入太多數據，電源濾波電容也要選大一些