防止VCC電壓過高燒壞芯片，建議D6取0.5W，12V的穩(wěn)壓管。

　　10.電解電容C7

　?。?） 電容耐壓Vdss

　　由于有12V的穩(wěn)壓管D6，所以電容耐壓大于或等于16V即可。

　?。?） 電容容量C

　　定量計算比較困難，實測中發(fā)現(xiàn)電容容量取4.7uF可以滿足要求。

　?。?） 電容類型

　　由于用到的電容量較大，一般使用鋁電解電容。

　?。?） 等效串聯(lián)阻抗ESR

　　ESR越小，損耗越小。

　　（5） 額定溫度

　　實際工作溫度不能超出額定溫度范圍。

　?。?） 體積

　　由于電容C7的容量小耐壓低，所以體積基本可以不考慮。

　?。?） 使用壽命

　　由于一般LED使用的壽命比電解電容的壽命長，所以盡量選擇壽命長的電解電容。

　　■ 所以選擇耐壓大于或等于16V，電容值大于或等于4.7uF，壽命長的電解電容。

　　11.電感L1

　?。?） 電感量L1

　　當(dāng)電路工作在電流連續(xù)模式和電流非連續(xù)模式之間的臨界模式時， ΔI=2I o，max，此時電感可以按照下面的公式計算：

　　這是臨界模式時的電感取值，為保證電路工作在電流連續(xù)模式，電感取值要大于上面計算得到的值，電感取值越大輸出電流的紋波越小。

　?。?） 電感飽和電流IL

　　由上式可以看出電感量越大，電感的飽和電流越小。

　?。?） 電感線徑R

　　以截面積1mm2的銅線過5A電流計算，則電感線的截面積為LI/5，所以電感的線徑為

　?。?） 電感體積

　　受到空間的限制，在保證電感量和電感飽和電流的情況下，電感體積越小越好，如果一個電感體積太大，可以考慮用2個電感串聯(lián)。

　　■ 所以選擇電感量大于0.96mH，并且飽和電流大于IL的電感。

　　12.續(xù)流二極管D4

　?。?） 最大反向耐壓VRRM

　　當(dāng)mos管導(dǎo)通時，二極管D4承受的反向耐壓為

　　所以選取反向耐壓為600V.

　?。?） 額定電流Irating

　　mos管關(guān)斷后，D4給電感L1提供續(xù)流回路，所以通過D4的電流不會超過電感L1飽和電流IL.

　?。?） 反向恢復(fù)時間trr

　　由于電路工作的頻率較高，所以需要反向恢復(fù)時間小的超快恢復(fù)肖特基，以防止誤觸發(fā)，建議選用trr小于或等于75ns的超快恢復(fù)肖特基。

　　（4） 正向?qū)▔航礦F

　　正向?qū)▔航礦F越小，效率越高，盡可能選擇正向?qū)▔航敌〉某旎謴?fù)肖特基。

　　■所以選擇反向耐壓為600V，額定電流為1A，反向恢復(fù)時間小于或等于75ns的超快恢復(fù)肖特基。

　　13.輸出電容C9

　　輸出電容的作用是減小LED電流的波動，越大越好，但由于體積的限制，建議選擇容值為0.47uF到1uF之間耐壓400V為的CBB電容。

　　14.mos管Q1

　?。?） mos管耐壓VDSS

　　mos管的最大耐壓為交流整流后的電壓最大值，留50%的裕量，選取耐壓值為

　?。?） mos管的額定電流IFET

　　流過mos管的電流取決于最大占空比，本系統(tǒng)最大占空比為50%，所以留過mos管的額定電流為

　　mos管的額定電流為工作電流3倍時，損耗較小，所以選取mos管的額定電流IFET≥1A.

　　（3） mos管開啟電壓Vth

　　要保證Vth小于芯片的驅(qū)動電壓，即Vth11V，由于一般高壓mos管的Vth為3~5V，所以這個參數(shù)不需要過多考慮。

　?。?） mos管導(dǎo)通電阻Rdson

　　mos管的導(dǎo)通電阻Rdson越小，mos管的損耗就越小。

　?。?） 額定溫度

　　實際工作溫度不能超出其額定溫度的范圍。

　　■ 所以選擇耐壓為600V，額定電流大于或等于1A，Rdson較小的mos管。

　　15.CS取樣電阻R4，R7，R8

　?。?） R4，R7，R8的阻值

　　設(shè)R7，R8串聯(lián)后再與R4并聯(lián)的電阻為RCS，輸出的電流波動范圍為0.3，

　　則：

　　選取合適的R4，R7和R8，保證調(diào)節(jié)R8可以得到需要的輸出電流Io，且無論怎樣調(diào)節(jié)R8，Io都不會太大以至于損壞期間。

　?。?） 電阻類型

　　RCS上承受的功率為P=I2O×RCS=0.11W ，所以R4，R7采用0805封裝的貼片電阻，為了調(diào)節(jié)R8時輸出電流不會變化太快，所以選擇R8為精密可調(diào)電阻。

　　16.續(xù)流電感L2和續(xù)流二極管D5

　　加L2和D5的主要目的是為了給芯片VCC供電，從而關(guān)斷芯片HV腳的供電，減小損耗。工作原理為：當(dāng)mos管導(dǎo)通時，電感L2儲能，電容C7給芯片供電，當(dāng)mos管關(guān)斷時，L2給芯片VCC供電，并給電容C7充電。

　　選擇L2的原則是使芯片VCC的供電電壓保持在11~12V之間，建議選擇電感量為18uH，飽和電流與L1相同的電感。選擇續(xù)流二極管D5時，為了防止誤觸發(fā)，建議選用恢復(fù)時間小于75ns的超快恢復(fù)肖特基。