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          LED藍寶石基板生長方法介紹

          作者: 時間:2011-08-27 來源:網(wǎng)絡 收藏

          是制作芯片的重要原料,占芯片原料費的10%。是指非紅色的氧化鋁(Al2O3)。含有雜質的很早以前就被作為寶石,由于其具有多種光學、機械、電氣、熱以及化學特性,因此還被廣泛應用于工業(yè)等多種領域,而且應用范圍仍在不斷擴大之中。其中,能夠合成制造出藍寶石更是意義重大。藍寶石的主要用途包括led底板。

            藍寶石芯材(Core)和坯料(Blank)由商品變身為“戰(zhàn)略性材料”,大量的藍寶石生產(chǎn)商時隔數(shù)年又重新掌握了定價的主導權。而且,他們可以將價格設定為能夠最大限度獲取利潤的水平。其結果是,藍寶石晶圓的美國國內售價超出我們的預想,上漲到了30美元,現(xiàn)金交易市場上的價格更是超過了30 美元。很多加工藍寶石的企業(yè)和廠商為確保產(chǎn)能已經(jīng)預付了貨款,目的是防止生產(chǎn)線停工。

            生產(chǎn)藍寶石晶棒的工藝主要有泡生法(KY法、凱氏長晶法)、提拉法(CZ法、柴氏拉晶法)、溫度梯度法(TGT法)等,其中泡生法為主流工藝,生產(chǎn)的藍寶石晶體約占70%,鉆取率約30%。

          LED藍寶石基板生長方法介紹

            藍寶石晶體原材料為氧化鋁碎晶,生產(chǎn)利用率大于97%,已經(jīng)完全國產(chǎn)化。藍寶石單晶產(chǎn)品即為藍寶石坯料,可直接出售,不合格品可直接作為原材料再次加工。其他消耗材料如鎢鉬材料、金剛石刀具、傳感器、儀表等均國產(chǎn)化。預計由藍寶石生產(chǎn)藍寶石晶棒的原材料、耗材均可由國內充分供應,此環(huán)節(jié)的短板主要在于長晶爐依賴進口。

            國內主要的藍寶石晶體爐廠家都是高校研究機構,包括西安理工大學、哈爾濱工業(yè)大學以及重慶第二十六研究所等。但國內目前的生產(chǎn)技術只能生產(chǎn)2英寸以下的藍寶石晶棒,長成的晶體與氮化鎵(GaN)的晶格錯位較大,無法用于LED的藍寶石襯底領域,大多用于手表表面外殼等。

            藍寶石晶棒的供應商有美國的Rubicon、HoneywELl,俄羅斯的 Monocrystal、ATLAS,韓國STC 及國內合晶光電、越峰(臺聚轉投資)、尚志(大同轉投資)及鑫晶鉆(奇美、鴻海轉投資)。

            藍寶石基板的供應商有美國的Rubicon、Honeywell、Crystal Systems、Saint-Gobain,俄羅斯的Monocrystal、ATLAS Sapphire,日本的京都陶瓷(Kyocera)、Namiki、Mahk,及國內兆遠、兆晶(奇美轉投資)、晶美、合晶及中美晶等公司。

            目前,GaN基襯底包括藍寶石、SiC、GaN、Zno等,商業(yè)化的只有藍寶石、SiC襯底,除CREE外,基本都使用藍寶石襯底。

           對于新增設備,安裝需要3~6個月的時間。從工藝角度而言,大尺寸藍寶石晶體生產(chǎn)周期需10天左右,準備和后處理需要7天左右,試件加工需要7天左右,質量檢測、微觀結構及光電性能需要30天左右,工藝分析、模擬需要7天左右。前后就耗去6~8個月的時間。

            藍寶石晶體的生長方法常用的有兩種:

            1:柴氏拉晶法(Czochralski method),簡稱CZ法。先將原料加熱至熔點后熔化形成熔湯,再利用一單晶晶種接觸到熔湯表面,在晶種與熔湯的固液界面上因溫度差而形成過冷。于是熔湯開始在晶種表面凝固并生長和晶種相同晶體結構的單晶。晶種同時以極緩慢的速度往上拉升,并伴隨以一定的轉速旋轉,隨著晶種的向上拉升,熔湯逐漸凝固于晶種的液固界面上,進而形成一軸對稱的單晶晶錠。

            2:凱氏長晶法(Kyropoulos method),簡稱KY法,大陸稱之為泡生法。其原理與柴氏拉晶法(Czochralskimethod)類似,先將原料加熱至熔點后熔化形成熔湯,再以單晶之晶種(SeedCrystal,又稱籽晶棒)接觸到熔湯表面,在晶種與熔湯的固液界面上開始生長和晶種相同晶體結構的單晶,晶種以極緩慢的速度往上拉升,但在晶種往上拉晶一段時間以形成晶頸,待熔湯與晶種界面的凝固速率穩(wěn)定后,晶種便不再拉升,也沒有作旋轉,僅以控制冷卻速率方式來使單晶從上方逐漸往下凝固,最后凝固成一整個單晶晶碇。

            晶體提拉法

            晶體提拉法(crystal pulling method) 由J 。Czochral ski 于1918 年發(fā)明,故又稱“丘克拉斯基法”,簡稱CZ 提拉法,是利用籽晶從熔體中提拉生長出晶體的方法,能在短期內生長出高質量的單晶。這是從熔體中生長晶體最常用的方法之一。其優(yōu)點是: (1) 在生長的過程中,可方便地觀察晶體生長的狀況; (2) 晶體在熔體表面處生長,不與坩堝接觸,能顯著地減小晶體的應力,防止坩堝壁的寄生成核; (3) 可以方便地運用定向籽晶和“縮頸”工藝,使“縮頸”后籽晶的位錯大大減少,降低擴肩后生長晶體的位錯密度,從而提高晶體的完整性 。其主要缺點是晶體較小,直徑最多達約51~76 mm。。

            泡生法

            泡生法( Kyropoulos method) 于1926 年由Kyropoul s 發(fā)明,經(jīng)過科研工作者幾十年的不斷改造和完善,目前是解決晶體提拉法不能生產(chǎn)大晶體的好方法之一。其晶體生長的原理和技術特點是:將晶體原料放入耐高溫的坩堝中加熱熔化,調整爐內溫度場,使熔體上部處于稍高于熔點的狀態(tài);使籽晶桿上的籽晶接觸熔融液面,待其表面稍熔后,降低表面溫度至熔點,提拉并轉動籽晶桿,使熔體頂部處于過冷狀態(tài)而結晶于籽晶上,在不斷提拉的過程中,生長出圓柱狀晶體。

            泡生法與提拉法生長晶體在技術上的區(qū)別是: (1) 晶體直徑 在擴肩時前者的晶體直徑較大,可生長出100 mm 以上直徑的藍寶石晶體,而后者則有些難度; (2) 晶體方向 前者對生長大尺寸、有方向性的藍寶石晶體擁有更大的優(yōu)勢;(3) 晶體質量 泡生法生長系統(tǒng)擁有適合藍寶石晶體生長的最佳溫度梯度。在生長的過程中或結束時,晶體不與坩堝接觸,大大減少了其應力,可獲得高質量的大晶體, 其缺陷密度遠低于提拉法生長的晶體,且兩者生長晶體的形狀也不同。



          關鍵詞: LED 藍寶石 基板生長

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